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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]纳米结构-CN201410370989.5在审
发明人：金俊亨 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米结构、其制造方法、及利用此纳米结构的应用装置。此纳米结构包括：一基板；多个连接分子(linker)，形成于基板上；以及由与连接分子键结的多个金属离子所形成的一或多个金属纳米粒子。在此纳米结构中，金属离子可具有约0.5～3.0nm的一平均粒径。
纳米结构

[发明专利]纳米结构-CN201880035485.4在审
发明人： B·O·M·费姆兰;H·韦曼;D·任 -专利权人：挪威科技大学
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种物质组合物，其包含至少一种纳米结构，该纳米结构外沿地生长于视情况掺杂的β‑Ga
纳米结构物质组合物掺杂的衬底外沿生长

[发明专利]纳米结构-CN01809009.5无效
发明人： K·W·德佩尔特;C·M·H·马努松;L·I·萨米尔松;T·J·克林克 -专利权人：英国技术集团国际有限公司
申请日： 2001-05-04 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种产生纳米结构的快速方法，该方法包含以下步骤：通过用印模接触区域来传递电荷在第一材料的表面(1)上形成一个或多个荷电区域(5)，提供第二材料的荷电纳米颗粒(7)，和允许颗粒在该区域附近流动以被淀积在该区域上
纳米结构

[发明专利]纳米结构和纳米结构的制造方法-CN200810099248.2有效
发明人：元井泰子;玉森研尔;王诗男;奥贯昌彦;小野治人;饗场利明;吉松伸起 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了纳米结构和纳米结构的制造方法。该纳米结构的制造方法制造在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构以及具有高深宽比和纳米量级的图案的纳米结构。在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构，其中，所述纳米结构被配置成在图案的表面上包含Ga或In，并且Ga或In的浓度最大值位于在衬底深度方向上的图案表面的50nm内。
纳米结构制造方法

[发明专利]形成纳米结构的方法和纳米结构-CN200810083086.3有效
发明人：郑雅如;金昊辙;R·D·米勒 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：公开了一种形成纳米结构的方法和纳米结构。提供第一嵌段共聚物。提供具有高能中性表面层的衬底，该表面层具有至少一个整体布置在其上的沟槽，该沟槽具有侧壁。在沟槽内部形成第一嵌段共聚物的第一膜。组装第一嵌段共聚物的成线微畴，并且在第一膜内形成第一自组装结构，该第一自组装结构与侧壁垂直而与表面层平行。从第一膜中去除至少一个微畴，使得取向结构保留在沟槽中，其中该取向结构垂直于侧壁而与表面层平行。组装第二嵌段共聚物的成线微畴，并在第二膜内形成第二自组装结构，第二自组装结构的取向为垂直于取向结构而与侧壁平行。
形成纳米结构方法

[发明专利]包括纳米结构的分析设备-CN201480074593.4在审
发明人： E.迪法布里齐奥;A.弗拉塔洛克奇;J.S.托特罗贡戈拉;M.L.科卢乔;P.坎德洛罗;G.卡达 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：用于检测样品中的分析物的设备，包括：包含多个像素的阵列，各像素包括纳米链，该纳米链包含第一纳米结构、第二纳米结构和第三纳米结构，其中第一纳米结构的尺寸大于第二纳米结构的尺寸，且第二纳米结构的尺寸大于第三纳米结构的尺寸，且其中该第一纳米结构、第二纳米结构和第三纳米结构被置于基底上使得当该纳米链被能量激发时，第二纳米结构和第三纳米结构之间的光场强于第一纳米结构和第二纳米结构之间的光场，其中该阵列可被配置为接收样品；和设置为从该阵列的多个像素收集光谱数据的检测器
包括纳米结构分析设备

[发明专利]具有悬垂的增溶部分的热稳定聚硫醇配体-CN202180080132.8在审
发明人：戴维·奥尔迈耶;拉维苏巴什·坦吉拉拉;奥斯汀·史密斯 -专利权人：纳米系统公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了纳米结构组合物和制备纳米结构组合物的方法。纳米结构组合物包含纳米结构群，纳米结构包含具有悬垂部分的聚硫醇配体。具有悬垂部分的聚硫醇配体提高纳米结构在溶剂和树脂中的溶解性。本发明还提供了包含纳米结构组合物的纳米结构膜和使用纳米结构组合物制备纳米结构膜的方法。
具有悬垂部分稳定硫醇

[发明专利]纳米晶及纳米晶的制备方法-CN202010194535.2在审
发明人：汪均;袁秀玲;苏叶华;乔培胜 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米晶及其制备方法。该纳米晶包括第一纳米结构和多个第二纳米结构，第一纳米结构为InZnP/ZnSe，第二纳米结构为ZnS，第二纳米结构围绕第一纳米结构，且第二纳米结构的至少一部分不和第一纳米结构连接，且第二纳米结构的至少一部分和第一纳米结构连接，多个第二结构覆盖至少一部分第一纳米结构的表面。该纳米晶具有花朵状，更利于对其表面结构的设计和发光性能的优化。同时，制备该纳米晶的方法简单、可控，制备得到的纳米晶分散良好，尺寸均一，性能良好。
纳米制备方法

[发明专利]多官能配体用于改善量子点墨水的性能和稳定性的应用-CN201880079541.4有效
发明人： R·唐吉拉拉;A·史密斯;C·霍茨 -专利权人：纳米系统公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C09D11/037 文献下载
摘要：本发明提供了纳米结构组合物和制备纳米结构组合物的方法。所述纳米结构组合物包含含有多官能聚(环氧烷)配体的纳米结构群体。本发明还提供了包含所述纳米结构组合物的纳米结构膜和使用所述纳米结构组合物制备纳米结构膜的方法。
官能体用改善量子墨水性能稳定性应用

[发明专利]晶体管、半导体器件及其形成方法-CN202211067026.9在审
发明人：李达元;张文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了半导体器件，该半导体器件包括第一纳米结构；第二纳米结构，位于第一纳米结构下方，第二纳米结构在第二纳米结构的相对端部处具有垂直突起；栅极结构，设置在第一纳米结构和第二纳米结构上方，栅极结构在第一纳米结构和第二纳米结构之间延伸；以及源极/漏极区域，与栅极结构相邻，源极/漏极区域接触第一纳米结构和第二纳米结构。
晶体管半导体器件及其形成方法

[发明专利]用于改进量子点在树脂膜中的可靠性的硫醇化亲水性配体-CN201880048791.1在审
发明人： I·珍-拉·普兰特;王春明 -专利权人：纳米系统公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了纳米结构组合物和制备纳米结构组合物的方法。所述纳米结构组合物包含纳米结构群，所述纳米结构群包含硫醇官能化配体以增加组合物在硫醇树脂中的稳定性。本发明还提供了包含含有硫醇官能化配体的纳米结构群的纳米结构膜、以及使用这些纳米结构制备纳米结构膜的方法。
用于改进量子树脂中的可靠性硫醇亲水性

[发明专利]量子点-树脂浓缩物和预混物的酸稳定化-CN201880050865.5在审
发明人： A·史密斯;M·迪夫尼;D·奥尔梅杰 -专利权人：纳米系统公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供纳米结构组合物和制造纳米结构组合物的方法。纳米结构组合物包含纳米结构群、稳定添加剂和有机树脂。本发明还提供包含纳米结构层的纳米结构膜、和制备纳米结构膜的方法。
量子树脂浓缩物预混物稳定

[发明专利]碳纳米管复合材料及其制备方法-CN200810216587.4有效
发明人：范守善;姜开利;刘亮 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-09-30 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种碳纳米管复合材料，其包括：多个碳纳米管和多个纳米颗粒，其中，所述多个碳纳米管形成一碳纳米管结构，该纳米颗粒分布于该碳纳米管结构中。一种碳纳米管复合材料的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管结构；提供一纳米颗粒预制体；将碳纳米管结构与纳米颗粒预制体复合，形成纳米颗粒于碳纳米管结构中。
纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202210042629.7在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：集成电路包括第一纳米结构晶体管和第二纳米结构晶体管。当形成集成电路时，片间填充层沉积在第二纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间。第一栅极金属层沉积在第一纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间，同时片间填充层沉积在第二纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间。片间填充层用于确保第一栅极金属不会沉积在第二纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间。集成电路包括：包括多个第一半导体纳米结构的第一纳米结构晶体管；包括多个第二半导体纳米结构的第二纳米结构晶体管；位于第二半导体纳米结构之间的片间填充层；以及位于第一半导体纳米结构之间和在第二半导体纳米结构的侧面上的第一栅极金属层
集成电路及其形成方法

[发明专利]具有高性能热电性质的纳米结构-CN200880113050.3有效
发明人：杨培东;A·马宗达;A·I·霍赫鲍姆;陈仁坤;R·D·德尔加多 -专利权人：加州大学评议会
申请日： 2008-08-21 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/441 文献下载
摘要：本发明提供纳米结构，或者这种纳米结构的阵列，每个纳米结构包含粗糙表面，以及掺杂的或未掺杂的半导体。该纳米结构是一维(1-D)纳米结构，比如纳米线，或二维(2-D)纳米结构。该纳米结构可以被放在两个电极之间并用于热电发电或热电冷却。
具有性能热电性质纳米结构

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