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[发明专利]一种3D打印用发泡线材及其制备方法和应用-CN202210747459.2有效
发明人：蒋铭波;赵俊恒;郭晓晨 -专利权人：苏州复丝络科新材料有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D打印用发泡线材及其制备方法和应用，该3D打印用发泡线材的原料包含结晶性聚合物树脂和发泡剂，发泡剂的起发温度小于或等于结晶性聚合物树脂的熔点，结晶性聚合物树脂的最小半结晶期大于40秒；在制备该3D打印用发泡线材的过程中：控制结晶性聚合物树脂在与发泡剂共混熔融挤出之前、共混熔融挤出之时均处于无定形状态，且控制结晶性聚合物树脂与发泡剂共混熔融挤出的温度低于发泡剂的起发温度；在制成的3D打印用发泡线材中，结晶性聚合物树脂具有结晶区；可以采用熔融沉积成型方法将上述发泡线材制成3D打印制品，具有打印成功率高、发泡程度易控制、性能优异等优点。
一种打印发泡线材及其制备方法应用

[发明专利]调色剂、显影剂、调色剂盒、处理盒、成像装置和成像方法-CN201210364056.6在审
发明人：佐佐木有希;山崎纯明;平冈智;吉野进;松冈弘高 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G03G9/087 文献下载
摘要：该调色剂为静电图像显影用调色剂，其包含：非结晶性聚酯树脂(A)，其至少含有衍生自二羧酸成分的重复单元和衍生自以特定化学式表示的二醇成分的重复单元；以及非结晶性聚酯树脂(B)，其重均分子量不同于非结晶性聚酯树脂(A)的重均分子量，其中非结晶性聚酯树脂(A)和非结晶性聚酯树脂(B)的重均分子量之差（绝对值）为30,000至100,000。
调色显影剂处理成像装置方法

[发明专利]一种连续纤维增强结晶性聚芳醚酮树脂基单向带预浸料、制备方法及其应用-CN202110204495.X有效
发明人：杨砚超;丛鑫;王贵宾;张淑玲;张梅;栾加双;王晟道 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C08J5/24 文献下载
摘要：本发明属于树脂基复合材料技术领域，提供了一种连续纤维增强结晶性聚芳醚酮树脂基单向带预浸料及其复合材料和制备方法。其中：连续纤维增强结晶性聚芳醚酮树脂基单向带预浸料的制备方法包括：将结晶性聚芳醚酮树脂的可溶先驱体聚合物加入有机溶剂中获得聚合物溶液，再采用溶液浸渍并烘干的方式获得结晶性聚芳醚酮前驱体聚合物树脂基单向带预浸料，再经水解、洗涤并烘干后获得连续纤维增强结晶性聚芳醚酮树脂基单向带预浸料；再将连续纤维增强结晶性聚芳醚酮树脂基单向带预浸料经真空热压后获得连续纤维增强结晶性聚芳醚酮树脂基单向带复合材料。
一种连续纤维增强结晶性聚芳醚酮树脂单向带预浸料制备方法及其应用

[发明专利]芳香族烃的制造方法及用于前述制造方法的含过渡金属的结晶性金属硅酸盐催化剂-CN201080035462.7无效
发明人：冈部晃博;生井胜康;伊藤秀幸;秋山聪;梅野道明;小野隆;西村彻 -专利权人：三井化学株式会社;新加坡科技研究局
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C07C2/76 文献下载
摘要：解决手段是：该芳香族烃的制造方法的特征为，具有在含过渡金属的结晶性金属硅酸盐催化剂的存在下，进行以甲烷为主成分的低级烃的接触反应的工序，所述含过渡金属的结晶性金属硅酸盐催化剂通过在改性结晶性金属硅酸盐上负载相对于前述改性结晶性金属硅酸盐100重量份为5～25重量份的过渡金属(X)而得到，所述改性结晶性金属硅酸盐通过对结晶性金属硅酸盐实施包含使前述结晶性金属硅酸盐中的金属的一部分脱离的工序(i)和进行甲硅烷基化的工序(ii)的一连串的处理
芳香族制造方法用于前述过渡金属结晶硅酸盐催化剂

[发明专利]静电图像显影用色调剂、静电图像显影剂、色调剂盒、处理盒、图像形成装置和图像形成法-CN202110252777.7在审
发明人：菅原淳;安野慎太郎;藤原祥雅;野口大介;三浦谕 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G03G9/087 文献下载
摘要：该静电图像显影用色调剂具有下述色调剂颗粒：包含非晶性树脂和结晶性树脂，在观察颗粒断面时，至少2个结晶性树脂微区满足下述条件(A)、条件(B1)、条件(C)和条件(D)的色调剂颗粒。条件(A)：结晶性树脂微区的纵横比为5～40。条件(B1)：结晶性树脂微区的长轴长度为0.5～1.5μm。条件(C)：结晶性树脂微区的长轴的延长线与切线(该切线是延长线与色调剂颗粒表面相接的接点处的切线)所形成的角度为60～90度。条件(D)：2个结晶性树脂微区各自的长轴的延长线相互的交叉角为45～90度。
静电图像显影用色调剂显影剂色调处理形成装置

[发明专利]高结晶性银粉及其制造方法-CN200580006356.5无效
发明人：藤本卓;佐佐木卓也;吉丸克彦;岛村宏之 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2005-02-04 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种高结晶性银粉及其制造方法，该高结晶性银粉为微粒、分散性好、粒度分布不狭窄而较宽、微晶大的高结晶性银粉。为了达到此目的，高结晶性银粉的制造方法的特征在于，把含硝酸银、分散剂及硝酸的第1水溶液，与含抗坏血酸的第2水溶液加以混合。上述分散剂，优选聚乙烯基吡咯烷酮或明胶。采用上述方法制造高结晶性银粉。采用上述方法制造的高结晶性银粉，其微晶粒径为300以上，平均粒径D₅₀为0.5μm～10μm，在700℃的长度方向热收缩率为±3％以内。
结晶银粉及其制造方法

[发明专利]结晶性聚醚腈-CN202180037789.6在审
发明人：平野泰亮;中岛里沙乃;赤平真人;岩花宗一郎;山内幸二 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C08G65/34 文献下载
摘要：提供结晶性聚醚腈。一种结晶性聚醚腈，其熔点与降温结晶温度之差为40℃以上且100℃以下，且具有N个式(I)所示的重复单元、和M个式(II)所示的重复单元，N与M为满足0.90＜[N/(N+M)]＜1.00的关系的整数。
结晶性聚醚腈

[发明专利]结晶性环氧树脂-CN201310045592.4有效
发明人：朴龙义;洪晟镐;李贵恒 -专利权人：新亚T&C
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C08G59/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种结晶性环氧树脂。本发明的环氧树脂在常温下结晶化故容易操作，耐热性良好且熔融时粘度低，并提供低吸湿性等优越的硬化物，适合用于电气、电子部件的封装材料等。
结晶环氧树脂

[发明专利]水性分散体混合物-CN201680026232.1有效
发明人：中岛秀人;森田宽;东元浩幸 -专利权人：住友化学株式会社;科思创德国股份有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C08L75/04 文献下载
摘要：本发明提供一种水性分散体混合物，是包含以结晶性聚烯烃(a)作为分散质的水性分散体(A)、以结晶性聚氨酯(b)作为分散质的水性分散体(B)、和以非结晶性聚氨酯(c)作为分散质的水性分散体(C)的水性分散体混合物，该结晶性聚烯烃(a)为非氯改性聚烯烃，该结晶性聚氨酯(b)的利用差示扫描量热分析测定的晶体熔化热为3J/g以上，该非结晶性聚氨酯(c)的利用差示扫描量热分析测定的晶体熔化热小于3J/g，相对于所述水性分散体
水性散体混合物

[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置-CN201510232391.4在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人： FLOSFIA株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗
结晶层叠结构半导体装置

[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置-CN201910353479.X在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人： FLOSFIA株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗
结晶性氧化物半导体薄膜氧化物半导体半导体装置层叠结构体结晶性底层基板电学特性刚玉

[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置-CN201910915606.0在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗
结晶性氧化物半导体薄膜氧化物半导体半导体装置层叠结构体底层基板电学特性结晶性刚玉

[发明专利]发泡聚氨酯树脂组合物及发泡聚氨酯弹性体-CN202180014520.6在审
发明人：青木航;桥口拓也;森田裕史 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C08G18/00 文献下载
摘要：发泡聚氨酯树脂组合物包含多异氰酸酯原料、多元醇原料、水和催化剂，多异氰酸酯原料含有1,4‑H6XDI，多元醇原料含有结晶性PTMEG、和非晶性PTMEG及/或PPG，相对于多元醇原料的总量而言，结晶性PTMEG、非晶性PTMEG及PPG的合计量为90质量％以上，相对于结晶性PTMEG、非晶性PTMEG及PPG的总量而言，结晶性PTMEG为60质量％以上90质量％以下
发泡聚氨酯树脂组合弹性体

[发明专利]树脂材料及树脂膜-CN201480064195.4有效
发明人：宫泽慎介 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C08G61/08 文献下载
摘要：本发明为一种树脂材料、由该树脂材料形成的膜及将金属薄膜层合于该膜的层合膜，所述树脂材料为以[(结晶性含极性基团二环戊二烯开环聚合物加氢物)∶(结晶性非极性二环戊二烯开环聚合物加氢物)的重量比为100∶0～1∶99的比例包含结晶性含极性基团二环戊二烯开环聚合物加氢物及结晶性非极性二环戊二烯开环聚合物加氢物的树脂组合物，所述结晶性含极性基团二环戊二烯开环聚合物加氢物是将结晶性非极性二环戊二烯开环聚合物加氢物、自由基引发剂及具有烯属不饱和键的含极性基团化合物进行熔融混炼而得，其中，来源于所述具有烯属不饱和键的含极性基团化合物的结构单元量相对于100重量份的所述结晶性含极性基团二环戊二烯开环聚合物加氢物和结晶性非极性二环戊二烯开环聚合物加氢物的合计
二环戊二烯开环聚合物加氢物极性基团结晶性非树脂材料结晶性极性基团化合物烯属不饱和键重量份自由基引发剂金属薄膜层树脂组合物熔融混炼层合膜树脂膜重量比

[发明专利]包含宽带隙的钙钛矿系太阳能电池及其制造方法-CN201810621704.9有效
发明人：徐章源;全男中;梁泰烈;鲁俊洪;郑义赫 -专利权人：韩国化学研究院
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K30/15 文献下载
摘要：本发明涉及包含宽带隙的钙钛矿系太阳能电池及其制造方法，详细地，本发明的太阳能电池包括钙钛矿结构的有机金属卤化物层、以及与有机金属卤化物层形成界面而层叠的结晶性物质层，结晶性物质层的结晶性物质是具有与钙钛矿结构不同的晶体结构的结晶性卤化物，结晶性卤化物具有比有机金属卤化物层的有机金属卤化物的带隙能量大的带隙能量，并具有比有机金属卤化物的价带(valence band)最大能级低的价带(valence band)最大能级。
包含宽带钙钛矿系太阳能电池及其制造方法