专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]合金量子点、其制备方法以及应用-CN201911273156.6有效
  • 周健海;邵蕾;苏叶华 - 浙江纳晶科技有限公司
  • 2019-12-12 - 2023-10-24 - C09K11/02
  • 本申请公开了合金量子点、其制备方法以及应用。该合金量子点的制备方法包括以下步骤:S1,提供含CdSeS量子点的第一溶液,CdSeS量子点的平均粒径小于2nm;S2,将第一溶液、第一锌前体、第一镉前体、第一硒硫混合前体、第一溶剂混合进行反应,反应后得到含有CdZnSeS合金量子点的溶液。本申请提供的合金量子点的制备方法解决了现有技术中合成CdZnSeS合金量子点时,随着反应时间的进行荧光量子产率先变高后变低、荧光半峰宽先变窄后变宽的问题,从而制得荧光量子产率高、荧光半峰宽窄的合金量子点;本申请制得的合金量子点用于制备核壳量子点时,有利于获得单位吸光度镉含量低、荧光量子产率高的核壳量子点。
  • 合金量子制备方法以及应用
  • [发明专利]核壳结构量子点、其制备方法以及应用-CN201911278118.X有效
  • 高静;谢阳腊;乔培胜;刘俊娜;苏叶华 - 浙江纳晶科技有限公司
  • 2019-12-12 - 2023-04-28 - C09K11/02
  • 本申请公开了核壳结构量子点、其制备方法以及应用。其中,核壳结构量子点包括第一核壳量子点,其包括量子点核以及包覆在量子点核外的至少两内壳层,第一核壳量子点各层材料的禁带宽度沿径向由内向外依次增大;以及直接包覆在第一核壳量子点外的第一外壳层,第一外壳层材料的禁带宽度小于第一核壳量子点最外层材料的禁带宽度。第一核壳量子点的禁带宽度沿径向由内向外依次增大,也即壳材料的禁带宽度大于核材料的禁带宽度,电子和空穴被禁锢在核中,壳材料物理地把光学活性中心核与周围介质分开,可以提高量子点的抗水、氧稳定性;此外,在第一核壳量子点外生长了禁带宽度小的第一外壳层,可以有效抵抗光漂白,从而提升量子效率。
  • 结构量子制备方法以及应用
  • [发明专利]用于并行处理器中动态共享存储空间的方法及相应处理器-CN202211068433.1有效
  • 苏叶华 - 北京登临科技有限公司;上海登临科技有限公司
  • 2022-09-02 - 2022-12-02 - G06F12/0884
  • 本申请提供了用于在并行处理器中动态共享存储空间的方法及相应处理器,处理器本地存储器的存储空间的一部分作为本地内存使用,而另一部分作为高速缓冲存储器使用。处理器的访存控制单元根据收到的对本地内存大小和高速缓冲存储器大小的设置,分别更新本地内存和高速缓冲存储器在处理器的存储器中的起始位置;高速缓冲存储器根据高速缓冲存储器大小及其在处理器的存储器中的起始位置,确定各缓存块在存储器中对应的新的数据存储位置,并在各标签存储位置与各缓存块的新数据存储位置之间建立映射。该方案允许用户动态调整处理器中本地内存和高速缓冲存储器的存储空间大小,在改善处理器对于应用程序的执行性能的同时又不增加芯片面积和硬件成本。
  • 用于并行处理器动态共享存储空间方法相应
  • [发明专利]量子点核和核壳量子点的制备方法及量子点材料、组合物-CN202010013637.X有效
  • 乔培胜;吴洪剑;余文华;苏叶华 - 纳晶科技股份有限公司
  • 2020-01-07 - 2022-12-02 - C09K11/88
  • 本申请提供了一种量子点核的制备方法,包括以下步骤:制备第一复合物:将第一阳离子前体、第一配体、第二配体在第一温度下反应时间t1后得到第一复合物;制备第一溶液:将第二阳离子前体、第一阴离子前体、第二阴离子前体和第一溶剂混合并在第二温度下反应得到含有纳米团簇的第一溶液;制备第二溶液:将第三阳离子前体、第四阳离子前体、第三阴离子前体和第二溶剂混合并在第三温度下反应得到含有初始量子点第二溶液;制备第一混合溶液:将第一复合物、第一溶液、第二溶液混合,反应后得到含有量子点核的第一混合溶液;其中,第一配体为羧酸配体,第二配体为含膦配体。制备得到的量子点核具有优异的表面性能,也有利于后续壳层的包覆。
  • 量子制备方法材料组合
  • [发明专利]支持SIMT架构的高速缓冲存储器及相应处理器-CN202211068513.7有效
  • 苏叶华 - 北京登临科技有限公司;上海登临科技有限公司
  • 2022-09-02 - 2022-11-25 - G06F12/0884
  • 本申请提供了支持SIMT架构的高速缓冲存储器及相应处理器,包括控制器、标签存储单元、数据存储单元和用于保存标签与缓存块之间的映射关系的映射单元。对于接收到的访存请求,控制器在缓存命中时根据映射单元确定命中的标签所对应的缓存块;在缓存未命中时为该访存请求分配新标签来替换标签存储单元中的一个标签,为该访存请求分配新的缓存块,在映射单元中建立新分配的标签与缓存块之间的映射;将被替换的标签对应的缓存块设定为处于未与标签绑定的状态,但仍将其保留在数据存储单元中。该方案在不改变高速缓冲存储器的现有标签检索范围和存储空间的情况下,允许在高速缓冲存储器中无条件地暂存一条SIMT指令中所有线程的数据。
  • 支持simt架构高速缓冲存储器相应处理器
  • [发明专利]无镉量子点及其制备方法-CN201810903489.1有效
  • 高静;汪均;谢阳腊;乔培胜;余文华;李光旭;苏叶华 - 纳晶科技股份有限公司
  • 2018-08-09 - 2022-10-04 - C09K11/88
  • 本发明提供了一种无镉量子点及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:S1,将含III族元素前体、V族元素前体和第一配体的第一原料混合反应,得到III‑V族半导体纳米团簇;S2,将含II族元素前体、VI族元素前体和第二配体的第二原料混合反应,得到II‑VI族半导体纳米团簇;S3,将III‑V族半导体纳米团簇与II‑VI族半导体纳米团簇混合反应,得到III‑V‑II‑VI族量子点。上述方法通过将两种不稳定态的团簇的反应形成形貌均一的无镉量子点,通过实验证明该无镉量子点不仅能够具有较窄的半峰宽,还能够具有较高的发光效率。
  • 量子及其制备方法

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