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[发明专利]一种原子级团簇存算器件及其制造方法-CN202311063346.1在审
发明人：宋凤麒;张敏昊;谢素原;季威;谭元植;陈俊;张康康;刘博文;顾陆薇 -专利权人：江苏集创原子团簇科技研究院有限公司;南京大学
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K10/50 文献下载
摘要：所述原子级团簇存算器件自下而上依次设置衬底及氧化层、栅电极和栅介质层；所述栅介质层上设置有至少一根导电电极，每根导电电极上设置有一个纳米级间隙；所述纳米级间隙的两边为源电极和漏电极，纳米级间隙中设置组合分子体系
一种原子级团簇存算器件及其制造方法

[发明专利]一种钠离子电池负极复合材料及其制备方法-CN201910827679.4在审
发明人：姚曼;张正;詹世英;蔡惠群;李海军 -专利权人：银隆新能源股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：该方法包括将具有纳米线和纳米花复合结构的钛酸钠进行热处理后可得到白色碎片状的Na₂Ti₃O₇纳米线/纳米花复合材料。该方法可制备得到具有纳米线和纳米花复合结构的复合材料。其中，纳米线及三维分级纳米花结构的Na₂Ti₃O₇具有较大的比表面积，不易团聚，且纳米线和纳米花具有一维电子传输通道，从而可有效地提升材料的导电性能同时，纳米花表面具有大量间隙，这些间隙有利于钠离子的扩散和传输，进而可克服现有技术的钛酸钠导电性能较差的技术问题，有效地提升Na₂Ti₃O₇
纳米花纳米线导电性能复合结构复合材料有效地钛酸钠制备大电流充放电性能电池技术领域电子传输通道负极复合材料钠离子电池循环稳定性热处理钠离子碎片状分级三维团聚扩散传输

[发明专利]元件接面结构-CN200510090932.0有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-08-22 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：成对的薄间隙壁形成于相对应的栅极结构的侧壁上。每一薄间隙壁最多为25纳米宽。栅极结构的长度最多为40纳米。元件中的源极与漏极区域自对准，并位于邻近每一薄间隙壁与相对应的栅极结构边缘处之下。源极与漏极区包含选择性种类的杂质浓度，用以于每一薄间隙壁与该相对应栅极结构的边缘处下形成平滑接面轮廓。
元件结构

[发明专利]一种硅碳复合负极材料及其制备方法-CN202210186403.4有效
发明人：林梓家;于杰;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：复合层包括：多个垂直石墨烯纳米片以及纳米级分散布置的硅层，多个垂直石墨烯纳米片形成于石墨颗粒的表面，多个垂直石墨烯纳米片之间形成有间隙，每个垂直石墨烯纳米片远离石墨颗粒的一端嵌设于非晶碳层内；硅层沉积于间隙内，硅层呈纳米级，垂直石墨烯纳米片的高度大于硅层的厚度，以方便硅层与外围非晶碳层之间形成空隙。
一种复合负极材料及其制备方法

[实用新型]一种高发射速率、高收集效率的单光子源器件-CN201721097608.6有效
发明人：黄锋;李沫;陈飞良;张晖;李倩;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高发射速率、高收集效率的单光子源器件，包括：基底、金属薄膜、介质条、金属纳米棒，金属薄膜沉积于基底上面，介质条沉积于金属薄膜上；金属薄膜和介质条形成介质承载表面等离激元波导，所述介质承载表面等离激元波导用于收集单光子源发射出来的光子；金属纳米棒位于介质承载表面等离激元波导的内部，单光子源位于金属纳米棒和金属薄膜之间；金属薄膜和金属纳米棒形成间隙等离激元微腔结构，所述间隙等离激元微腔结构用于形成间隙等离激元。
单光子源金属薄膜金属纳米棒表面等离激元波导本实用新型等离激元介质承载介质条发射高收集效率微腔结构基底集成光子器件金属薄膜沉积量子信息收集效率单光子光子波导沉积激发应用

[发明专利]一种具有纳米间隙的异质电极对的制作方法-CN201410084254.6在审
发明人：赵尚骞;梁文杰;吕文刚;张余春;吕燕 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米间隙的异质电极对的制作方法。本方法分两步制作左右电极，利用电子束曝光技术中的套刻技术，制备出一系列具有不同间隙的电极对，在保证电极对间隙大小的分布范围大于套刻的误差偏移量的前提下，可以制备出最窄间隙在1-2nm左右的异质电极对。本发明提供了一种通用的制作间隙在1-2nm左右的异质电极对的方法。通过选用不同的电极材料，可以制作具有不同功函数或具有不同磁性性质的异质纳米间隙电极对，这种异质电极对在未来的单分子整流器，单分子自旋器件设计和应用中有重要意义。
一种具有纳米间隙电极制作方法

[发明专利]使用大规模分子电子传感器阵列测量分析物的方法和装置-CN201780020711.7在审
发明人： B·L·梅里曼;P·W·莫拉;C·崔 -专利权人：罗斯韦尔生物技术股份有限公司
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： B82Y15/00 文献下载
摘要：在本公开的各种实施例中，分子电子传感器阵列芯片包括：(a)集成电路半导体芯片；和(b)设置在其上的多个分子电子传感器器件，该传感器器件中的每个包括：(i)由纳米间隙分开的一对纳米级源电极和漏电极；(ii)栅电极；以及(iii)横跨该纳米间隙并连接该源电极和该漏电极的桥分子和/或探针分子，其中该分子电子传感器器件被组织成传感器像素的电子可寻址、可控制和可读的阵列。
分子电子传感器器件纳米间隙漏电极源电极集成电路半导体芯片传感器阵列芯片传感器像素传感器阵列电子可寻址方法和装置测量分析探针分子可控制纳米级栅电极可读横跨

[发明专利]纳米间隙原位活化的复合阳极键合方法-CN201810183325.6有效
发明人：潘明强;孙立宁 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米间隙原位活化的复合阳极键合方法，包括放电活化工序及阳极键合工序，所述复合阳极键合方法的具体步骤包括：设置复合阳极键合参数；将硅片和玻璃片相互贴合叠放在固定工作台上，在被键合界面形成纳米间隙本发明先利用阳极键合初始界面的纳米间隙作为介质阻挡放电间隙完成活化工序，再通过切换电源直接完成阳极键合工序，实现了原位活化的阳极键合，与此同时，调整了对应的介质阻挡放电参数，显著降低了键合温度，实现了低温键合
纳米间隙原位活化复合阳极方法

[发明专利]金属光学超表面的制造-CN201980024530.0有效
发明人：格列布·M·阿克塞尔罗德;埃里克·爱德华·约斯伯格;马克·C·韦德曼 -专利权人：埃尔瓦有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G02B5/32 文献下载
摘要：第一铜层包括从所述背板结构垂直延伸的多个纳米间隙。所述多个纳米间隙填充有电介质材料。该方法还包括去除电介质材料和一部分导电阻挡层或电介质阻挡层，以暴露第一铜层的纳米间隙中的部分。该方法可以进一步包括在第一铜层的顶部和暴露的侧面部分上方沉积电介质涂层，以形成受保护的第一铜层；以及用具有电可调谐折射率的电可调谐电介质材料填充所述间隙。
金属光学表面制造

[发明专利]半导体装置-CN202210331167.0在审
发明人：徐崇威;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;余佳霓;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含位于第一装置区中的多个第一通道纳米结构以及位于第二装置区中的多个第二通道纳米结构。第一通道纳米结构设置于第一介电鳍片与第二介电鳍片之间。第二通道纳米结构设置于第一介电鳍片与第三介电鳍片之间。形成栅极介电层以围绕第一通道纳米结构的每一个及第二通道纳米结构的每一个。形成第一功函数层以围绕第一通道纳米结构的每一个。形成第二功函数层以围绕第二通道纳米结构的每一个。第一间隙存在于每个相邻的第一通道纳米结构之间，且第二间隙存在于每个相邻的第二通道纳米结构之间。
半导体装置

[发明专利]一种复合纳米抗菌剂及其应用-CN201610351201.5有效
发明人：鲁振坦;王栋;张佳琪;刘珂;刘琼珍;李沐芳;赵青华;蒋海青 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合纳米抗菌剂及其应用，属于抗菌材料和纳米材料领域。该复合纳米抗菌剂由金纳米粒子、光敏剂分子和聚合物构成，金纳米粒子为球状结构，在球状结构的径向方向向外分布有若干个光敏剂分子，所有的光敏剂分子围绕着金纳米粒子，也形成类似球状结构。且相邻的光敏剂分子之间存有间隙，每个光敏剂分子与金纳米粒子之间也存有间隙；每个光敏剂分子与金纳米粒子之间设置一个聚合物，且聚合物为链条结构，每条聚合物链条分别与每个光敏剂分子相对应，每条聚合物链条的一端连接着金纳米粒子本发明制备的复合纳米抗菌剂与纯有机光敏剂分子，卟啉类光敏剂相比，具有自增强的光动力学效果。
一种复合纳米抗菌剂及其应用

[发明专利]一种通过使用荫罩来制造纳米结构化的器件的方法-CN201780015770.5有效
发明人： P·克罗格斯拉普;C·马卡斯 -专利权人：哥本哈根大学
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N60/10 文献下载
摘要：一个实施方案涉及在细长纳米结构的表面层中原位制造势垒/间隙的方法，该方法包括以下步骤：在具有至少一个沉积源的真空室中在基底上提供至少一个细长器件纳米结构，在所述真空室中提供至少一个细长阴影纳米结构；和通过所述沉积源在器件纳米结构和阴影纳米结构的至少一部分上沉积至少第一刻面层，其中在沉积过程中设置该沉积源、该器件纳米结构和该阴影纳米结构，使得该阴影纳米结构覆盖并在该器件纳米结构的至少一部分上形成荫罩，由此在沉积在该器件纳米结构上的第一刻面层中形成间隙。
一种通过使用荫罩来制造纳米结构器件方法

[发明专利]一种制备纳米圆锥形蜂窝结构的方法-CN202111580560.5在审
发明人：赵晓宇;梁龙杰;温嘉红;张鉴;郭筱洁;王雅新;钟家松;张永军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备纳米圆锥形蜂窝结构的方法，本发明以有序聚苯乙烯小球阵列为基础，用旋涂的方法将PVA胶搭建在小球上，以控制小球间隙，在利用磁控溅射的方式向样品表面共溅射银、二氧化硅膜，去掉小球后，对样品进行化学腐蚀，形成蜂窝圆锥形纳米结构。本发明设计并制备得到了一种纳米蜂窝圆锥形阵列结构，这种结构大大增强了比表面积和纳米圆锥间的空腔和间隙，增强了其SERS强度。本发明采用了物理化学共同处理的手段。提出一个崭新的实验方案设计并制备了所要获得的纳米图案。
一种制备纳米圆锥形蜂窝结构方法

[发明专利]具有纳米级间隙的金属光栅结构表面增强拉曼基底及其制作方法-CN201810378609.0在审
发明人：金崇君;郑超群;刘文杰 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米级间隙的金属光栅结构表面增强拉曼基底及其制作方法。该表面增强拉曼基底将金属光栅结构转移到预拉伸的柔性衬底上形成的，具有纳米级间隙的金属光栅结构，金属光栅条之间的间隙可达到10nm及以下，可将入射光局域在一个亚波长尺寸的区域，增强吸附在表面增强拉曼基底结构表面的物质分子发出拉曼散射信号
表面增强拉曼金属光栅结构纳米级间隙基底拉曼散射信号分子检测基底结构金属光栅物质分子入射光亚波长预拉伸衬底吸附制作

[发明专利]纳米线隧道二极管及其制造方法-CN201080058846.0无效
发明人： M.博格斯特雷姆;M.赫尔林;S.费尔特 -专利权人：索尔伏打电流公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L29/885 文献下载
摘要：隧道二极管包括形成至少部分在纳米线（1）内的pn结（6）的p掺杂半导体区域（4）和n掺杂半导体区域（5）。优选地，纳米线（1）由形成同质结或者异质结隧道二极管的一种或者多种化合物半导体材料制成。异质结隧道二极管可以是类型I（跨骑间隙）、类型II（交错间隙）或者类型III（断裂间隙）。
纳米隧道二极管及其制造方法