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[发明专利]硅和硅锗纳米线的形成-CN201310594134.6有效
发明人：江国诚;卡洛斯·H·迪亚兹;让-皮埃尔·科林格 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：例如，利用一个或多个硅和硅锗叠层，以形成包括锗纳米线沟道的PMOS晶体管和包括硅纳米线沟道的NMOS晶体管。在一个实例中，氧化第一硅和硅锗叠层，以将硅转化为氧化硅区，去除氧化硅区以形成PMOS晶体管的锗纳米线沟道。在另一个实例中，去除第二硅和硅锗叠层内的硅锗层，以形成NMOS晶体管的硅纳米线沟道。具有锗纳米线沟道的PMOS晶体管和具有硅纳米线沟道的NMOS晶体管作为单次制造工艺的一部分而形成。
纳米形成

[发明专利]一种可稳定纳米锗的锗纳米颗粒制备方法-CN201210215344.5无效
发明人：杨培慧;尹华斌;张林;骆健俊;蔡继业 -专利权人：暨南大学
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开一种可稳定纳米锗的锗纳米颗粒制备方法。所述制备方法为将GeO2溶于碱液中，得到锗酸根离子前驱液，然后加入生物相容的天然生物大分子，高速搅拌混合，得到反应物溶液后在高速搅拌的条件下与还原剂混合反应，最后将还原反应液经过透析袋透析处理，离心冷冻干燥，得到所述锗纳米颗粒。所述锗纳米颗粒具有良好的分散性和较小的粒度，形貌规整，并具有良好的水溶性和生物相容性。本发明所述的制备方法采用生物相容性好的天然大分子作为锗纳米颗粒合成过程中的稳定剂，解决了现有技术的锗纳米颗粒合成过程中原料有毒、条件苛刻的问题，提供了一种温和的合成路线，同时提高了锗纳米颗粒的稳定性，改善产品的水溶性和生物相容性
一种稳定纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法-CN201410482922.0有效
发明人：狄增峰;叶林;许宝建;蔡奇;王刚;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，包括步骤1）提供SGOI衬底结构；2）刻蚀SiGe层，形成SiGe纳米线阵列；3）对步骤2）的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO2层包裹的锗纳米线阵列；4）去除包裹在纳米线两端表面的SiO2层，裸露出锗纳米线的两端；5）在锗纳米线的延长线上沉积金属引线、源极电极和漏极电极，在硅衬底上制作栅极电极；6）在步骤5）的结构表面形成Si3N4保护层；7）去除纳米线图形区域和金属电极图形区域内的Si3N4保护层，直至完全露出锗纳米线、源极电极和漏极电极。本发明的锗纳米线基于自上而下的方法，工艺过程简单，可控性强，与传统的CMOS工艺完全兼容，成本较低，适于工业生产。
一种纳米场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法-CN201510073797.2有效
发明人：罗林保;卢瑞;郑坤;邹宜峰;王先贺 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法，其特征是以N型锗基底层作为光电探测器的基区，在N型锗基底层的正面蒸镀绝缘层；在N型锗基底层的上表面设置N型锗纳米锥阵列；将P型石墨烯转移到覆盖绝缘层的N型锗纳米锥阵列上；在P型石墨烯上旋涂氧化铟锡纳米颗粒，实现基于P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结的光电二极管。本发明中的红外光电探测器通过利用锗纳米锥阵列的结构以及ITO纳米颗粒的表面等离子体共振的特性，增强了对光的吸收，提高了对光的响应度；本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备光吸收能力强、光电转换效率高的红外光电探测器，为锗纳米锥阵列结构在光电探测器的应用中奠定了基础。
一种石墨纳米阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种硒化锗纳米材料的制备方法以及硒化锗纳米材料的应用-CN202111316172.6在审
发明人：赵志成;李顺;刘勇;张双猛;罗睿杰 -专利权人：佛山（华南）新材料研究院
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化锗纳米材料的制备方法以及硒化锗纳米材料的应用。，然后将反应混合物在高温下以及惰性气体环境下回流，冷却室温后，依次使用丙酮、酒精以及去离子水进行洗涤，干燥，得到硒化锗纳米颗粒。本发明的硒化锗纳米材料的制备方法将硒脲和GeI4在油胺溶剂下，在高温下进行氧化还原反应，合成了硒化锗纳米颗粒，冷却室温后，经过丙酮、酒精、去离子水三种溶剂洗涤后，干燥得到硒化锗纳米颗粒材料，整个制备方法操作简单，环保无污染，易于工业化生产。本发明的硒化锗纳米材料的应用为降解有机污染物。
一种硒化锗纳米材料制备方法以及应用

[发明专利]电极材料的制备方法、电极材料及储能装置-CN202310977323.5在审
发明人：易典;王荣福;谢加鹏;袁昌理;朱海峰 -专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：该电极材料的制备方法包括如下步骤：在衬底上形成催化层；在衬底上沉积碳原子，基于催化层形成碳纳米管；在碳纳米管上沉积锗原子，基于碳纳米管形成位于碳纳米管的管壁上的锗膜层；以及，在锗膜层上沉积锡原子，基于锗膜层形成层叠设置于锗膜层上的锡膜层
电极材料制备方法装置

[发明专利]掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长及拉曼光谱表征方法-CN201510098596.8有效
发明人：何亮;麦立强;熊彪;杨枭;郝志猛;罗雯 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明专利提供了一种掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长方法及拉曼光谱表征方法，以GeH4/H2作为锗纳米线生长的前驱体，以PH3/Ar作为掺杂源气体，在金纳米颗粒的催化下，利用低压化学气相沉积(LPCVD)于低温下在硅基板上制得大面积的有序高密度掺杂磷的N型锗纳米线，所述金纳米颗粒通过电子束蒸发获得；所述掺杂磷的N型锗纳米线通过拉曼光谱进行表征。本发明专利利用半导体领域的相关技术和微纳米结构的合成方法，能在低温低压条件下于硅基板上获得高密度大面积的锗纳米线阵列，工艺简单，并可利用拉曼光谱对掺杂磷后的锗纳米线进行有效的表征。
一种掺杂纳米低温低压生长方法光谱表征

[发明专利]用于产生固有压应变的富集半导体纳米带-CN202211233120.7在审
发明人： A·阿格拉瓦尔;A·穆尔蒂;J·T·卡瓦列罗斯;R·K·保罗;G·杜威;成承训;S·高斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的发明名称是“用于产生固有压应变的富集半导体纳米带”。本文中提供了形成具有应变沟道区的半导体器件的技术。在示例中，可形成硅锗（SiGe）或锗锡（GeSn）的半导体纳米带，并且随后退火以沿着半导体纳米带的一部分向内驱动锗或锡，从而沿着一个或多个纳米带的长度增加通过中心部分的锗或锡浓度。具体而言，纳米带可具有在纳米带一端的具有第一锗浓度的第一区域、在纳米带另一端的具有基本相同的第一锗浓度（例如，在5%内）的第二区域以及在第一和第二区域之间具有高于第一浓度的第二锗浓度的第三区域。材料成分沿着纳米带长度的变化（梯度）赋予压应变。
用于产生固有应变富集半导体纳米

[发明专利]一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置-CN202111031851.9有效
发明人：孙翠翠 -专利权人：山东交通学院
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于材料制备技术领域，公开了一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置，箱体正面设置有中央控制器和观察窗，操作平台左侧设置有外延制备平台；操作平台上侧设置有可滑动支架，可滑动支架最下端安装激光原子发生器；外延制备平台用于通过外延法制备锗烯纳米带、分割成锯齿形边缘的锗烯纳米带、纳米带掺杂硼氮原子，外延法制备锗烯纳米带的原理是在一个晶格结构上通过晶格匹配生长出另外一种晶体。本发明无需通过加外电场或交换场等外场的作用来调节锯齿形锗烯纳米带的自旋特性，只需通过调节掺杂原子之间的距离就能够实现具有半金属特性的锗烯纳米带，从而方便的实现基于锗烯纳米带的自旋电子器件。
一种基于锯齿形纳米金属材料制备装置

[发明专利]利用氧化铝模板生长锗纳米线的方法-CN02136111.8无效
发明人：黄靖云;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2002-07-17 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明的利用氧化铝模板生长锗纳米线的方法包括首先采用阳极氧化的方法制备纳米多孔氧化铝模板，模板上的纳米孔径的孔为六角柱形并与模板面垂直呈有序并行排列，然后在纳米多孔氧化铝模板的背面生长一层金膜作为催化剂，再把镀金的纳米多孔氧化铝模板放入化学气相沉积装置的生长室，以高纯锗烷为生长气源，氮气为保护气体，在500～800℃温度下反应生长锗纳米线。用本发明方法生长纳米锗线的直径和长度可控，并可以得到阵列化的纳米锗线。
利用氧化铝模板生长纳米方法

[发明专利]锗粘胶纤维及其制备方法-CN201010511024.5有效
发明人：逄奉建;张志鸿;曹其贵;刘建华;姜明亮;王东;秦翠梅;于万永 -专利权人：山东海龙股份有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： D01F2/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗粘胶纤维，由麻浆粕和纳米锗矿石为原料制备而成，纳米锗矿石的含量为成品锗粘胶纤维重量的1％～30％，经锗矿石浆料的制备、溶解粘胶的制备、锗浆料的制备、粘胶纺丝原液的制备、纺丝及后处理及烘干工艺，得到锗粘胶纤维，采用麻浆和纳米级锗矿石作为原材料，作为原材料的麻浆和锗矿石为可再生资源，粘胶纤维的织物废弃后，可以生物降解，不会对环境造成积聚性的影响，环保，纳米级锗粒径小，在纤维中分散均匀，采用了粘胶
粘胶纤维及其制备方法

[发明专利]具有锗扩散纳米带沟道结构的全环栅集成电路结构-CN202111385884.3在审
发明人： A·C-H·韦;G·布歇;J·T·卡瓦列罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：描述了具有锗扩散纳米线/纳米带沟道结构的全环栅集成电路结构，以及制造具有锗扩散纳米线/纳米带沟道结构的全环栅集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括在子鳍状物结构上方的纳米线的垂直布置，其中，纳米线的垂直布置中的各个纳米线包括硅和锗，并且其中，子鳍状物结构在子鳍状物结构的顶部处具有比在子鳍状物结构的底部处相对更高的锗浓度。
具有扩散纳米沟道结构全环栅集成电路

[发明专利]以锗酸根离子水溶性前驱体制备锗材料的方法-CN201010594317.4有效
发明人：敬承斌;聂荣志;臧晓丹;单海洋;王伟;姜迎静;李毅;褚君浩 -专利权人：敬承斌
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明涉及锗材料的制备方法，特别是锗纳米粉体和锗膜的制备，属于无机材料技术领域。所述的锗材料包括锗纳米粉体、锗薄膜和锗多孔膜材料等，其中，锗纳米粉体的制备方法是利用锗酸根离子水溶性前驱体与硼氢化钠反应，将反应产物离心、洗涤、干燥后，经进一步热处理即得。本发明采用锗酸根离子水溶性前驱体制备锗材料，前驱体用二氧化锗溶于碱性溶液即可获得，二氧化锗价格便宜，无毒无污染，特别适合工业化生产；还原剂采用硼氢化钠，相对于钠和金属萘化合物等还原剂，其反应过程温和，而且常温常压下就能反应；解决了锗材料制备中成本高，工艺过于复杂以及潜在安全隐患多等问题。
酸根离子水溶性前驱体制材料方法

[发明专利]一种锗‑碳氮纳米复合材料的制备方法及其应用-CN201510564252.1有效
发明人：霍开富;王蕾;彭长健 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗‑碳氮纳米复合材料及其制备方法，先将氧化锗纳米线均匀分散于液态有机酯，加入吡咯、聚乙酸乙烯酯以及氧化性金属氯盐，搅拌充分反应生成氧化锗‑碳氮复合前体；然后在还原性气氛中600℃～1000℃煅烧，得到锗‑碳氮纳米复合电极材料；制备所得的锗‑碳氮纳米复合材料中，锗纳米粒子以一定的距离相互分隔，分段填充于碳氮纳米管内部，形成豆荚状结构。通过本发明，制备了一种可应用于锂离子电池的复合材料，材料中的不连续锗颗粒之间的孔隙，有效缓冲锗充放电过程中产生的体积变化，同时碳氮层的包覆有利于减小接触电阻和形成稳定的固体电解质界面，提高电极的电子导电率和电化学稳定性
一种纳米复合材料制备方法及其应用

[发明专利]基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法-CN200710131530.X无效
发明人：施毅;闾锦;陈裕斌;左正;濮林;张荣;韩平;顾书林;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH₄或乙硅烷Si₂H₆采用低压化学气相外延方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH₄采用低压化学气相外延技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。
基于锗硅异质纳米结构挥发存储器制备方法