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[发明专利]硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极及制备与应用-CN201510727312.7有效
发明人：赵国华;张亚军 -专利权人：同济大学
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极及制备与应用，属于光电极材料领域。将具有可见光特性的硒化镉量子点均匀沉积包覆于二氧化钛纳米棒阵列基底电极表面，制备得到硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极。并将硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极用于光电催化生物质衍生物氧化促进制氢。与现有技术相比，本发明构筑出硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极光电催化生物质衍生物葡萄糖氧化促进制氢。硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极不仅呈现出优异光电化学性能和可重复性，而且具有超高的光电催化葡萄糖氧化制氢活性。
硒化镉量子点二氧化钛纳米棒敏化光电极异质结构制氢制备生物质衍生物葡萄糖光电催化二氧化钛纳米棒阵列光电化学性能基底电极表面光电极材料均匀沉积可重复性可见光电催化包覆应用构筑

[发明专利]一种多级纳米Sn基材料及其制备方法-CN201810698826.8有效
发明人：蒋海霞;柴思敏;陈民;林琳;易四勇 -专利权人：桑顿新能源科技（长沙）有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种多级纳米Sn基材料及其制备方法，其中：多级纳米Sn基材料具体为SnS2‑SnO2复合材料，其具有纳米棒‑纳米颗粒多级结构，纳米颗粒尺寸为10‑20nm，纳米棒长度为120‑150nm，粒径为15‑18nm。本发明还提供上述Sn基材料的制备方法，其是一种以有机硫源作为Sn源硫化处理的原料，采用共沉淀‑水浴法制备纳米棒‑纳米颗粒多级结构的SnS2‑SnO纳米结构的Sn基材料，降低制备成本，制备的纳米棒‑纳米颗粒状多级结构Sn基材料，可有效缓解材料在锂离子脱/嵌过程中存在的体积膨胀问题
一种多级纳米 sn 基材料及制备方法

[发明专利]一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法-CN200710072632.9有效
发明人：贾铮;刘静;沈炎宾 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C25B11/00 文献下载
摘要：一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法，本发明涉及一种纳米棒阵列电极的制备方法，具体涉及模板法生长的金属纳米棒经分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法。它克服了现有技术使纳米线电极丰富的电极表面积并未得到充分利用的缺陷。本发明提供的技术方案是：溶解掉模板法生长的金属纳米棒的模板，使纳米棒可以自由操纵；应用分散剂和超声处理，将纳米棒在溶剂中充分分散，避免团聚，形成单根纳米棒的分散溶液；通过调控分散溶液中纳米棒的浓度，实现以可控间距的方式将纳米棒修饰到基底电极表面上这样形成的金属纳米棒阵列电极，可以充分利用纳米棒丰富的表面积，只需组装极少量的纳米棒即可实现超高的扩散流量和法拉第电流，具有超高的电催化活性。
一种分散修饰纳米阵列电极制备方法

[发明专利]一种多孔氧化铁纳米棒阵列的制备方法-CN201310548602.6在审
发明人：俞红梅;张长昆;付丽;衣宝廉;邵志刚 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： C01G49/06 文献下载
摘要：该多孔α-Fe₂O₃具有规整有序的纳米棒阵列结构。利用水热合成方法制备出前躯体羟基氧化铁，然后通过焙烧得到多孔α-Fe₂O₃锥形纳米棒阵列结构。采用该方法制备的α-Fe₂O₃为多孔纳米棒状结构，纳米棒垂直于基底形成规则有序阵列结构。
一种多孔氧化铁纳米阵列制备方法

[发明专利]一种尼龙复合材料的改性与着色方法-CN201710455777.0有效
发明人：黄南婷;张刚;李海洋;雷兴伟;王洪伟;杨蕾;郑永华 -专利权人：江苏昇和新材料科技股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：一种尼龙复合材料的改性与着色方法，本发明采用氧化物/硫化物纳米材料对凹凸棒土进行修饰改性，通过钠盐结晶、碱液浸泡对凹凸棒土进行活化处理，然后采用纳米包覆改性方式将纳米氧化物或硫化物吸附在凹凸棒土孔道与表面，形成复合结构纳米材料，并将改性后的凹凸棒土纳米材料与尼龙制成各种有色母粒，并将不同颜色母粒与尼龙熔融共混，制得各色凹凸棒土/尼龙复合材料，通过该方法制备的纳米复合体相尼龙材料具有抗老化性能强、力学性能好
一种尼龙复合材料改性着色方法

[发明专利]一种NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构及其制备与应用方法-CN201410274016.1有效
发明人：郭挺;林元华;南策文 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明属于材料科学领域，特别涉及一种NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构及其制备与应用方法。本发明NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构为由NiO纳米纤维和Al掺杂的ZnO的纳米棒构成的毛刷状异质纳米结构；所述异质纳米结构是通过静电纺丝法制备NiO纳米纤维、在NiO纳米纤维的表面制备Al掺杂的ZnO纳米棒状、样品烧结制备得到的。所述NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构能够用于制备气敏传感器。实验结果表明基于ZnO和NiO异质纳米结构的气敏传感器对于三乙胺气体具有优异的灵敏度和很高的选择性。
一种 nio al 掺杂 zno 纳米结构及其制备应用方法

[发明专利]高产率大长径比金纳米棒及其制备方法-CN201210051218.0有效
发明人：肖蔓达;邵磊;王建方 -专利权人：纳米籽有限公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明申请提供一种高产率大长径比金纳米棒及其制备方法，在传统的种子生长法的生长溶液中添加少量具有较大头部基团的十六烷基铵类阳离子表面活性剂成分，该成分的加入可以在生长过程中部分取代吸附在金棒表面的十六烷基三甲基溴化铵双层结构，其较大的头部基团可以更加紧密的包裹住金纳米棒，从而有效抑制金棒裸露的侧面与生长溶液间的物质交换，而金棒顶点由于具有较大的曲率，其生长受此包覆作用的影响较小，净结果是得到细长的具有大长径比的金纳米棒；对于已合成的金纳米棒的纵向表面等离子体共振波长的连续调节，本发明申请采用四氯金酸作为氧化剂，使金纳米棒逐步变短而保持纳米棒直径不变。
高产长径纳米及其制备方法

[发明专利]一种Ni-NiO/C-TiO2-CN202110802841.4在审
发明人：高鹏;吴文博 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明涉及催化剂领域，针对贵金属掺杂改性光催化剂成本高的问题，提供一种Ni‑NiO/C‑TiO2核壳结构纳米棒状材料光催化剂的制备方法，包括以下步骤：将NTA和NiCl2·6H2O混合，水热法制得前驱体，前驱体在450‑500℃下惰性气体中煅烧2‑2.5小时，降温得棒状多孔Ni/C纳米棒复合光催化剂；利用ALD原子层沉积技术在Ni/C纳米棒上沉积层TiO2薄膜，制得Ni‑NiO/C‑TiO2核壳结构纳米棒状材料光催化剂本方法制备条件温和、纯度好，适合大规模制造，且制得的Ni‑NiO/C‑TiO2核壳结构纳米棒状材料光催化剂，具有较高的光催化活性。
一种 ni nio tio base sub

[发明专利]一种金纳米棒垂直阵列及其制备方法-CN201210206173.X有效
发明人：葛广路;魏文博 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种金纳米棒垂直阵列的制备方法以及通过该方法得到的金纳米棒垂直阵列。该方法包括：1）制备三甲基十六烷基溴化铵修饰的金纳米棒的水溶液，并通过离心复溶处理，使得所述水溶液中的三甲基十六烷基溴化铵的浓度为5-20umol/L，且金纳米棒的浓度为0.5-2nmol/L；2）将碳原子数为1-3的一元醇与碳原子数为9-12的烷基硫醇的混合液，与步骤1）得到的所述水溶液接触；3）将氯仿和/或二氯乙烷与步骤2）得到的混合液进行混合后，并静置，得到金纳米棒垂直阵列。采用本发明提供的方法，不仅能够获得毫米级超大规模且阵列结构规整的金纳米棒垂直阵列，而且还具有易于操作、条件温和、结构均一度高等优点。
一种纳米垂直阵列及其制备方法

[发明专利]一种陶瓷-金属复合基板制备工艺-CN201610283005.9有效
发明人：王文君;王双喜;张丹;欧阳雪琼 -专利权人：佛山市百瑞新材料技术有限公司
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：该复合材料基板由陶瓷片、金属粘结层和金属基板组成，其特征在于所述的制备工艺为，首先在陶瓷片和金属片的一面分别制备出带一定间距和尺寸的纳米棒阵列结构，然后向纳米棒表面沉积或化学镀低熔点金属或合金，最后将两个带纳米棒的表面在低温下叠合压紧，纳米棒与纳米棒在压力的作用下，相互交错插入，纳米棒表面低熔点金属相互渗透扩散形成熔化状态的共晶合金熔体，随后在室温下固化形成结构致密结合牢固的金属粘接层。
一种陶瓷金属复合制备工艺

[发明专利]一种镶嵌式TiO₂纳米棒簇周期阵列提高LED发光效率的方法-CN201711477355.X有效
发明人：尹正茂;代新博;杜芳林;王凯;李桂村;于立岩;王莉;石良 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镶嵌式TiO2纳米棒簇图形阵列提高LED发光效率的方法，包括以下步骤：(1)制备LED外延片；(2)在外延片的p型GaN层上制作光刻胶和SiO2双层周期孔图形模板；(3)刻蚀p型GaN周期孔；(4)制作周期排布的镶嵌式TiO2种子层；(5)用酸热法在p型GaN上生长镶嵌式TiO2纳米棒簇图形阵列；(6)蒸镀ITO；(7)制作具有p电极和n电极完整结构的同面电极LED管芯。本发明将TiO2纳米棒簇镶嵌入p型GaN层来提高TiO2纳米棒簇在LED上的牢固性，通过TiO2纳米棒簇图形阵列的光散射作用增加光的提取，利用TiO2纳米棒簇之间的ITO网络结构来保持高的扩展电流，显著提高
纳米棒簇镶嵌式图形阵列电学性能发光效率完整结构网络结构制作周期周期阵列光刻胶光散射孔图形牢固性外延片种子层电极刻蚀排布酸热同面蒸镀制备制作镶嵌生长

[发明专利]陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO₂传感器的制备方法-CN201510807930.2在审
发明人：梁继然;李文娇;刘俊峰;杨然 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO₂传感器的制备方法，包括陶瓷基片的清洗、称量V₂O₅粉末、单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒、制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件的步骤，本发明中所用的陶瓷基底表面粗糙，且成本低，易于大面积制备氧化钒纳米棒。陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件，结构简单，制备成本低省时且工序简便，可实现室温工作。
陶瓷氧化纳米结构室温 no sub 传感器制备方法

[发明专利]核壳结构的TiO2-CN202210697176.1在审
发明人：孙岚;付江健 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了核壳结构的TiO2/NiCoAl‑LDH纳米棒阵列复合电极及其制备方法和应用，尤其是其光电催化分解水制氢的应用。本发明采用水热法于FTO导电玻璃上制备TiO2纳米棒阵列，采用电沉积的方法将NiCoAl‑LDH负载于TiO2纳米棒阵列上，制得核壳结构的TiO2/NiCoAl‑LDH纳米棒阵列复合电极。以制备的TiO2/NiCoAl‑LDH纳米棒阵列复合电极为工作电极，Pt片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，Na2SO
结构 tio base sub

[发明专利]单分散酚醛树脂纳米棒原位嵌入MOF复合材料的简易普适性制备方法-CN201910221887.X有效
发明人：周亮;吕建帅;麦立强;于强 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种单分散酚醛树脂纳米棒原位嵌入MOF复合材料的简易普适性制备方法，包括有以下步骤：将单分散酚醛树脂纳米棒均匀分散在溶液中，加入金属盐进行搅拌，超声，最后加入一定浓度含有有机配体的溶液，反应，离心、洗涤、干燥后得到单分散酚醛树脂纳米棒原位嵌入MOF复合材料。本发明与现有技术相比，具有如下优势：合成工艺简单，成本低廉；原位N掺杂可有效提高材料的导电性和电化学性能；MOF的粒径可调，可稳固嵌入或穿插入单分散树脂纳米棒结构，整体结构稳定；一维纳米棒使得大粒径MOF
分散酚醛树脂纳米原位嵌入 mof 复合材料简易普适性制备方法

[发明专利]一种基于基因工程多肽的碲纳米棒合成方法-CN201911311068.0有效
发明人：刘波;李朝卿;赵元弟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料合成领域，具体涉及一种基于基因工程多肽的碲纳米棒合成方法。：将亚碲酸钠粉末溶于水中，为溶液A；将基因工程多肽溶于水中，调节pH为碱性，使之完全溶解，为溶液B；将溶液A、溶液B充分混合后，加入新配置的硼氢化钠溶液得到溶液C，反应一段时间后，将溶液C透析，得到碲纳米棒本发明采用基因工程多肽代替化学分子稳定剂，在接近室温条件下合成的碲纳米棒纳米颗粒，具有更好的生物相容性、更低的毒性；本发明所述基因工程多肽PC10A一方面为碲纳米棒的生长提供引导作用，另一方面PC10A纳米凝胶结构限制了碲纳米棒的过大生长，所合成的碲纳米棒尺寸小、均一性好。
一种基于基因工程多肽纳米合成方法