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[实用新型]一种多主栅高效率太阳能电池片-CN201621205510.3有效
发明人：张薛丹;沈专;何胜;符欣;王谭东;金起弘 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多主栅高效率太阳能电池片，包括正面电极栅线和背面铝背场及背电极，所述的正面电极栅线包括纵向的5根或5根以上的正电极主栅线和多条细栅线，每条主栅线与所述的细栅线相互垂直且相交；所述的背电极设置有纵向的5根或5根以上的背电极主栅，背电极主栅数目及位置与正电极主栅线相对应；所述的正电极主栅线为一根连续的有规则变化的截面为圆形的圆形节点连接截面为矩形的矩形段所成的主栅线；所述的细栅线设置为渐变式宽度的细栅线
一种多主栅高效率太阳能电池

[发明专利]P型PERC双面太阳能电池的背面电极和电池-CN201710123589.8在审
发明人：方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型PERC双面太阳能电池的背面电极，包括至少2条相互平行的背银主栅和25‑500条相互平行的铝栅线，所述铝栅线与背银主栅垂直连接；铝栅线与背银主栅连接处形成重叠区域，重叠区域的背银主栅位于铝栅线的下方
perc 双面太阳能电池背面电极电池

[发明专利]一种铁电晶体管、数据读写方法、模型训练方法和器件-CN202111526612.0在审
发明人：王欣然;闫鑫;于志浩;宁宏凯;罗时江;赵俊峰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：为解决上述技术问题，本申请实施例提供以下技术方案：铁电晶体管包括：衬底、背栅电极、背栅介电层、沟道层、源电极、漏电极、界面层、顶栅铁电层、顶栅电极；其中，背栅电极位于衬底的底部；背栅介电层位于衬底的上方；沟道层位于背栅介电层的上方；源电极和漏电极位于沟道层的上方的两侧；界面层位于沟道层的上方；顶栅铁电层位于界面层的上方，其中，界面层用于连接沟道层与顶栅铁电层；顶栅电极位于顶栅铁电层的上方。
一种晶体管数据读写方法模型训练器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310050123.1有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的阱区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分；位于半导体鳍片下部的穿通阻止层；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件-CN201310751571.4有效
发明人：刘军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件，将SOIP-MOSFET器件源(漏)区进行改造，在源(漏)区形成PN结或者介质电容，源区结深较深，漏区中间制造P型掺杂或者介质，形成PN结或介质电容，形成对在漏区施加直流偏置的隔离，通过体、背栅偏置设置、使得背栅MOSFET沟道进入导通，前栅P-MOSFET漏区交流信号耦合到背栅MOSFET上，由于背栅MOSFET工作于导通状态，该结构对前栅MOSFET开态下的阻抗形成调整、使前栅P-MOSFET作为开关开态应用下的射频损耗降低，超低损耗射频开关；当器件自热效应产生、导致背栅MOSFET形成负阻抗时，或当背栅MOSFET工作于放大状态时，则前栅耦合信号可直接得到放大，并补偿前栅开态下的能量损耗，使得损耗进一步降低。
基于 soi 工艺介质 pn 隔离 mosfet 射频开关损耗器件

[发明专利]基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅N-MOSFET射频开关超低损耗器件-CN201310751578.6有效
发明人：刘军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅N-MOSFET射频开关超低损耗器件,将SOIN-MOSFET器件源(漏)区进行改造，在源(漏)区形成PN结或者介质电容，源区结深较深，漏区中间制造P型掺杂或者介质，形成PN结或介质电容，形成对在漏区施加直流偏置的隔离，通过体、背栅偏置设置、使得背栅MOSFET沟道进入导通，前栅N-MOSFET漏区交流信号耦合到背栅MOSFET上，由于背栅MOSFET工作于导通状态，该结构对前栅MOSFET开态下的阻抗形成调整、使前栅N-MOSFET作为开关开态应用下的射频损耗降低，超低损耗射频开关；当器件自热效应产生、导致背栅MOSFET形成负阻抗时，或当背栅MOSFET工作于放大状态时，则前栅耦合信号可直接得到放大，并补偿前栅开态下的能量损耗，使得损耗进一步降低。
基于 soi 工艺介质 pn 隔离 mosfet 射频开关损耗器件

[发明专利]P型PERC双面太阳电池的背电极及电池、组件、系统-CN201710122405.6在审
发明人：方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型PERC双面太阳电池的背电极，包括若干组相互平行的银主栅电极和多条相互平行的铝副栅电极，所述银主栅电极和铝副栅电极相互垂直，每组银主栅电极包括至少两根银主栅子电极，每两根银主栅子电极之间形成断开区间，所述铝副栅电极对应断开区间的位置设有铝栅脊骨，所述铝栅脊骨将铝副栅电极连接。相应的，本发明还提供一种采用上述背电极的电池、组件和系统。采用本发明，所述背极主栅分段电极结构设计简单，节省背银的耗量，增加背钝化的面积，同时不影响背极的电流输出能力，从而提升P型PERC双面太阳电池的光电转换效率。
perc 双面太阳电池电极电池组件系统

[发明专利]图像传感器结构及其制作方法-CN201611157013.5有效
发明人：胡少坚;耿阳;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器结构及其制作方法，所述图像传感器结构包括衬底、背栅、栅氧介质层和量子点层，所述衬底上设置有接触电极，所述背栅设置在所述衬底上，所述栅氧介质层覆盖在所述背栅上，所述量子点层设置在所述栅氧介质层上在本发明提供的图像传感器结构及其制作方法中，所述图像传感器结构采用背栅来对量子点层的载流子迁移率进行控制，背栅上覆盖有栅氧介质层，通过在背栅上加不同的电压，来影响量子点层由光产生的载流子的迁移率，从而影响光敏电流的大小
图像传感器结构及其制作方法

[实用新型]P型PERC双面太阳电池的背电极及电池、组件、系统-CN201720200220.8有效
发明人：方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型PERC双面太阳电池的背电极，包括若干组相互平行的银主栅电极和多条相互平行的铝副栅电极，所述银主栅电极和铝副栅电极相互垂直，每组银主栅电极包括至少两根银主栅子电极，每两根银主栅子电极之间形成断开区间，所述铝副栅电极对应断开区间的位置设有铝栅脊骨，所述铝栅脊骨将铝副栅电极连接。相应的，本实用新型还提供一种采用上述背电极的电池、组件和系统。采用本实用新型，所述背极主栅分段电极结构设计简单，节省背银的耗量，增加背钝化的面积，同时不影响背极的电流输出能力，从而提升P型PERC双面太阳电池的光电转换效率。
perc 双面太阳电池电极电池组件系统

[实用新型]太阳能电池片-CN201621439878.6有效
发明人：沈贞东;张会明;杨健;张淳;张雨军;黄强 -专利权人：张家港协鑫集成科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池片，设置于所述正面的多条相互平行的主栅线，及与所述多条垂直主栅线垂直的细栅线；设置于所述背面的多条相互平行的背栅线，所述主栅线的排列方向与背栅线的排列方向一致且二者数量相同；在所述排列方向上，所述多条主栅线等间距排布，主栅线与背栅线均彼此错开设置，每一条主栅线与一条背栅线相对应并由此构成多对电极单元，主栅线与背栅线之间的距离相等。
太阳能电池

[发明专利]P型PERC双面太阳能电池的背面电极和电池-CN201710124067.X有效
发明人：方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型PERC双面太阳能电池的背面电极，包括至少2条相互平行的背银主栅和25‑500条相互平行的铝栅线，所述铝栅线与背银主栅垂直连接；所述铝栅线通过在硅片背面开设的铝栅开槽区与P型硅连接，所述背银主栅通过在硅片背面开设的背银开槽区与P型硅连接；所述背银开槽区内至少一个背银开槽单元，背银开槽单元图案为长条状的长方形。
perc 双面太阳能电池背面电极电池

[发明专利]一种太阳能电池的背面金属化结构及其制备方法-CN202010740010.4有效
发明人：查娟娟;黄磊;张磊磊 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的背面金属化结构，包括：硅片；所述硅片上设置有钝化层；所述钝化层上设置有背电极；所述背电极通过银栅线相连接，且连接的银栅线形成网络状结构；所述背电极与银栅线不与钝化层接触的表面位于同一平面；所述背电极与银栅线上设置有背电场。与现有技术相比，本发明对背电极主栅进行镂空设计与细栅设计，镂空结构不仅可以银浆用量，节省成本，还可在组件焊接过程中，形成真空，加强拉力；采用银栅线连接背电极成网格状结构，可降低串联电阻，降低浆料和硅片的接触电阻
一种太阳能电池背面金属化结构及其制备方法

[实用新型]P型PERC双面太阳能电池的背面电极和电池-CN201720203751.2有效
发明人：方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型PERC双面太阳能电池的背面电极，包括至少2条相互平行的背银主栅和25‑500条相互平行的铝栅线，所述铝栅线与背银主栅垂直连接；所述铝栅线通过在硅片背面开设的铝栅开槽区与P型硅连接，所述背银主栅通过在硅片背面开设的背银开槽区与P型硅连接；所述背银开槽区内至少一个背银开槽单元，背银开槽单元图案为长条状的长方形。
perc 双面太阳能电池背面电极电池

[实用新型]高双面率的主栅结构、太阳能电池以及太阳能电池组件-CN202121740237.5有效
发明人：杨联赞;时宝;顾生刚;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型属于太阳能电池技术领域，尤其涉及高双面率的主栅结构、太阳能电池以及太阳能电池组件，主栅结构包括两条相互独立设置的主栅以及多个背电极，各个所述背电极设于两条主栅之间且各个所述背电极的两端分别连接两条主栅，在两条主栅之间且位于所述背电极的上方和下方均设有镂空部。减小遮光面积，太阳光能够更多的穿透到背面，从而提高背面效率，且主栅结构采用镂空式设计，在组件焊接时，由于不存在背主栅的搭桥效应，能够降低背电极的虚焊风险，保证焊接质量。
双面结构太阳能电池以及组件

[发明专利]P型PERC双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法-CN201710122418.3有效
发明人：林纲正;方结彬;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型PERC双面太阳能电池，依次包括背银电极、背铝栅线、背面钝化层、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极；对背面钝化层通过激光开槽形成第一激光开槽区，所述第一激光开槽区设于背铝栅线的下方，所述背铝栅线通过第一激光开槽区与P型硅相连，所述背铝栅线的四周设有铝栅外框，所述铝栅外框与背铝栅线、背银电极相连接；所述第一激光开槽区包括多组水平方向设置的第一激光开槽单元，每一组第一激光开槽单元包括一个或多个水平方向设置的第一激光开槽体，所述背铝栅线与第一激光开槽体垂直。
perc 双面太阳能电池及其组件系统制备方法