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[实用新型]结终端延伸的终端版图结构及其终端结构-CN201520087935.8有效
发明人：褚为利;朱阳军;陆江;卢烁今;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结终端延伸的终端版图结构，包括有源区，有源区内具有至少一个绝缘栅双极晶体管IGBT元包结构，元包结构为并联结构，有共同的发射极电极、集电极电极和栅极电极；包围有源区外围为至少一圈呈涡旋状的本实用新型还公开了三种结终端延伸的终端结构。本实用新型能够提高终端的耐压性和降低终端设计的复杂性。
终端延伸版图结构及其

[发明专利]结终端延伸结构及其制造方法-CN201110166489.6有效
发明人：田晓丽;朱阳军;吴振兴;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种结终端延伸结构，包括：第一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的连续结构，所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。通过场板结构屏蔽延伸区及其外侧界面电荷的影响，改善表面电场，保证器件的击穿电压并提高器件的可靠性，可应用于高压(4500V及其以上)IGBT器件的保护终端。
终端延伸结构及其制造方法

[实用新型]一种半导体终端结构及半导体结构-CN201921806520.6有效
发明人：刘勇强;张祎龙;曾丹;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体终端结构及半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体终端结构包括衬底层以及设置于所述衬底层上的外延层；所述外延层上形成有多个结终端拓展结构，所述结终端拓展结构向所述衬底层的方向延伸，且多个所述结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减。本申请中设置于外延层上的多个结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减，延伸的距离与所具有的离子浓度相关联，得到的各结终端拓展结构的浓度递减，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好
一种半导体终端结构

[发明专利]一种高压功率芯片的深结复合终端结构及其制备方法-CN202011292087.6在审
发明人：李学宝;王振硕;马慧远;马浩 -专利权人：华北电力大学;国网北京市电力公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压功率芯片的深结复合终端结构，所述复合终端结构包括:横向变掺杂区域、结终端延伸区域和SIPOS结构；所述横向变掺杂区域为在多个不同渐变掺杂区窗口的遮掩下注入铝离子，再经高温扩散形成的区域；所述结终端延伸区域设置在所述横向变掺杂区域(VLD)的末端，并与所述横向变掺杂区域呈部分交叠设置，所述结终端延伸区域(JTE)为棚离子在高温下扩散形成的区域；所述SIPOS结构设置在所述横向变掺杂区域和结终端延伸区域的上部本发明将SIPOS结构覆盖于横向变掺杂区域和结终端延伸区域之上来减少终端区的面积，提高其终端效率，降低界面电荷对终端结构击穿电压的影响，达到在存在界面电荷的情况下满足3.3kV等级的耐压要求。
一种高压功率芯片复合终端结构及其制备方法

[发明专利]一种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构及其制造方法-CN201810380268.0有效
发明人：王彩琳;刘聪;张琦 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向变掺杂‑结终端延伸复合终端结构，以GCT为例，终端区和有源区有共同的n‑衬底及其下方的n型FS层、p+阳极区及阳极电极；在有源区主结的外侧，依次设置有一个电阻区、一个横向变掺杂区和一个结终端延伸区，且该横向变掺杂区与结终端延伸区相互交叠，终端区表面覆盖有两层钝化膜；该电阻区将主结和该复合终端区连接为一体。本发明还公开了该种横向变掺杂‑结终端延伸复合终端结构的制造方法。本发明的复合终端结构，不仅可获得约91％的耐压效率，高温漏电流小、终端稳定性高，而且制作工艺与有源区完全兼容，不会增加器件制备过程中的工艺难度和成本，不论是方形芯片还是圆形芯片的深结器件均适用。
一种横向掺杂终端延伸复合结构及其制造方法

[发明专利]结终端延伸结构及其制作方法-CN201510166664.X在审
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种结终端延伸结构及其制作方法，包括：第一导电类型的集电区；位于所述集电区上的第二导电类型的漂移区；所述漂移区内的第一区域具有第一导电类型的主结区以及与所述主结区相通的具有第一导电类型的延伸区，漂移区内的第二区域具有第二导电类型的截止环，所述截止环与所述延伸区不相通；所述延伸区至少具有两级台阶结构，且所述延伸区的厚度随着距离所述主结区距离的增大而减小，用以实现减小分压区域面积，节省了芯片面积
终端延伸结构及其制作方法

[发明专利]结终端延伸结构及其制作方法-CN201510166665.4有效
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种结终端延伸结构及其制作方法，包括：第一导电类型的集电区；位于所述集电区上的第二导电类型的漂移区，所述漂移区内具有第一导电类型的主结区、与所述主结区相连通的第一导电类型的延伸区、第二导电类型的截止环，所述延伸区与所述截止环不连通；所述延伸区是至少具有两个沟槽的连续分布区域，且所述沟槽的体积随距离所述主结区距离的增大而增大，用以实现，分压区域面积减小，节省了芯片面积，在相同面积的硅晶片上可以制作的器件就增多
终端延伸结构及其制作方法

[发明专利]结终端延伸结构及其制作方法-CN201510166677.7有效
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种结终端延伸结构及其制作方法，包括：第一导电类型的集电区；位于所述集电区上的第二导电类型的漂移区，所述漂移区内具有第一导电类型的主结区和具有第二导电类型的截止环；位于所述漂移区上的具有第一导电类型的延伸区，所述延伸区位于所述主结区与所述截止环之间，所述延伸区与所述主结区相连通，所述延伸区与所述截止环不连通；所述延伸区至少具有两级台阶结构，且所述延伸区的厚度随距离所述主结区距离的增大而减小，用以实现减小结终端延伸区域面积实现分压区域面积减小
终端延伸结构及其制作方法

[发明专利]一种横向高压功率器件的结终端结构-CN201510542990.6有效
发明人：乔明;王裕如;张晓菲;代刚;方冬;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁连接，延伸方向与直接结终端结构中N型漂移区2和P型埋层9内壁垂直方向都具有在连接处延伸方向的垂直方向，P型埋层9超出N型漂移区2距离为5微米，改善电荷不平衡问题。本发明的有益效果为，改善直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与连接处电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。
一种横向高压功率器件终端结构

[发明专利]一种横向高压功率器件的结终端结构-CN201510543015.7有效
发明人：乔明;代刚;张晓菲;王裕如;方冬;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁连接，延伸路径为圆弧路径；这样可以有效缓解连接处电场的曲率效应。在连接处延伸方向的垂直方向，P型埋层9超出N型漂移区2一些距离，改善电荷不平衡问题。本发明的有益效果为，改善直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与连接处电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。
一种横向高压功率器件终端结构

[发明专利]一种半导体器件结终端扩展结构及制备方法-CN201711385694.5在审
发明人：何云;刘桂芝;张磊;徐吉 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结终端扩展结构及制备方法，包括衬底；于衬底上形成外延层；于外延层中形成主结，主结从外延层表面延伸至内部；以及于主结的边缘形成所占的面积从主结的中心向边缘方向呈连续递减分布的梯形开口，于各梯形开口中注入离子，并进行高温退火处理，以形成掺杂浓度沿主结中心向边缘方向连续递减的结终端扩展结构，结终端扩展结构从外延层表面延伸至内部，且位于主结的侧壁。本发明使得从主结中心向边缘方向的掺杂区域占终端扩展区域面积的比例呈连续的线性递减分布，从而保证实现浓度连续性降低的横向变掺杂，进而降低主结终端区电场强度峰值，优化半导体器件的反向击穿电压，提高半导体器件的性能
一种半导体器件终端扩展结构制备方法

[实用新型]一种半导体器件结终端扩展结构-CN201721792124.3有效
发明人：何云;刘桂芝;张磊;徐吉 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件结终端扩展结构，包括：衬底；于衬底上形成外延层；于外延层中形成主结，主结从外延层表面延伸至内部；以及于主结的边缘形成所占的面积从主结的中心向边缘方向呈连续递减分布的梯形开口，于各梯形开口中注入离子，并进行高温退火处理，以形成掺杂浓度沿主结中心向边缘方向连续递减的结终端扩展结构，结终端扩展结构从外延层表面延伸至内部，且位于主结的侧壁。本实用新型使得从主结中心向边缘方向的掺杂区域占终端扩展区域面积的比例呈连续的线性递减分布，从而保证实现浓度连续性降低的横向变掺杂，进而降低主结终端区电场强度峰值，优化半导体器件的反向击穿电压，提高半导体器件的性能
主结半导体器件扩展结构结终端边缘方向本实用新型外延层表面梯形开口外延层衬底递减掺杂反向击穿电压边缘形成掺杂区域高温退火线性递减终端扩展注入离子终端区延伸侧壁优化保证

[发明专利]一种横向高压功率器件的结终端结构-CN201510540217.6有效
发明人：乔明;王裕如;张晓菲;方冬;代刚;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的内壁连接，延伸方向与直接结终端结构中N型漂移区2，在连接处延伸方向的垂直方向，P型埋层9超出N型漂移区2为5微米；P型埋层还超出N型掺杂层10为3微米，改善电荷不平衡。本发明的有益效果为，改善直线与曲率的结终端结构相连部分电荷不平衡与电场曲率效应，避免提前击穿，以得到最优化的击穿电压。
一种横向高压功率器件终端结构

[发明专利]一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN201711171768.5在审
发明人：朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括第一导电类型的SiC衬底；第一导电类型的SiC外延层，位于衬底的第一表面上，其中，外延层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；结势垒区，从外延层的远离衬底的表面延伸进入外延层，结势垒区包括多个第二导电类型的环状或者条状结构；第二导电类型的SiC结终端扩展区，自结势垒区的结终端向远离结势垒区的两侧延伸设置，掺杂浓度自结势垒的结终端向两侧逐渐减小；介质层，设置在外延层的远离衬底的表面上，介质层具有斜坡结构，在与结势垒区对应的部分形成开口；第一电极层，设置在衬底的第二表面上；以及第二电极层，包括覆盖开口的肖特基接触区和延伸到介质层上的场板结构。
一种 sic 结势垒肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件复合终端结构及其制备方法-CN202011059251.9有效
发明人：王俊;俞恒裕;梁世维;刘航志;江希;彭子舜;岳伟;杨余;张倩 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公布了一种碳化硅功率器件复合终端结构，其特征在于，包括器件元胞和复合终端，所述复合终端包括斜面刻蚀工艺形成的结终端延伸结构和离子注入工艺形成的结终端延伸结构。本发明还公开一种碳化硅功率器件复合终端结构的制备方法。本发明采用现有的工艺技术的同时提高了终端的耐压，进一步提高器件的可靠性和稳定性。
一种碳化硅功率器件复合终端结构及其制备方法

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