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[发明专利]基于锗纳米片的工作电极及其制备方法和生物光电探测器-CN202010906493.0有效
发明人：康建龙;张家宜 -专利权人：深圳万物传感科技有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于锗纳米片的工作电极，包括基底和设置于所述基底表面的锗纳米片层，所述锗纳米片层中的锗纳米片的横向尺寸范围为50～500nm，所述锗纳米片层中的锗纳米片的厚度小于等于20nm。本发明基于锗纳米片的工作电极属于首次探索利用锗纳米片的光电响应特征制备的工作电极，丰富了现有工作电极的种类。锗纳米片具有极高的环境稳定性，采用锗纳米片制得的工作电极也同样具有良好的环境稳定性，并且锗纳米片还具有较宽的光响应波长，对紫外、可见以及红外范围内的混合或单一光均具有良好的光电响应。本发明还提供了基于锗纳米片的制备方法和生物光电探测器。
基于纳米工作电极及其制备方法生物光电探测器

[发明专利]一种基于锗纳米线场效应晶体管的生物传感器、方法及应用-CN201510136798.7在审
发明人：许宝建;蔡奇;金庆辉;赵建龙;叶林;狄增峰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于锗纳米线场效应晶体管的生物传感器、方法及应用，其特征在于以具有锗纳米线沟道的锗纳米线场效应晶体管作为换能器，采用表面修饰剂对锗纳米线沟道进行功能化修饰以生成不同用途的生物传感器。依不同表面修饰剂对锗纳米线沟道表面进行功能化修饰有以下不同的应用：①PH检测，②免疫检测和③核酸杂交检测。本发明提供的基于锗浓缩技术的锗纳米线场效应晶体管生物传感器采用可与CMOS工艺兼容的锗浓缩技术，制备出锗纳米线可控，制备的锗纳米线为核壳结构，为锗纳米线的生化检测应用提供了良好修饰的平台。
一种基于纳米场效应晶体管生物传感器方法应用

[发明专利]一种硅锗纳米线的制作方法-CN201610613954.9在审
发明人：王勇;王瑛;丁超 -专利权人：东莞华南设计创新院;广东工业大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公布了一种硅锗纳米线的方法。其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片；(2)在该锗基片上生长40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A；(3)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层B；(4)在该锗基片上生长的40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层C；(5)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层D；(6)在该基片上生长40纳米氮化硅介质层；(7)在该基片上采用电子束光刻与剥离的方法沉积40纳米宽的金属铂；(8)利用金属铂为掩膜，采用ICP刻蚀的方法，刻蚀氮化硅掩膜层、锗牺牲层B、硅锗沟道层B、锗牺牲层A、硅锗沟道层A和锗衬底；(9)去除金属铂；(10)采用选择性腐蚀的方法腐蚀锗牺牲层；(11)去除氮化硅掩膜层，形成双层硅锗纳米线。
一种纳米制作方法

[发明专利]一种多维锗纳米材料及其制备方法和应用-CN202210640203.1在审
发明人：杨维清;卿月;唐琪;白佳;刘妍 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多维锗纳米材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：将铜纳米材料、碘化亚锗与溶剂混合后，于100‑200℃反应2‑10h，其后经洗涤、干燥，即得。本发明的制备方法是一种快速、简便、可大规模使用的方法，选择不同形貌的铜纳米材料前驱体(铜纳米线、铜纳米锥、铜纳米颗粒或铜纳米片)可获得包括锗纳米线、锗纳米锥、锗纳米颗粒及锗纳米片的多种形貌的锗纳米材料。
一种多维纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]基于二维磷化锗的可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器-CN202210226914.4在审
发明人：肖静;高志刚;王聪;张晗;郭佳 -专利权人：泰山学院;深圳瀚光科技有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维磷化锗的可饱和吸收体及其制备方法、光纤激光器，其中，制备方法，包括以下步骤：研磨磷化锗，并加入N‑甲基吡咯烷酮NMP溶剂；将磷化锗与NMP溶剂的混合浆液进行超声处理，得到磷化锗纳米片/NMP溶液；将磷化锗纳米片/NMP溶液进行离心处理，得到磷化锗纳米片，通过基于二维磷化锗的可饱和吸收体的制备方法能够使磷化锗的层数大大减少，可得到的磷化锗纳米片，磷化锗纳米片的二维尺寸足够小，具有强饱和吸收特性，相对于其它二维材料，磷化锗具有较低的饱和强度，磷化锗纳米片可以作为优秀的饱和吸收体，用于激光器中超短脉冲的产生。
基于二维磷化饱和吸收体及其制备方法光纤激光器

[发明专利]基于锗纳米片的甲酸气体传感器和应用-CN202011186165.4在审
发明人：许翡翠 -专利权人：深圳瀚光科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于锗纳米片的甲酸气体传感器，包括绝缘基底以及设置于所述绝缘基底上的锗纳米片层和对电极，所述对电极设置于锗纳米片层的两端，且所述对电极设置成通过锗纳米片层电导通。本发明基于锗纳米片的甲酸气体传感器具有特异性强，仅能与甲酸气体相互作用并引起锗纳米片层的电阻值变化，对其它气体不起作用。本发明基于锗纳米片的甲酸气体传感器还具有检测限高的优点，对于ppm级别极低浓度甲酸气体即可引起锗纳米片层的电阻值变化。本发明基于锗纳米片的甲酸气体传感器还具有成本低、检测速度快等优点。本发明还提供了基于锗纳米片的甲酸气体传感器在甲酸气体检测上的应用。
基于纳米甲酸气体传感器应用

[发明专利]一种锗酸钙纳米片的制备方法-CN201610300899.8有效
发明人：赵九蓬;刘旭松;李垚 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： C01G17/00 文献下载
摘要：一种锗酸钙纳米片的制备方法，本发明涉及锗酸钙纳米片的制备方法。本发明要解决目前锗酸钙纳米材料的制备工艺复杂，不可控制，产量少，产物纯度低且无法实现纳米片结构制备的技术问题。方法一、处理泡沫金属基板；二、制备水热前驱液；三、水热合成锗酸钙纳米片；四、处理锗酸钙纳米片。本发明用水热合成的方法，首次制备出比表面积比纳米线大的纳米片结构，将在纳米光学器件、电子器件、电化学传感器件、晶体管等方面具有很好的应用前景，锗酸钙纳米片结构，填补了国际上锗酸钙纳米片制备的空白，对实现工业化生产有着重要的指导性作用本发明用于制备一种锗酸钙纳米片。
一种锗酸钙纳米制备方法

[发明专利]基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料及其制备方法-CN201510271326.2有效
发明人：王志勇;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料及其制备方法。在本发明的一实施方案之中，利用使用基于密度泛函理论的第一性原理方法，首先优化边缘氢化的理想锯齿形锗烯纳米带，然后研究异质掺杂对锯齿形锗烯纳米带自旋特性的影响，通过引入硼氮共掺杂并改变掺杂位置来调控锗烯纳米带的自旋特性，并与理想锯齿形锗烯纳米带作比较，从而得到具有半金属特性的锗烯纳米带。本发明无需通过加外电场或交换场等外场的作用来调节锯齿形锗烯纳米带的自旋特性，只需通过调节掺杂原子之间的距离就能够实现具有半金属特性的锗烯纳米带，从而可方便的实现基于锗烯纳米带的自旋电子器件。
基于锯齿形纳米金属材料及其制备方法

[发明专利]高密度锗纳米线的制备方法-CN201811245546.8有效
发明人：狄增峰;杨悦昆;薛忠营;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种高密度锗纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)提供一锗衬底，锗衬底包括相对的第一表面及第二表面；2)于锗衬底的第一表面生长石墨烯；3)于锗衬底的第一表面形成铟催化剂层，且铟催化剂层至少覆盖石墨烯；4)于铟催化剂层远离锗衬底的表面生长锗纳米线。本发明无需采用电子束蒸发的方式沉积金属，大大简化了锗纳米线制备的工艺流程，并降低成本，非常适合于大规模低成本的锗纳米线的制备；本发明采用铟作为催化剂生长的锗纳米线具有较高的长宽比，同时具有较高的表面密度，这些特点使得该方法更便于锗纳米线的转移与应用，从而为基于四族纳米线的器件制备奠定工艺基础；同时，本发明制备的锗纳米线具有很好的稳定性和重复性。
高密度纳米制备方法

[发明专利]锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法-CN200910024599.1有效
发明人：叶敏华;施毅;濮林;徐子敬;张荣;郑有炓 -专利权人：施毅
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明的锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜主要由硅纳米线阵列和锗纳米点组成，所述锗纳米点分布在硅纳米线阵列的硅纳米线上。其制备方法主要包括：利用P型或N型单晶硅，多晶硅做原始材料，利用刻蚀法制备大面积硅纳米线阵列。然后使用低压化学气相沉积技术，使用锗烷为气源，在大面积硅纳米线阵列衬底上制备锗点。是一种锗纳米点层数多、光效率高的大规模锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜产品，特别有利于进一步生产高效的光电子器件。其生产方法还具有生产设备成本低、生产效率高，产品成本可大幅度降低等优点，易于和现有的硅薄膜器件工艺结合，是生产锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜的一种优选方法。
纳米阵列结构薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于异质叠层非晶薄膜供给的平面锗硅及相关纳米线生长形貌和组分调控的方法-CN201710653561.5有效
发明人：余林蔚;赵耀龙;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，以硅锗体系为例，通过非晶硅(a‑Si)/非晶锗(a‑Ge)叠层薄膜作为前驱体，制备出自发相分离的硅锗岛链纳米线结构，采用叠层非晶薄膜作为前驱体层，通过金属液滴的吸收和平面纳米线生长过程，实现自发相分离的平面硅锗纳米线，其形貌可通过叠层的厚度以及叠加次序加以控制，调控为硅锗岛链结构；其中，当非晶锗层处于底部即a‑Si/a‑Ge结构时，硅锗纳米线中较宽的岛区为锗高浓度区域，而较细的纳米线连接为硅高浓度区域；或通过相反的叠加次序实现直径较为均匀的硅锗合金纳米线结构，或者其中包涵微区间隔的“硅‑锗”交替区域结构。
一种基于异质叠层非晶薄膜供给平面相关纳米生长形貌组分调控方法

[发明专利]一种锗纳米线叠层结构的制作方法-CN201310741585.8有效
发明人：王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延单晶锗硅层与锗层；对锗硅层与锗层进行光刻和刻蚀，获得锗硅线条／锗线条的周期结构；在纯氧气氛下对锗硅线条／锗线条的周期结构进行氧化，将锗硅层中的硅组分被选择性氧化为二氧化硅，同时使锗硅层中的锗组分析出到锗层中；利用氢氟酸进行选择性刻蚀，将二氧化硅溶解，获得锗纳米线叠层结构。本发明提供的锗纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。
一种纳米线叠层结构制作方法

[发明专利]一种锗镓纳米线作为锂离子电池电极材料的应用-CN201810124313.6有效
发明人：于兆亮;孟祥东;王多;李海波;孙萌;尹默;袁梦 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗镓纳米线作为锂离子电池电极材料的应用，所述锗镓纳米线化学组成上包括单质锗和单质镓，所述锗镓纳米线中单质锗和单质镓的原子比为(4～9)：1。本发明以锗镓纳米线作为锂离子电池的电极材料，能够改善锂离子电池的电池循环性能与倍率性能。
一种纳米作为锂离子电池电极材料应用

[发明专利]基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片-CN202210591840.4在审
发明人：束方洲;吕旺泽;陶一;张冬芹 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片，包括衬底及形成于衬底表面的硅与锗锑碲复合纳米柱阵列；所述硅与锗锑碲复合纳米柱阵列包括多个周期性排布的硅与锗锑碲复合纳米柱，所述硅与锗锑碲复合纳米柱自下而上为硅、锗锑碲、硅三层纳米柱结构，所述硅与锗锑碲复合纳米柱三层的横截面都为矩形且尺寸相同；所述红外窄带滤光片的工作波长可通过锗锑碲相变动态调节。本发明在红外波段可以实现反射型窄带滤光片，并且滤光片的工作波长可以通过锗锑碲相变动态调节。
基于锗锑碲复合纳米阵列调谐红外窄带滤光

[发明专利]一种电泳-电沉积制备碳/锗叠层复合负极材料的方法-CN201410226638.7有效
发明人：赵九蓬;李垚;张译文;郝健 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种电泳‑电沉积制备碳/锗叠层复合负极材料的方法。本发明的制备方法如下：先将乙炔黑或碳纳米管做前处理然后电泳在铜箔上形成碳薄膜，配制含有锗的离子液体电解液，在手套箱内完成在碳薄膜上沉积稳定性较好的锗纳米颗粒薄膜，然后吸去多余的离子液体，反复清洗沉积物并进行干燥处理碳/锗复合负极材料，然后重复交替沉积制备乙炔黑或碳纳米管碳薄膜和锗纳米颗粒薄膜即可以得到碳/锗叠层复合负极材料。本发明选用乙炔黑或碳纳米管与锗纳米颗粒薄膜复合，碳/锗叠层复合负极材料的制备成功的在室温下将碳薄膜材料与锗纳米颗粒薄膜复合在一起，制备出叠层结构且性能良好的碳/锗复合负极材料。
一种电泳沉积制备锗叠层复合负极材料方法

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