专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种碗装食品自动生产及网络售卖一体机-CN202221028130.2有效
  • 张令国 - 天津市津盈门科技研发有限公司
  • 2022-04-28 - 2023-05-09 - G07F17/00
  • 本实用新型提供一种碗装食品自动生产及网络售卖一体机,其特征在于包括机架装置、冷藏柜装置、餐具储存输送装置、售卖柜装置、汤料辅料储存罐及摆动臂辅料定位添加装置、可伸缩升降售卖平台装置、选餐支付及电供给控制装置;本实用新型针对现有食品制作过程较为复杂、耗费人力的缺陷,提供一种碗装食品自动生产及网络售卖一体机,具有代替人工操作,将所有分散工序联合集中在一台机器上,用来完成碗装食品的生产及售卖工作。智能售卖系统在智能控制下自助现金收款,有网络与本机器连接,通过网络实现网上预定、收款、自动售货及与购货人实现网上交流和互动。
  • 一种食品自动生产网络售卖一体机
  • [发明专利]存储器的制造方法和存储器-CN202011018109.X有效
  • 平尔萱;周震;张令国 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-09-24 - 2023-02-28 - H10B12/00
  • 本发明实施例提供一种存储器的制造方法和存储器,存储器的制造方法包括:提供基底以及多个分立的伪位线接触层,基底内具有多个有源区,且每一伪位线接触层与有源区连接;在伪位线接触层的顶部形成伪位线结构;形成填充相邻伪位线结构之间的区域的牺牲层,且牺牲层位于伪位线结构侧壁以及伪位线接触层侧壁;在形成牺牲层之后,去除伪位线结构,形成露出伪位线接触层的通孔;去除伪位线接触层,形成位于基底内的通孔;形成填充基底内的通孔的位线接触层,位线接触层与有源区电连接。如此,以填充通孔的方法形成位线接触层,可以避免去除伪位线结构时对位线接触层造成损伤或残留杂质,从而提高存储器的运行速率。
  • 存储器制造方法
  • [发明专利]一种碗装食品自动生产及网络售卖一体机-CN202210471164.7在审
  • 张令国 - 天津市津盈门科技研发有限公司
  • 2022-04-28 - 2022-11-01 - G07F17/00
  • 本发明提供一种碗装食品自动生产及网络售卖一体机,其特征在于包括机架装置、冷藏柜装置、餐具储存输送装置、售卖柜装置、汤料辅料储存罐及摆动臂辅料定位添加装置、可伸缩升降售卖平台装置、选餐支付及电供给控制装置;本发明针对现有食品制作过程较为复杂、耗费人力的缺陷,提供一种碗装食品自动生产及网络售卖一体机,具有代替人工操作,将所有分散工序联合集中在一台机器上,用来完成碗装食品的生产及售卖工作。智能售卖系统在智能控制下自助现金收款,有网络与本机器连接,通过网络实现网上预定、收款、自动售货及与购货人实现网上交流和互动。
  • 一种食品自动生产网络售卖一体机
  • [发明专利]存储节点接触结构的形成方法及半导体结构-CN202011605353.6在审
  • 平尔萱;周震;张令国;白卫平 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-12-30 - 2022-07-01 - H01L21/8242
  • 本发明提出一种存储节点接触结构的形成方法及半导体结构;存储节点接触结构包含以下步骤:提供衬底,衬底表面形成有位线结构,位线结构之间形成有接触孔;在接触孔孔底的对应于有源区的部分形成凹槽,凹槽槽口的轴向与竖直方向具有大于0°且小于90°的夹角;采用外延生长工艺,由凹槽起始,在接触孔内生长硅晶体,生长过程中控制硅晶体沿第一方向和第二方向上的生长速率,使生长起始时硅晶体沿第一方向的生长速率大于沿第二方向的生长速率,并使生长结束时硅晶体沿第一方向的生长速率等于沿第二方向的生长速率,从而使硅晶体沿第二方向分别与两侧的位线结构的侧壁形成空隙;其中,第一方向为凹槽槽口的轴向,第二方向在竖直平面上垂直于第一方向。
  • 存储节点接触结构形成方法半导体
  • [发明专利]存储器的制造方法和存储器-CN202011018122.5在审
  • 平尔萱;周震;张令国 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-09-24 - 2022-03-29 - H01L21/8242
  • 本发明实施例提供一种存储器的制造方法和存储器,存储器的制造方法包括:提供基底以及多个分立的初始位线接触结构,基底内具有多个有源区,且每一初始位线接触结构与有源区电连接;初始位线接触结构部分位于基底内;在初始位线接触结构的顶部形成伪位线结构;刻蚀初始位线接触结构,形成位线接触层,以及位于位线接触层的侧壁与基底之间的间隙;形成位于伪位线结构侧壁的第一介质层,且第一介质层还位于间隙正上方。如此,可以减小位线接触层与埋入式字线的寄生电容,从而提高存储器的运行速率。
  • 存储器制造方法
  • [发明专利]存储器的制造方法和存储器-CN202010942805.3在审
  • 平尔萱;周震;张令国 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-09-09 - 2022-03-25 - H01L21/8242
  • 本发明实施例提供一种存储器的制造方法和存储器,存储器的制造方法包括:提供基底以及位线接触层;在位线接触层的顶部形成伪位线结构;在伪位线结构的侧壁及位线接触层的侧壁形成间隔层;在间隔层的侧壁形成介质层;形成填充相邻伪位线结构之间的区域的牺牲层,且牺牲层覆盖介质层的侧壁;在形成牺牲层之后,去除伪位线结构,形成露出位线接触层的通孔;形成填充通孔且覆盖位线接触层的位线导电部;形成位线导电部后,去除间隔层,形成介质层和位线导电部之间的间隙。本发明实施例中位线导电部与介质层之间具有间隙,能够降低寄生电容,提高存储器的运行速度,降低存储器的功耗。
  • 存储器制造方法
  • [发明专利]存储器的制造方法和存储器-CN202010886239.9在审
  • 平尔萱;周震;张令国 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-08-28 - 2022-03-01 - H01L21/8242
  • 本发明实施例提供一种存储器的制造方法和存储器,存储器的制造方法包括:提供基底以及位线接触层;在位线接触层的顶部形成伪位线结构;形成填充相邻伪位线结构之间的区域的牺牲层,且牺牲层位于伪位线结构侧壁以及位线接触层侧壁;在形成牺牲层之后,去除伪位线结构,形成露出位线接触层的通孔;形成填充通孔且覆盖位线接触层的位线导电部。本发明实施例通过填充通孔,使得形成的位线导电部中不残留由刻蚀产生的杂质,进而减小位线导电部的电阻,提高存储器的运行速度。另外,由于受到牺牲层的支撑,位线导电部不易发生坍塌、倾斜,存储器的性能更好。
  • 存储器制造方法
  • [发明专利]一种存储器的形成方法和存储器-CN202010778887.2在审
  • 张令国;权锺完;张林涛;周贤贵;刘旭 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-08-05 - 2022-02-18 - H01L21/8242
  • 本发明公开了一种存储器的形成方法和存储器,包括:提供基底,基底中至少包括字线结构以及有源区,以及位于基底顶部表面的底介质层和位线接触层,底介质层中具有位线接触开口,位线接触开口暴露出基底中的有源区,位线接触层覆盖底介质层且填充位线接触开口;刻蚀部分位线接触层,形成不同高度的位线接触层;形成导电层,于垂直于字线结构延伸的方向上,导电层顶部表面位于不同高度;于字线结构延伸的方向上,导电层顶部表面位于不同高度;形成顶介质层;刻蚀形成分立的位线结构,通过形成位线结构中的导电层位于不同高度,增大位线结构中导电层之间的间距。
  • 一种存储器形成方法
  • [发明专利]存储器的形成方法及存储器-CN202010575406.8在审
  • 张林涛;权锺完;张令国;刘旭;周贤贵 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-06-22 - 2022-01-07 - H01L21/8242
  • 本发明实施例提供一种存储器的形成方法及存储器,存储器的形成方法,包括:提供基底,基底中至少包括字线结构以及有源区,以及位于基底顶部表面的底介质层和位线接触层,底介质层中具有位线接触开口,位线接触开口暴露出基底中的有源区,位线接触层覆盖底介质层且填充位线接触开口;刻蚀部分位线接触层,形成不同高度的位线接触层;形成导电层,于垂直于字线结构延伸的方向上,导电层顶部表面位于不同高度,于字线结构延伸的方向上,所述导电层顶部表面位于不同高度;形成顶介质层;刻蚀形成分立的位线结构。通过形成位线结构中的导电层位于不同高度,在不改变位线结构排布方式的基础上,增大位线结构中导电层之间的间距。
  • 存储器形成方法
  • [发明专利]存储器的形成方法及存储器-CN202010576479.9在审
  • 张令国;张林涛;权锺完;周贤贵;刘旭 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-06-22 - 2022-01-07 - H01L21/8242
  • 本发明实施例提供一种存储器的形成方法及存储器,存储器的形成方法,包括:提供基底,基底中至少包括字线结构以及有源区,以及位于基底顶部表面的底介质层和位线接触层,底介质层中具有位线接触开口,位线接触开口暴露出基底中的有源区,位线接触层覆盖底介质层并填充位线接触开口;刻蚀部分位线接触层,形成不同高度的位线接触层;形成导电层,于垂直于字线结构延伸的方向上,导电层顶部表面位于同一高度;于字线结构延伸的方向上,导电层顶部表面位于不同高度;形成顶介质层;刻蚀形成分立的位线结构。通过形成位线结构中的导电层位于不同高度,在不改变位线结构排布方式的基础上,增大位线结构中导电层之间的间距。
  • 存储器形成方法
  • [发明专利]一种酵母抑菌活性物质综合防腐技术-CN202010157079.4在审
  • 张国荣;张令国;刘良;李静 - 百事美特食品宿迁有限公司
  • 2020-03-09 - 2021-09-10 - A23B7/00
  • 本发明公开了一种酵母抑菌活性物质综合防腐技术,包括以下步骤:A、对采摘的蔬菜进行清洗;B、将蔬菜浸泡在酵母液中;C、将浸泡后的蔬菜放置在阴凉处晾干;D、向蔬菜表面喷洒防腐剂;E、晾干后使用保鲜膜包覆,步骤A中的蔬菜为十字花科蔬菜、伞形科蔬菜、茄科蔬菜、葫芦科蔬菜、豆科蔬菜、百合科蔬菜、菊科蔬菜或藜科蔬菜中的一种,同时,清洗方式为机械清洗,且机械清洗机包括清洗箱,清洗箱外侧设置有与安装在内侧的清洗辊固定连接的清洗电机。本发明先将蔬菜浸泡在酵母液中,再向蔬菜表面喷洒防腐剂,最后使用保鲜膜包覆,可有效提高蔬菜的防腐保鲜性,且所需成本低,蔬菜储存时间长,适宜大范围推广。
  • 一种酵母活性物质综合防腐技术

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