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[发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910514750.3在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：此处公开的鳍状物图案化方法可达优先切割鳍状物技术与最后切割鳍状物技术的优点，并提供不同数目的鳍状物于不同集成电路区中。例示性的方法实施间隔物微影技术，其形成的鳍状图案包括第一鳍状线与第二鳍状线于基板中。第一鳍状线与第二鳍状线在对应单一鳍状物的鳍状场效晶体管的第一区中具有第一空间，并在对应多鳍状物的鳍状场效晶体管的第二区中具有第二空间。第一空间大于第二空间，以缓解最后切割鳍状物时的制程容许范围，其部分地移除第二区中的第二鳍状线的一部分，以形成虚置鳍尖于第二区中。第二区中的虚置鳍尖与第一鳍状物之间的空间大于第二空间。
鳍状物鳍状线第二空间鳍状场效晶体管切割第一空间集成电路区鳍状物图案方法实施微影技术第一区间隔物基板移除制程鳍状图案缓解

[发明专利]一种FinFET器件及其形成方法和电子装置-CN202011598393.2在审
发明人：张峰溢;苏廷锜;黄崇哲;苏韦菘 -专利权人：广州集成电路技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该形成方法在进行蚀刻之前，利用保护膜覆盖鳍状物，然后对鳍状物进行光刻以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；之后利用第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和对应的保护膜，去除第一鳍结构并形成第一组预设鳍状物；之后通过各向同性蚀刻去除残留的第一鳍结构，在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构。因而避免了现有技术中蚀刻后留下的圆角问题；同时形成的凹结构有利于维持水平线，不会造成器件的弯曲。
一种 finfet 器件及其形成方法电子装置

[发明专利]半导体装置-CN201910813498.6在审
发明人：林志昌;吴伟豪;余佳霓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置，其包括第一装置鳍状物与第二装置鳍状物、第一虚置鳍状物与第二虚置鳍状物以及第三装置鳍状物与第四装置鳍状物。第一装置鳍状物与第二装置鳍状物其各自位于半导体装置的第一区中。第一虚置鳍状物位于第一区中。第一虚置鳍状物位于第一装置鳍状物与第二装置鳍状物之间。第一虚置鳍状物具有第一高度。第三装置鳍状物与第四装置鳍状物，各自位于半导体装置的第二区中。第二虚置鳍状物位于第二区中。第二虚置鳍状物位于第三装置鳍状物与第四装置鳍状物之间。第二虚置鳍状物具有第二高度，且第二高度大于第一高度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710557756.X有效
发明人：黄玉莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体装置的形成方法，包含形成多个鳍状物于基板上，以及形成虚置栅极结构于鳍状物上。间隔物层形成于虚置栅极结构与鳍状物上。使间隔物层凹陷化，以沿着每一鳍状物的侧壁形成不对称的凹陷的间隔物，并露出每一鳍状物的部份。源极/漏极外延成长于鳍状物露出的部份上，且位于第一鳍状物上的第一源极/漏极外延与位于第二鳍状物上的第二源极/漏极外延不对称。还提供一种装置，包含第一鳍状物与第二鳍状物于基板上，而栅极结构形成于第一鳍状物与第二鳍状物上。外延形成于第一鳍状物与第二鳍状物上，且第一鳍状物与第二鳍状物位于栅极结构的相同侧上。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910814986.9在审
发明人：郭紫微;杨宗熺;游政卫;周立维;游明华;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一半导体鳍状物，自基板延伸；第一介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第一侧相邻；第二介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第二侧相邻；第一栅极堆叠部，沿着第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物及第二介电鳍状物的侧壁，并位于第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物及第二介电鳍状物上；第一外延的源极/漏极区，位于第一半导体鳍状物中，并自第一介电鳍状物延伸至第二介电鳍状物；以及气隙，位于第一外延的源极/漏极区与基板之间，且该气隙延伸于第一介电鳍状物与第二介电鳍状物之间。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构-CN201710202281.2有效
发明人：李承翰;马志宇;张世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体结构，其中半导体结构包含阶状的结晶基板，其具有较高阶状物、较低阶状物、与阶状隆起。第一鳍状物包含具有第一晶格常数的结晶结构。第一鳍状物形成于较低阶状物上。第二鳍状物包含具有第二晶格常数的结晶结构，且第二晶格常数不同于第一晶格常数。第二鳍状物可形成于较高阶状物上，并与第一鳍状物分隔。第二结晶结构可形成于结晶结构上，且鳍状物的顶部对齐。第一鳍状物与第二鳍状物之组成可为相同材料(具有不同高度及不同通道应力值)。第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的n型金氧半鳍状物，而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的p型金氧半鳍状物。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201811036916.7在审
发明人：游佳达;王圣祯;杨丰诚;陈燕铭;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：鳍状场效晶体管装置的外延结构包括基板、具有两个鳍状物的鳍状结构、沿着鳍状物的侧壁形成的内侧鳍状物间隔物与外侧鳍状物间隔物、以及形成于鳍状物周围的隔离区。鳍状场效晶体管装置亦包含栅极结构形成于鳍状结构上，以及外延结构形成于源极/漏极区中的鳍状结构上。外延结构的形成方法为合并鳍状物与至少一外延半导体层，并包括气隙。气隙的体积取决于内侧鳍状物间隔物的高度与分隔距离。
鳍状物外延结构鳍状结构间隔物鳍状场效晶体管半导体结构气隙外延半导体层源极/漏极区分隔距离栅极结构隔离区侧壁基板合并

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710465608.5有效
发明人：曾晋沅;林纬良;陈欣志;朱熙甯;谢艮轩;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。
半导体装置形成方法

[实用新型]用于填埋场的防风固沙障-CN201721616596.3有效
发明人：甄胜利;田素芳;曹天玉;齐长青;郝海靖;陈雨;罗彬;黄志亮;王洋;陈宏丽;于肖肖 -专利权人：北京高能时代环境技术股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于填埋场的防风固沙障，用于填埋场的防风固沙障用于设置于所述填埋场的外周，所述用于填埋场的防风固沙障包括多个鳍状沙袋，所述鳍状沙袋内设有填充物，中部设置有缝合线，所述缝合线顶部设有防风穗，所述多个鳍状沙袋以田字格形状交叉叠放。
填埋场防风固沙障沙袋鳍状缝合线本实用新型填充物便于运输交叉叠放使用寿命田字格外周防风

[发明专利]具有子鳍状物层的晶体管-CN201580079932.2有效
发明人： W·拉赫马迪;M·V·(M)·梅茨;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;G·杜威;J·T·卡瓦列罗斯;A·阿格拉瓦尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：将子鳍状物层沉积在衬底上的绝缘层中的沟槽中。将鳍状物沉积在子鳍状物层上。鳍状物具有顶部部分和相对侧壁。鳍状物包括第一半导体材料。子鳍状物层包括III‑V族半导体材料。
具有子鳍状物层晶体管

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910456037.8在审
发明人：王培宇;林志昌;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：半导体结构的形成方法包括提供结构，其具有基板、自基板延伸的第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物、以及第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间的介电鳍状物；形成暂时栅极于第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与介电鳍状物的顶部及侧壁上；形成多个栅极间隔物于暂时栅极的侧壁上；移除栅极间隔物之间的介电鳍状物的第一部分与暂时栅极；形成栅极于栅极间隔物之间及第一半导体鳍状物及第二半导体鳍状物的顶部与侧壁上，其中介电鳍状物物理接触栅极的侧壁；移除介电鳍状物的第二部分，以露出栅极的侧壁；以及经由栅极的露出侧壁对栅极进行蚀刻制程，以将该栅极分成第一栅极部件与第二栅极部件。
半导体鳍状物鳍状物侧壁介电栅极间隔物栅极部件基板移除半导体结构露出侧壁蚀刻制程物理接触导体延伸

[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器-CN201910635550.3在审
发明人： J-Y·D·叶;P·J·范德沃尔;W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。
半导体鳍状物晶体管结构衬底非平面半导体器件半导体结构电阻器结构精密电阻器隔离区架构

[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器-CN201710067644.6有效
发明人： J-Y·D·叶;P·J·范德沃尔;W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。
用于平面半导体器件架构精密电阻器

[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器-CN201710228504.2有效
发明人： J-Y·D·叶;P·J·范德沃尔;W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。
用于平面半导体器件架构精密电阻器

[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器-CN201380042912.9有效
发明人： J-Y·D·叶;P·J·范德沃尔;W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。
用于平面半导体器件架构精密电阻器

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