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- [发明专利]半导体存储器-CN95102444.2无效
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铃木东
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株式会社东芝
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1995-03-03
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1998-11-04
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G11C8/00
- 一种半导体存储器，其位线振幅对地址的相关性小，位线方向地址所造成的存取时间的分散性小。该半导体存储器包括与位线相连接的数据存储用的多个存储单元、根据位线方向地址来选择上述存储单元用的存储单元选择装置，以及向上述位线供给电位用的位线负载电路；通过上述位线对于由上述存储单元选择装置选择的存储单元进行数据读出或写入动作；其中还具有用于根据上述位线方向地址来控制上述位线负载电路的阻抗的阻抗控制装置。
- 半导体存储器
- [发明专利]存储器的形成方法及存储器-CN202010575406.8在审
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张林涛;权锺完;张令国;刘旭;周贤贵
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长鑫存储技术有限公司
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2020-06-22
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2022-01-07
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H01L21/8242
- 本发明实施例提供一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法，包括：提供基底，基底中至少包括字线结构以及有源区，以及位于基底顶部表面的底介质层和位线接触层，底介质层中具有位线接触开口，位线接触开口暴露出基底中的有源区，位线接触层覆盖底介质层且填充位线接触开口；刻蚀部分位线接触层，形成不同高度的位线接触层；形成导电层，于垂直于字线结构延伸的方向上，导电层顶部表面位于不同高度，于字线结构延伸的方向上，所述导电层顶部表面位于不同高度；形成顶介质层；刻蚀形成分立的位线结构。通过形成位线结构中的导电层位于不同高度，在不改变位线结构排布方式的基础上，增大位线结构中导电层之间的间距。
- 存储器形成方法
- [发明专利]存储器的形成方法及存储器-CN202010576479.9在审
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张令国;张林涛;权锺完;周贤贵;刘旭
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长鑫存储技术有限公司
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2020-06-22
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2022-01-07
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H01L21/8242
- 本发明实施例提供一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法，包括：提供基底，基底中至少包括字线结构以及有源区，以及位于基底顶部表面的底介质层和位线接触层，底介质层中具有位线接触开口，位线接触开口暴露出基底中的有源区，位线接触层覆盖底介质层并填充位线接触开口；刻蚀部分位线接触层，形成不同高度的位线接触层；形成导电层，于垂直于字线结构延伸的方向上，导电层顶部表面位于同一高度；于字线结构延伸的方向上，导电层顶部表面位于不同高度；形成顶介质层；刻蚀形成分立的位线结构。通过形成位线结构中的导电层位于不同高度，在不改变位线结构排布方式的基础上，增大位线结构中导电层之间的间距。
- 存储器形成方法
- [发明专利]SRAM写电路-CN201711460245.2有效
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朱家国;于跃
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展讯通信（上海）有限公司
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2017-12-28
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2020-10-27
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G11C11/419
- 本发明提供一种SRAM写电路，包括：位线预充电单元、位线选择单元、数据输入单元、电荷回收单元和时序控制单元，其中，位线预充电单元连接在电源和位线之间，对位线进行充电；数据输入单元的第一连接端与电荷回收单元的第一连接端连接，形成公共端，所述公共端与位线选择单元的第一连接端连接；位线选择单元的第二连接端连接至位线，控制端接入位线选择信号；数据输入单元的第二连接端接地，控制端接入数据控制信号；电荷回收单元的第二连接端接地，控制端接入回收控制信号；时序控制单元分别与位线预充电单元、位线选择单元、数据输入单元和电荷回收单元连接，提供时序信号。
- sram电路
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