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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]聚焦离子束设备及其控制方法-CN99102770.1无效
发明人：柴田博文 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-03-02 - 公布日： 1999-09-08 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：一种聚焦离子束设备具有离子源1和离子束透镜M，透镜使源于离子源1的离子束16聚焦和偏转，为便于加工试样7，经聚焦和偏转的离子束16照射到位于试样台8的待测试样7上，此时使试样台8倾斜以便在规定角度加工试样此设备还包括相应于试样台加工角度设定离子束引出电极2电压的手段21和相应于试样台加工角度使试样台8倾斜规定角度的手段23，由此能以规定角度加工上述横截面。
聚焦离子束设备及其控制方法

[发明专利]一种基于聚焦离子束表征陶瓷涂层材料三维显微结构的方法-CN202010175765.4有效
发明人：宋雪梅;曾毅;吴伟;张积梅;王墉哲;姜彩芬;刘紫微;林初城;郑维 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开一种基于聚焦离子束表征陶瓷涂层材料三维显微结构的方法，包括将陶瓷涂层材料加工成长条状样品；在长条状样品的目标区域沉积保护层；使用聚焦离子束将目标区域的周边剔除；在目标区域周围设置切片定位标记和拍照定位标记；设定聚焦离子束切片条件、消除荷电预处理条件和EBSD显微结构采集条件，消除荷电预处理为Ga离子束注入；利用聚焦离子束进行连续切片，在每次切片后对每个加工截面注入Ga离子束并收集EBSD图像；通过三维重构软件对一系列的
一种基于聚焦离子束表征陶瓷涂层材料三维显微结构方法

[发明专利]聚焦离子束杂质鉴定-CN202010100620.8有效
发明人： J.格雷厄姆;L.克拉尔 -专利权人： FEI 公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：聚焦离子束杂质鉴定。具有带电粒子束(CPB)透镜和离子束柱的双束系统可以在分析模式下运行。在所述分析模式下，来自所述离子束柱的离子束可以由CPB偏转为包含主离子束和一个或多个非主离子束的一个或多个分量束。所述双束系统可以鉴定所述非主离子束的离子种类。
聚焦离子束杂质鉴定

[发明专利]透射电子显微镜样品的制备方法-CN202310341087.8在审
发明人：李丽媛;高金德 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种透射电子显微镜样品的制备方法，先在目标层上形成至少两层层叠的离子束保护层，每层离子束保护层包括材质不同的第一保护层和第二保护层，然后，采用聚焦离子束对至少一层离子束保护层进行刻蚀，并根据刻蚀后的离子束保护层表面的刻蚀图像判断聚焦离子束的刻蚀角度是否为预设刻蚀角度由于，第一保护层与第二保护层的图像的衬度也不同，由此可以根据刻蚀图像的衬度判断出聚焦离子束的刻蚀角度是否为预设刻蚀角度，在刻蚀角度不符合预设刻蚀角度时，能够及时的根据判断结果来调整聚焦离子束的刻蚀角度，
透射电子显微镜样品制备方法

[发明专利]样本制备装置和样本制备方法-CN201310083008.4无效
发明人：满欣 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：样本制备装置包括样本台，用于支撑样本；聚焦离子束镜筒，用于将聚焦离子束施加到样本并且处理样本；以及照射区域设置单元，用于设置聚焦离子束照射区域，该聚焦离子束照射区域包括第一照射区域和第二照射区域，第一照射区域用于形成将被电子束照射以检测背向散射电子的观察区段
样本制备装置方法

[发明专利]一种利用镀膜技术辅助获得高精度刃口微型刀具的方法-CN201010562861.0有效
发明人：房丰洲;徐宗伟;兀伟 -专利权人：天津大学
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明属于复杂微纳结构和器件的加工制造技术领域，涉及一种利用镀膜技术辅助获得高精度刃口微型刀具的方法，包括以下步骤：在聚焦离子束真空样品室内，利用聚焦离子束对微刀具毛坯进行粗加工，加工出刀具前刀面；利用聚焦离子束铣削方法对前刀面精修抛光；对加工后的微刀具的前刀面进行镀膜处理；将镀膜后的微刀具放进聚焦离子束真空样品室内，依据刃口形状和尺寸要求，利用聚焦离子束铣削加工出微刀具的后刀面和侧刀面。
一种利用镀膜技术辅助获得高精度刃口微型刀具方法

[发明专利]用于离子束聚焦的系统和方法-CN200580043440.4有效
发明人： V·班威尼斯特;P·克雷曼 -专利权人：艾克塞利斯技术公司
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：提供了用于聚焦离子注入器(110)中的被扫描的离子束的系统与方法。一种束聚焦系统(140)被提供，其包含：第一与第二磁体，用以提供对应的磁场，其协同地提供具有时变的聚焦场中心的磁性聚焦场，该聚焦场中心通常对应于沿着扫描方向的被扫描的离子束的时变的束位置。提供了方法，包含：提供具有聚焦场中心的聚焦场于扫描平面内；以及动态调整该聚焦场，使得聚焦场中心通常符合于沿着扫描方向的被扫描的离子束的时变的束位置。
用于离子束聚焦系统方法

[发明专利]截面加工观察装置及其方法、记录介质以及形状测定方法-CN201910163613.X有效
发明人：满欣;麻畑达也;佐藤诚 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01B15/04 文献下载
摘要：具有：保持试样的试样台；向试样照射聚焦离子束的聚焦离子束镜筒；在与照射聚焦离子束的方向垂直的方向上向试样照射电子束的电子束镜筒；检测二次电子或反射电子的电子检测器；照射位置控制部，根据作为示出针对试样的波束的照射目标位置的信息的照射目标位置信息来控制聚焦离子束和电子束的照射位置；工序控制部，按照照射位置控制部控制的每个照射位置，对朝向试样照射聚焦离子束以使试样的截面露出的截面露出工序和向截面照射电子束而取得截面的截面像的截面像取得工序进行控制；画质校正部，对在照射位置取得的所述截面像的画质进行校正
截面加工观察装置及其方法记录介质以及形状测定

[发明专利]一种暴露金属层的方法及电路修补方法-CN202110296633.1在审
发明人：卢勤;闪洁;张顺勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种暴露金属层的方法，所述方法包括：提供具有金属层的待处理样品，所述金属层包括目标区域，所述目标区域被绝缘层覆盖；采用双束聚焦离子束机台对所述目标区域的位置进行定位，并在与所述目标区域的位置对应的所述绝缘层上形成标记；采用单束聚焦离子束机台刻蚀所述标记下方的绝缘层，暴露出所述金属层的所述目标区域；其中，所述单束聚焦离子束机台在刻蚀时判断终点的精度高于所述双束聚焦离子束机台在刻蚀时判断终点的精度。
一种暴露金属方法电路修补

[发明专利]离子注入设备及方法-CN201010566304.6有效
发明人：陈炯;钱锋 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入设备及方法。在该离子注入设备中，在从该离子源系统至该工件传输装置的离子束的束流路径上依次设有：一偏转散焦磁铁，用于在一偏转平面内偏转离子束，并在垂直于该偏转平面的方向上散焦离子束；一偏转磁铁，用于在该偏转平面内偏转离子束；一偏转聚焦磁铁，用于在该偏转平面内偏转离子束，并在垂直于该偏转平面的方向上聚焦离子束；一电极系统，用于在该偏转平面内偏转离子束。
离子注入设备方法

[发明专利]一种获取高清晰聚焦离子束加工截面图像的方法-CN201110229968.8无效
发明人：张涛 -专利权人：上海华碧检测技术有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本发明提供了一种获取高清晰聚焦离子束加工截面图像的方法，该方法包括以下步骤：A、将需要进行分析的样品置于聚焦离子束仪中进行截面切抛加工，得到样品截面；B、将样品从聚焦离子束仪中取出，使用腐蚀液对样品进行截面腐蚀；C、将样品截面进行冲洗和吹干；D、将样品放入场发射电子显微镜中，找到截面后倾斜30°～45°，进行截面的二次电子像观察，获得高清晰的聚焦离子束截面样品图像。本发明有如下优点：本发明方法能够有效、高质量地获得高清晰的聚焦离子束截面样品图像，为失效分析提供结构截面分界清楚的截面形貌信息。
一种获取清晰聚焦离子束加工截面图像方法

[发明专利]基于激光加速器的单粒子效应测试装置-CN202011329346.8在审
发明人：沈百飞;李顺;张辉;李昂骁;秦承宇;吉亮亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H05H1/54 文献下载
摘要：一种基于激光加速器的单粒子效应测试装置，包括飞秒激光装置、激光传输系统、激光聚焦系统、离子加速系统、离子束整形聚焦系统、单粒子效应测试系统和真空靶室系统。飞秒激光装置产生的激光脉冲经过激光传输和聚焦系统后，聚焦到离子加速系统的加速靶上产生高能离子束，利用离子束整形聚焦系统将离子束整形聚焦，传输到单粒子效应测试系统，实现单粒子效应测试。本发明将激光驱动加速的离子应用到了单粒子效应测试领域，该装置具有台式化、调向灵活、粒子种类丰富、宽能谱、能量可控等特点，可用于空间辐射环境模拟等应用。
基于激光加速器粒子效应测试装置

[发明专利]聚焦离子束装置-CN201210451653.2有效
发明人：顾晓芳;刘永波;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：一种聚焦离子束装置，包括：真空腔室；离子源，在负性电场的牵引下导出所述镓离子束；离子光学系统，决定所述离子束的大小，所述离子束并经过二次聚焦达到位于所述样品台上的试片表面；样品台，用于承载所述试片；二次电子，由所述聚焦离子束照射到所述试片产生；显示装置，显示所述试片的二次电子图像，进行缺陷定位；电荷导出装置，设置在所述真空腔室上，并与所述试片之缺陷的附件区域电性连接。通过本发明所述的具有电荷导出装置的聚焦离子束装置进行缺陷定位时，聚集的电荷易于导出，对所述缺陷提供精确的定位。同时也使得由所述聚焦离子束装置的发送端发射并用于沉积或切割的电荷可控的到达所述试片表面，实现准确的定位并进行沉积或切割。
聚焦离子束装置

[发明专利]基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法-CN201310038365.9有效
发明人：杨琳娟;姜潇潇;谷琼婵;宋爱娟;梁丽勤;吕江涛;王凤文;司光远 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明提供一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法，该方法包括：S1、设计一种纳米圆环阵列结构，所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴，光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度；S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中；S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构，聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀，完成制备。
基于聚焦离子束刻蚀波导方法

[发明专利]检视晶片缺陷的方法-CN200710105052.5无效
发明人：陈建福;林文彬 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：一种检视晶片缺陷的方法，可以通过双粒子束聚焦离子束显微切割仪来检视晶片样本水平切面的缺陷。首先，将晶片样本切割为适当大小的试片，使其适合于双粒子束聚焦离子束显微切割仪的分析腔体，然后在试片边缘标示激光标签，使双粒子束聚焦离子束显微切割仪可以据以设定共轭高度，以直接分析试片的水平切面。
检视晶片缺陷方法

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