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[发明专利]存储器件及其制造方法和存取方法-CN201310160970.3有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一示例存储器件可以包括衬底；在衬底上形成的背栅；晶体管，包括在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠与鳍相交；以及在背栅的底面和侧面上形成的背栅介质层，其中，在栅堆叠的一侧，背栅介质层在面对鳍的区域处具有减薄部分。
存储器件及其制造方法存取

[发明专利]一种双面晶体硅太阳能电池片-CN201811145993.6在审
发明人：胡党平;张树德;魏青竹;倪志春;连维飞;王金艺 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面晶体硅太阳能电池片，包括硅基体、背钝化膜及背面电极，所述背钝化膜层叠于所述硅基体的背面，所述背钝化膜为厚度在60~90nm之间的蓝膜，所述背面电极包括和所述硅基体相接触的背银电极、形成于所述背钝化膜上的背铝主栅和多个背铝副栅，所述背铝副栅和所述背铝主栅相交，所述背银电极嵌套在所述背铝主栅中，能够提升电池片背面的短路电流及转换效率。
钝化膜硅基体主栅晶体硅太阳能电池片背面电极背银电极副栅嵌套短路电流转换效率电池片蓝膜背面相交

[发明专利]一种PERC双面电池片和光伏组件-CN202110406384.7在审
发明人：刘大娇;王艳敏;单伟;何胜;徐伟智 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请公开了一种PERC双面电池片，包括背电极、背面钝化层、硅片、发射极层、正面钝化层和正电极；背电极包括呈垂直相交的背极主栅线和背极副栅线；背面钝化层包括开槽区域和空白区域，背极主栅线覆盖空白区域，且空白区域的最小宽度大于背极主栅线的最大宽度；空白区域包括用于设置背极主栅线的第一空白区域和用于设置背电极桥接背极主栅线的第二空白区域。本申请中背极主栅线覆盖在第一空白区域，背电极桥接背极主栅线设置在第二空白区域，空白区域整体面积大，提升双面电池片的承受能力，降低发生隐裂以及碎片的概率，且空白区域的最小宽度大于背极主栅线的最大宽度，可以进一步降低隐裂率和碎片率
一种 perc 双面电池组件

[实用新型]P型PERC双面太阳能电池的背面电极和电池-CN201720200245.8有效
发明人：方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型PERC双面太阳能电池的背面电极，包括至少两条相互平行的背银主栅和多条相互平行的铝栅线，所述铝栅线与背银主栅垂直连接；所述背银主栅的两侧边缘呈齿状结构，所述背银主栅通过齿状结构与铝栅线连接，所述齿状结构的齿部与铝栅线重叠；所述背银主栅与铝栅线的连接处设置有铝栅耳。采用本实用新型，结构简单，容易产业化，能有效增强铝栅线与背银主栅的接触，同时提高电池的光电转换效率。
perc 双面太阳能电池背面电极电池

[发明专利]P型PERC双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法-CN201710122960.9有效
发明人：林纲正;方结彬;陈刚 -专利权人：广东爱旭科技股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型PERC双面太阳能电池，依次包括背银电极、背铝栅线、背面钝化层、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极，所述背银电极、背铝栅线以第一预设夹角相交，10°＜第一预设夹角＜90°；对背面钝化层通过激光开槽形成第一激光开槽区，所述第一激光开槽区设于背铝栅线的下方，所述背铝栅线通过第一激光开槽区与P型硅相连，所述背铝栅线的四周设有铝栅外框，所述铝栅外框与背铝栅线、背银电极相连接。
perc 双面太阳能电池及其组件系统制备方法

[实用新型]P型PERC双面太阳能电池及其组件、系统-CN201720201398.4有效
发明人：林纲正;方结彬;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型PERC双面太阳能电池，依次包括背银电极、背铝栅线、背面钝化层、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极，所述背银电极、背铝栅线以第一预设夹角相交，10°＜第一预设夹角＜90°；对背面钝化层通过激光开槽形成第一激光开槽区，所述第一激光开槽区设于背铝栅线的下方，所述背铝栅线通过第一激光开槽区与P型硅相连，所述背铝栅线的四周设有铝栅外框，所述铝栅外框与背铝栅线、背银电极相连接。
perc 双面太阳能电池及其组件系统

[实用新型]太阳能电池片-CN201520339745.0有效
发明人：李宗法;吕春芳;张凤;李蔚 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池片，包括正面及背面，所述正面设有多条彼此平行的主栅线和与多条与主栅线垂直的细栅线；所述背面设有多条彼此平行的背栅线；其中，所述主栅线的排列方向与背栅线的排列方向一致且二者数量相同；在所述排列方向上，主栅线与背栅线均彼此错开设置，每一条主栅线与一条背栅线相对应并由此构成多对电极单元，并且所有的电极单元中，主栅线与背栅线之间的距离相等。主栅线和背栅线，构成多对内部栅线间距相等的电极单元，由此通过激光划片的方式，能够切割出多个尺寸相同的电池切片，并且每个电池切片上主栅线和背栅线位于该电池切片的两相对侧边，二者的投影是彼此错开的，因此适用于后续的叠片工艺
太阳能电池

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310050056.3有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的接触区；位于接触区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中接触区作为背栅导体的导电路径的一部分；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与前栅导体隔开
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种改善双面电池背面印刷的结构及其方法-CN201910767086.3在审
发明人：杨蕾;尹丙伟;王涛;余波;丁士引 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善双面电池背面印刷的方法，包括以下步骤：S1、初级印刷：在电池片背面印刷上背电极并形成背极背场交接处，在背极背场交接处末端连接印刷有初级铝栅线；S2、次级印刷：在背极背场交接处和初级铝栅线上方整体印刷次级铝栅线本发明还公开了一种改善双面电池背面印刷的结构，所述背极背场交接处远离背电极一端固定连接有初级铝栅线，所述初级铝栅线和背极背场交接处的上端均固定连接有次级铝栅线。本发明可以提高背面印刷质量，对背面电池铝栅线的印刷采用二次印刷的方式，减小在背极背场交接处由于印刷高度差带来的影响，提高电池片质量，从而减少电池片铝栅线的脱落，提高电池片的合格率。
铝栅印刷交接处背场背极背面双面电池电池片背电极电池片背面二次印刷末端连接整体印刷高度差上端减小合格率电池

[实用新型]一种双面晶体硅太阳能电池片-CN201821599644.7有效
发明人：胡党平;张树德;魏青竹;倪志春;连维飞;王金艺 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面晶体硅太阳能电池片，包括硅基体、背钝化膜及背面电极，所述背钝化膜层叠于所述硅基体的背面，所述背钝化膜为厚度在60~90nm之间的蓝膜，所述背面电极包括和所述硅基体相接触的背银电极、形成于所述背钝化膜上的背铝主栅和多个背铝副栅，所述背铝副栅和所述背铝主栅相交，所述背银电极嵌套在所述背铝主栅中，能够提升电池片背面的短路电流及转换效率。
钝化膜硅基体主栅晶体硅太阳能电池片背面电极背银电极副栅嵌套本实用新型短路电流转换效率电池片蓝膜背面相交

[发明专利]半导体设置及其制造方法-CN201310050053.X有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一示例设置可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；在背栅的一侧形成的鳍；以及夹于背栅与鳍之间的背栅介质层。
半导体设置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201710243708.3有效
发明人：张青竹;殷华湘;闫江;吴振华;周章渝;秦长亮;张严波;张永奎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该半导体器件包括衬底、背栅、栅介质层、二维半导体材料层与两个电极，背栅设置在衬底的部分表面上；栅介质层设置在背栅的裸露表面上；二维半导体材料层设置在栅介质层的远离背栅的表面上；两个电极设置在二维半导体材料层的远离栅介质层表面上，且分别设置在背栅两侧。该半导体器件在衬底的表面上设置有背栅，在背栅施加不同的偏压，通过栅介质层的电场，感应不同载流子(电子和空穴等)，使得二维半导体材料能带弯曲。在源漏区施加合适大小的偏压，使得导电沟道导通或夹断，进而实现器件的开与关，进而实现背栅独立控制该器件的开关，满足了大规模集成电路设计的基本需求。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]石墨烯器件及其制造方法-CN201110360220.1有效
发明人：梁擎擎;金智;钟汇才;朱慧珑;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种石墨烯器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层以及其上的半导体层；在所述半导体层中形成背栅极，以及在背栅极上形成栅介质层、在栅介质层上形成石墨烯层，以及在所述背栅极两侧形成与背栅极电连接的背栅接触层；在所述背栅接触层上形成背栅接触塞，以及在所述背栅极上形成源漏接触塞。通过利用衬底中的半导体层形成背栅极，从而实现自对准地形成背栅结构的石墨烯器件，其制造方法简单，具有同现有CMOS工艺较好的兼容性。
石墨器件及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管及其制作方法-CN200610094648.5有效
发明人：艾德华·约瑟夫·诺瓦克;马修·约瑟夫·布雷特维奇;布伦特·阿兰·安德森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所公开的是一种具有背栅的三栅场效应晶体管及其制作方法。具体地说，背栅被组合到鳍的下部中。三栅结构被形成在鳍上，并被电隔离于背栅。此背栅能够被用来控制FET的阈值电压。在一个实施方案中，背栅延伸到p型硅衬底中的n阱。到n阱的接触使得电压能够被施加到背栅。n阱与p型衬底之间产生的二极管将流过n阱的电流隔离于衬底上的其它器件，使得背栅能够被独立地偏置。在另一实施方案中，背栅延伸到p型硅衬底上的绝缘层上的n型多晶硅层。到n型多晶硅层的接触使得电压能够被施加到背栅。延伸通过多晶硅层到绝缘层的沟槽隔离结构，将流过多晶硅层的电流隔离于硅衬底上的其它器件。
场效应晶体管及其制作方法

[实用新型]能够提升背面光电转换效率的P型PERC双面太阳能电池-CN201821101258.0有效
发明人：林纲正;方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了能够提升背面光电转换效率的P型PERC双面太阳能电池，该太阳能电池包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，所述的背电极由材料为银的背银主栅线和材料为铝的背铝副栅线组成，背铝副栅线和背银主栅线相垂直，所述背铝副栅线由粗细不同的铝栅线间隔组成，其中，较粗的铝栅线为粗铝栅线，较细的铝栅线为细铝栅线，所述的粗铝栅线中间具有激光槽。
铝栅光电转换效率背面副栅线双面太阳能电池太阳能电池氮化硅膜银主栅线背电极粗铝栅线本实用新型氧化铝膜依次设置正银电极产业化激光槽太阳光线间隔粗的垂直电池吸收