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[发明专利]衬底上形成具有间隙等离子体纳米材料的方法、传感器-CN201910639618.5在审
发明人：吴兆鹏;胡志文;邱广宇;徐晨 -专利权人：香港城市大学;科竟达生物科技有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G01N21/45 文献下载
摘要：本申请提供的衬底上形成具有间隙等离子体纳米材料的方法、传感器，通过将金属纳米岛作为牺牲层，将晶格之间具有间隙的等离子体材料的纳米颗粒或者纳米结构形成在衬底上，进而制备出间歇等离子体纳米结构，可以用于生物传感器领域本申请一方面解决了目前尚未出现适用于生物传感器领域的具有间歇等离子体纳米结构的方法技术的问题，另一方面制作过程简单，并且采用的金属纳米岛可以在后期通过回收的方式循环利用，节约成本，此外即使用于非生物传感领域，本申请至少解决了目前等离子纳米结构需要采用金等贵重金属，成本过高，并且工艺复杂的问题，进一步降低了制作成本和原材料成本。
衬底形成具有间隙等离子体纳米材料方法传感器

[发明专利]三维纳米结构氚伏电池-CN201910075577.1在审
发明人：伞海生;陈长松 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
三维纳米结构电池

[发明专利]一种利用物理性原理的纳米水蒸气助燃技术-CN202010949818.3在审
发明人：陈彬华 -专利权人：厦门市勋盛能源科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C10L1/10 文献下载
摘要：一种物理性的纳米水蒸气助燃技术属于纳米科技的应用领域，采用纳米技术以及射频技术，将单位水分子纳米化，使得纳米水分子远小于油分子，大小相当于油分子间的分子间隙。再利用钚元素和铱元素通过射频超导技术赋以每个纳米水分子能量，当物理性的纳米水分子燃油增强剂加入燃油后会在燃油分子间隙中迅速扩散成为纳米尺度的含水液体微粒，形成分散分布。
一种利用物理原理纳米水蒸气助燃技术

[发明专利]合金纳米颗粒及其制备方法和用途-CN202110761636.8在审
发明人：冯继成;刘柄言 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本发明提供合金纳米颗粒及其制备方法和用途，所述制备方法包括：将用于形成合金纳米颗粒的母体材料作为两个电极，两个电极的一端均连入同一谐振电路，两个电极的另一端相对设置并形成间隙，在载气氛围下，两个电极之间间隙中载气被击穿产生振荡放电电流，所述电极中材料气固转化生成所述合金纳米颗粒。本发明提供一种打破金属混溶极限的普适性高且易操作的制备合金纳米颗粒的方法，该方法制备二元至多元高熵合金的纳米颗粒，纳米颗粒尺寸小于100nm。该方法经济简单，效率高，无废弃物产生，无需添加任何液态试剂或前驱体，适用于多种金属单原子、原子团簇、不互溶金属和高熵合金纳米颗粒以及非晶合金纳米颗粒的合成。
合金纳米颗粒及其制备方法用途

[发明专利]一种复用式纳米透气口罩-CN202210052969.8在审
发明人：杨劲松 -专利权人：杨劲松
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： A41D13/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种复用式纳米透气口罩，由复用式口罩用纳米透气面料制备而成，所述复用式口罩用纳米透气面料包括PTFE纳米膜、外透气保护层、内透气保护层和粘胶层，所述PTFE纳米膜的内外两侧分别通过粘胶层而与内透气保护层和外透气保护层相粘接复合，所述粘胶层上若干个设有供气体在PTFE纳米膜与外透气保护层或内透气保护层之间流通的间隙。其中，外透气保护层和内透气保护层可以依次或者同步与PTFE纳米膜相粘接复合，避免了PTFE纳米膜直接受到摩擦和剐蹭，使得复合面料具有更好的可靠性和耐用性。而间隙的存在则大大提高了复合面料的透气性，增加了复合面料的适用范围，透气性好，质地轻薄，能够重复使用。
一种复用式纳米透气口罩

[发明专利]一种激光冲击优化TMDs等离激元光电晶体管性能的方法-CN202310242591.2在审
发明人：胡耀武;章泽群 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该方法包括：提供复合纳米结构层，复合纳米结构层包括二层金属纳米颗粒层和叠设于二层金属纳米颗粒之间的TMDs层；使用脉冲激光冲击对复合纳米结构层进行处理；对经过激光冲击的复合纳米结构层上形成金属电极，得到光电晶体管本技术方案中，通过采用上述激光冲击优化TMDs等离激元光电晶体管性能的方法，可以使得TMDs和金属纳米颗粒发生协同变形，减少纳米颗粒间隙，使得“间隙模式”LSPR的局域场增强效果进一步提升，并导致TMDs
一种激光冲击优化 tmds 离激元光电晶体管性能方法

[发明专利]具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法-CN201810400045.6有效
发明人：刘斌;韩涛;张荣;陶涛;谢自力;周玉刚;修向前;陈鹏;陈敦军;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。
圆台表面等离激元紫外LED器件电子阻挡层纳米结构纳米阵列出射制备垂直简化制备过程金属纳米阵列常规结构发光效率工艺结合金属薄膜三角阵列圆台斜面圆柱阵列紫外LED 传统的底面刻蚀源层填充侧面覆盖

[实用新型]一种三维纳米结构氚伏电池-CN201920132344.6有效
发明人：伞海生;陈长松 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：一种三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
一种三维纳米结构电池

[发明专利]用于受控和触发释放的纳米结构胶体体-CN201780036266.3在审
发明人：乔纳森·斯科林;西德尼·瓦斯腾豪特;彼得·亨德里克斯·特奥多鲁斯·福伦贝格;尼丁·乔普拉;伊哈卜·N·乌达;C·威廉·贡德拉克四世 -专利权人：沙特基础工业全球技术公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： A61K9/127 文献下载
摘要：该胶体体可以包括(a)响应性微米或纳米结构多孔壳，其由多个纳米材料和在微米或纳米材料之间形成的间隙限定；和(b)由响应性微米或纳米结构多孔壳限定的核。该壳负载有能够响应于刺激而从壳释放的活性剂。
纳米结构纳米材料多孔壳活性剂响应性间隙限定释放触发受控刺激响应

[发明专利]环形银纳米间隙阵列及其制备方法和用途-CN201810851178.5有效
发明人：朱储红;孟国文;胡小晔;王秀娟 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形银纳米间隙阵列及其制备方法和用途。间隙阵列为组成银纳米棒阵列的银纳米棒的侧面包覆有银纳米多孔管、根部竖立于银纳米凸环内，其中，银纳米棒长50‑1000nm、直径20‑300nm，根部的直径＜棒直径，其与凸环壁间距0.33‑30nm，凸环高70nm、环壁厚5‑25nm，密度为109‑1011/cm2，凸环的表面为银纳米颗粒膜；方法为先依次于通孔氧化铝模板的表面溅射银、原子层沉积氧化铝薄膜、蒸镀银膜和电沉积银纳米棒，再于得到的表面依次覆有银纳米颗粒膜、氧化铝薄膜和银膜、孔内壁依次覆有银纳米多孔管、氧化铝薄膜和银纳米棒的氧化铝模板的银膜表面电沉积铜膜后
环形纳米间隙阵列及其制备方法用途

[发明专利]直接连接到纳米间隙装置的酶突变体-CN202180034392.1在审
发明人：张丕明;S·B·哈里;K·程;雷明 -专利权人：通用测序技术公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C12Q1/6869 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生物分子电子传感的纳米间隙装置。
接连接到纳米间隙装置突变体

[实用新型]复合纳米发电机-CN201521077555.2有效
发明人：唐伟;王中林;刘龙;骆健俊;张弛 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及纳米新能源领域，公开了一种复合纳米发电机，该复合纳米发电机包括相互堆叠的压电纳米发电机和摩擦纳米发电机，所述压电纳米发电机与所述摩擦纳米发电机之间的间隙通过垫层来实现。该复合纳米发电机能够克服单独的压电纳米发电机的输出电压低、单独的摩擦纳米发电机的输出电流低的缺陷，并能够提高该复合纳米发电机的输出功率密度。
复合纳米发电机

[发明专利]具有三维金属纳米线电极形成沟道的生物传感器及其制造方法及具有该传感器的生物盘系统-CN200910001174.9无效
发明人：李炳喆;文盛昱 -专利权人：韩国科学技术研究院
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种生物传感器，包括：上基片，在其下表面具有多个金属纳米线和注入口，含有生物分子的样品通过该注入口注入；下基片，在其上表面具有大量金属纳米线；以及支撑构件，用于分别支撑上下基片，其间隙形成纳米沟道，其中所述上下基片上的金属纳米线形成三维金属纳米线电极。
具有三维金属纳米电极形成沟道生物传感器及其制造方法系统

[发明专利]长量程光学自参考位移传感器-CN202110371245.5有效
发明人：武京治;王艳红;杨恒泽;李孟委 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开长量程光学自参考位移传感器，包括由上至下依次的金膜层、上玻璃层、间隙层、下玻璃层和硅基底，金膜层用于通过电流，所述金膜层的厚度为100nm，所述金膜层上蚀刻有双纳米孔，双纳米孔包括两个相交的圆形纳米孔，所述双纳米孔下方的间隙层中对应设置有两个并排排列的效应块，该效应块为金纳米块。
量程光学参考位移传感器

[发明专利]一种发光二极管、电子设备及制造方法-CN201110274329.3无效
发明人：高成 -专利权人：协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：LED的流明效率还是较低的问题，其中，发光二极管的衬底上依次设置有第一导电类型半导体层、多量子阱结构和第二导电类型半导体层，其中，在第二导电类型半导体层内邻近多量子阱结构的位置，内嵌有多个相互之间具有间隙的纳米颗粒组，纳米颗粒组具有电介质的外表层，以及被外表层包裹的金属纳米颗粒内核，纳米颗粒组的间隙填充有第二导电类型半导体材料，由于紧邻多量子阱结构MQW插入金属内核-电介质外壳(core-shell)形式的纳米颗粒组
一种发光二极管电子设备制造方法