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[发明专利]一种柔性电致变色薄膜及制备方法、电致变色器件-CN201610052580.8有效
发明人：俞书宏;王金龙;刘建伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性电致变色薄膜，包括柔性透明基底、银纳米线和氧化钨纳米线共组装的第一层纳米线薄膜、以及银纳米线和氧化钨纳米线共组装的第二层纳米线薄膜；所述第一层纳米线薄膜复合在柔性透明基底上；所述第二层纳米线薄膜交叉复合在所述第一层纳米线薄膜上本发明采用氧化钨纳米线对可见光具有较小的吸收，使共组装的纳米线薄膜具有良好的透过率，又采用具有良好的导电性的银纳米线，使共组装的纳米线薄膜具有良好的导电性，使共组装的纳米线薄膜能作为导电基底，克服了传统电致变色器件需要脆性ITO作为导电基底的限制；而且通过对银纳米线和氧化钨纳米线进行共组装制备纳米线薄膜，改变两种纳米线比例调节薄膜的透过率和导电性。
一种柔性变色薄膜制备方法器件

[发明专利]一种金属纳米线复合透明导电薄膜、其制备方法及应用-CN201510276448.0有效
发明人：金云霞;肖斐 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种金属纳米线复合透明导电薄膜，该复合透明导电薄膜依次包含基底层、金属纳米线薄膜层和多糖层。本发明还涉及上述金属纳米线复合透明导电薄膜的制备方法，包含制备多糖溶液、取金属纳米线溶液在基底层上刮涂成膜以及将多糖溶液涂覆于金属纳米线薄膜层表面等步骤。本发明以多糖类物质与金属纳米线薄膜进行复合，在提高了金属纳米线薄膜层与基底层之间的粘附性的同时，保持了金属纳米线薄膜层的导电性，还有利于提高整个金属纳米线复合透明导电薄膜的稳定性。本发明所提供的金属纳米线复合透明导电薄膜能很好地与光刻工艺兼容，易于制备得到图案化的金属纳米线复合透明导电薄膜。
金属纳米线复合透明导电薄膜制备薄膜层基底层多糖溶液电子材料技术导电性薄膜层表面多糖类物质光刻工艺多糖层图案化粘附性薄膜成膜刮涂涂覆兼容复合应用

[发明专利]纳米线薄膜及其制造方法-CN201010208087.3有效
发明人：许嘉麟 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：一种纳米线薄膜，其中，该纳米线薄膜包括第一基板以及依次层迭于该第一基板上的纳米线层、热塑性高分子膜层及第二基板，其中该纳米线层由多个纳米线组成，该纳米线的延伸方向平行于该第一基板。与现有技术相比，本发明所提供的纳米线薄膜具有大面积规则排列的纳米线，适合规模化生产。本发明还涉及该纳米线薄膜的制造方法。
纳米薄膜及其制造方法

[发明专利]银纳米线导电薄膜的制备方法-CN201910903370.9有效
发明人：陈建良;李奇琳;甘堃;陈超云 -专利权人：深圳市善柔科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供基板；将银纳米线墨水涂布在所述基板上，形成初始银纳米线薄膜；将所述初始银纳米线薄膜与含铵根离子和硼氢根离子的溶液混合处理，然后进行干燥处理，得到银纳米线导电薄膜。本发明的上述银纳米线导电薄膜的制备方法，通过利用铵根离子和硼氢根离子相结合以有效去除银纳米线表面的PVP，使银纳米线更好搭接，最终提高了银纳米线导电薄膜的导电性能。
纳米导电薄膜制备方法

[发明专利]一种适用于微型器件散热的超吸水柔性金属纳米线薄膜及其制备方法和应用-CN202211516264.3在审
发明人：赵强;冯庆贺;冯长勇;迟明路;王元利;杨富超;杜志勇 -专利权人：河南工学院
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于微型器件散热的超吸水柔性金属纳米线薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：步骤一，将金属纳米线溶液旋涂至基底材料；步骤二，静置纳米线溶液，去除多余水分，得到干燥纳米材料；步骤三，对干燥的纳米材料施加压力，使纳米材料相互接触；步骤四，采用飞秒激光辐照纳米材料，使纳米材料中的纳米线相互连接形成纳米线薄膜；步骤五，在纳米线薄膜表面压印盲孔；步骤六，将基底材料连同压印后的纳米线薄膜一起置于溶液中，基底材料溶化后，获得最终的纳米线薄膜。上述制备方法操作简单，薄膜易与基底分离，且纳米线薄膜质地柔软，吸水性强，极适用于高温微型器件的有效散热。
一种适用于微型器件散热吸水柔性金属纳米薄膜及其制备方法应用

[发明专利]大面积纳米启动宏电子衬底及其用途-CN03825485.9有效
发明人：段镶锋;牛春明;斯蒂芬·恩培多克勒斯;琳达·T·罗马诺;陈建;维坚德拉·萨赫尔;劳伦斯·伯克;戴维·斯顿博;J·瓦利亚塞·帕克;热·L·戈德曼 -专利权人：纳米系统公司
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：纳米线薄膜形成在衬底上。纳米线薄膜形成具有足够的纳米线密度，从而实现工作电流值。在纳米线薄膜中限定多个半导体区。在半导体器件区中形成接触，由此提供到多个半导体器件的电连接。此外，还公开了用于制造纳米线的各种材料，包括p掺杂纳米线和n掺杂纳米线的薄膜、纳米线异质结构、发光纳米线异质结构、用于在衬底上定位纳米线的流体掩模、用于淀积纳米线的纳米线喷射技术、用于减少或消除纳米线中的电子的声子散射的技术，以及用于减少纳米线中的表面散射的技术。
大面积纳米启动电子衬底及其用途

[发明专利]一种银纳米线薄膜及其焊接方法-CN201910130020.3有效
发明人：闫国栋;魏葳;梁雨轩;雷国伟;黄林泉;陈微微 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种银纳米线薄膜及其焊接方法，包括如下步骤：步骤1，配制银纳米线墨水：将银纳米线用HPMC水溶液分散，再加入分散剂、流平剂、表面活性剂和可焊接助剂，混合均匀，得到银纳米线墨水；其中，可焊接助剂为PVA、可溶性氯化盐或两者的组合；步骤2，制备银纳米线透明导电薄膜：在PET基底上刮涂银纳米线墨水，干燥，得到焊接前银纳米线薄膜，之后对焊接前银纳米线薄膜进行光子烧结。本发明采用将聚乙烯醇和/或氯化盐分散在银纳米线墨水中，在涂布薄膜后采取光照焊接的方法，降低银纳米线的节点电阻，提高银纳米线薄膜的耐弯折度，优化其雾度和透过率。
一种纳米薄膜及其焊接方法

[发明专利]一种银纳米线导电薄膜的处理方法-CN201610312744.6在审
发明人：刘举庆;黄维;刘洋;曹立君 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米线导电薄膜的处理方法，属于柔性电子材料与薄膜技术领域。该方法主要通过酸处理银纳米线导电薄膜，提高银纳米线导电薄膜的光电性能。本发明的处理方法具有以下优点：(1)工艺简单，容易操作；(2)高效去除银纳米线薄膜表面的氧化银；(3)改善了银纳米线薄膜表面平整度；(4)提高了银纳米线薄膜的导电性，降低了薄膜的方阻。
一种纳米导电薄膜处理方法

[发明专利]热电器件及其形成方法、感温传感器和热源图像传感器-CN201110090045.9无效
发明人：朴永森;张汶圭;玄荣勋;全明心;田尚熏;郑泰亨 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：该热电器件包括第一纳米线、第二纳米线、第一硅薄膜、第二硅薄膜和第三硅薄膜。第一纳米线和第二纳米线设置在基板上。第一纳米线和第二纳米线彼此分离。第一硅薄膜连接到第一纳米线的一端。第二硅薄膜连接到第二纳米线的一端。第三硅薄膜连接到第一和第二纳米线的另一端。第一和第二纳米线在平行于基板的上表面的方向上延伸。
热电器件及其形成方法传感器热源图像传感器

[发明专利]功函数可调的银纳米线复合透明导电薄膜的制备方法-CN201911080961.7有效
发明人：郭兴忠;白盛池;张燕;陈天锐;杨辉 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种功函数可调的银纳米线复合透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：透明导电薄膜衬底的清洗和亲水化处理；取银纳米线分散液涂布在亲水化处理后衬底上，干燥后获得银纳米线透明导电薄膜；将前驱体溶液涂布在银纳米线透明导电薄膜上，干燥后得到银纳米线复合透明导电薄膜；最后经热处理，获得功函数可调的银纳米线复合透明导电薄膜。本发明实现了对银纳米线透明导电薄膜功函数的调节。
函数可调纳米复合透明导电薄膜制备方法

[发明专利]银纳米线导电薄膜及其制备方法-CN201910903366.2有效
发明人：李奇琳;甘堃;陈超云 -专利权人：深圳市善柔科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01B5/02 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供基板；在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行第一干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚酰亚胺溶液，然后进行第二干燥处理，形成覆盖所述初始银纳米线薄膜的聚酰亚胺层，得到银纳米线导电薄膜。本发明通过涂布可溶的线性高分子聚酰亚胺层代替现有不可溶的体型高分子材料保护层，既可以很好地保护银纳米线，又可以使银纳米线与银浆搭接，保证银纳米线导电薄膜的导电性和可靠性。
纳米导电薄膜及其制备方法

[发明专利]银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201410235754.5有效
发明人：曲连杰;郭建 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置；银纳米线薄膜包括形成在基板上的银纳米线层和形成在所述银纳米线层上的保护层；银纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：在基板上形成银纳米线层；在所述银纳米线层上方形成保护层；通过一次构图工艺，形成银纳米线图案，所述银纳米线图案的上方有保护层覆盖。本发明通过在银纳米线薄膜的成膜工艺中添加银纳米线抗氧化处理工艺，可以减少由于银纳米线层放置时间过长引起的膜层氧化问题，同时可以增加银纳米线层的导电能力，提升产品性能和寿命。
纳米薄膜及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用-CN201911369982.0在审
发明人：曹国俊;杨宁宁;王成 -专利权人：海泰纳鑫科技（成都）有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01B5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在柔性基底上涂覆银纳米线分散液，加热烘干，银纳米线分散液在柔性基底表面固化成银纳米线薄膜；步骤2：在银纳米线薄膜上通过加压加温贴合离型膜，得到有离型膜保护的银纳米线透明导电薄膜。在离型膜的保护下，经高温加压处理后，银纳米线间紧密连接且银纳米线与柔性基底之间紧密连接，降低了银纳米线间节点连接电阻，从而提高了银纳米线柔性透明导电薄膜的透光率和导电性，并降低了其雾度。
一种纳米透明导电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种基于桥接生长的纳米线器件及其制备方法-CN201610213762.9有效
发明人：黄辉;渠波 -专利权人：黄辉;渠波
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于桥接生长的纳米线器件及其制备方法。本发明的一种基于桥接生长的纳米线器件，包括设置有凹槽结构的绝缘衬底、导电薄膜和纳米线，导电薄膜设置在凹槽结构的两个侧壁上，一个侧壁上的导电薄膜作为纳米线器件的源电极，另一个侧壁上的导电薄膜作为纳米线器件的漏电极，源电极与漏电极通过纳米线连接。其有益效果是：本发明的纳米线器件具有工艺简单、电接触性能良好的特点；在纳米线生长过程中即可完成纳米线器件的制备，省略了传统的纳米线剥离、转移和排列等步骤，消除了纳米线表面的污染和损伤，并改善了金属电极与纳米线之间的电接触特性
一种基于接生纳米器件及其制备方法

[发明专利]一种Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法-CN201710213902.7有效
发明人：岂云开;杨淑敏;顾建军 -专利权人：河北民族师范学院
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C25D11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法，所述Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜包括Co纳米层、Co纳米线和多孔氧化铝薄膜，所述Co纳米层位于所述多孔氧化铝薄膜的表面，所述Co纳米线位于所述多孔氧化铝薄膜的孔洞中，所述Co纳米层厚度、Co纳米线长度及Co纳米线的分布密度均从薄膜一端至另一端递减。本发明提供的Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜具有高饱和度虹彩渐变结构色和渐变的磁性，并且其制备方法简单，成本较低，在防伪、绘画、装饰、化妆品、显像技术、染料敏化和太阳能电池等领域具有广阔的用途
一种 co 纳米多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法

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