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[发明专利]一种金纳米棒阵列及其制备方法和应用-CN201510354816.9有效
发明人：喻学锋;唐思莹;李泳;李鹏辉;郭志男 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金纳米棒阵列的制备方法，该方法包括制备十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)修饰的金纳米棒水溶液，并调整金纳米棒、CTAB的最终浓度分别为0.2‑0.6nmol/L、0.5‑2mmol/L，并加入巯基化合物搅拌，得到混合溶液，并使巯基化合物的最终浓度为0.01‑0.2mmol/L，将上述混合溶液浓缩后滴到亲水性平面基片上，自然干燥后得到金纳米棒阵列。所述金纳米棒阵列的制备方法操作简单、条件温和，所制备的金纳米棒阵列结构规整，且为肉眼可见的毫米级别，其表面具有均匀分布的SERS“热点”，有利于其用作SERS增强基底。本发明还提供了一种金纳米棒阵列及其应用。
一种纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的方法-CN201310596030.9无效
发明人：杜希文;王琰 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列结构的方法：（1）以ZnO纳米棒阵列为原料，加入到30mL0.5M硫代乙酰胺（TAA）水溶液中，于反应釜中，90℃下保持2h，经清洗，得到ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列；（2）将该ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列加入到30mL0.1M氯化镉（CdCl2）水溶液中，于反应釜中，120℃下保持9h，再清洗，制得ZnO/CdS异质结纳米棒阵列。本发明的ZnO/CdS异质结纳米棒阵列尺寸均匀，操作方法简单，条件温和，是一种新型的操作简便可以大量合成ZnO/CdS异质结纳米棒阵列材料的方法。
两步液相离子交换合成氧化锌硫化镉异质结纳米阵列方法

[发明专利]有机半导体组合物-CN200510109984.8无效
发明人： E·A·钱德罗斯;H·E·卡茨;E·雷克迈尼斯;S·维迪亚纳桑 -专利权人：朗迅科技公司
申请日： 2005-09-21 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：一种固体半导体组合物，其包括有机半导体分子的固体基质和纳米棒或纳米管在基质中的分散体。所述纳米棒或纳米管不形成间跨所述组合物的渗滤结构。
有机半导体组合

[发明专利]一种一维硫化镉纳米棒催化剂及其制备和应用-CN201610357058.0有效
发明人：刘平;方志斌;付贤智;戴文新;曾金许 -专利权人：福州大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C01G11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维硫化镉纳米棒催化剂及其制备和在声催化裂解水制氢的应用，该催化剂为纤锌矿晶体结构，属于非中心对称晶体，满足压电晶体的结构条件，其取向特殊的纳米棒形状能通过压电效应富集环境中的声波能量，在纳米棒表面产生正负电荷，从而催化纯水裂解产生氢气。其制备方法主要涉及一步溶剂热法，利用晶种与二乙烯三胺溶剂分子的配位或螯合作用调控硫化镉的生长取向，在合适的反应温度和反应时间条件下获得一维纳米棒的形貌。所得硫化镉纳米棒在声驱动下裂解纯水产氢的活性明显高于纳米片状、微米球状以及传统两步法合成的纳米棒状纤锌矿型硫化镉样品。本发明所公开的硫化镉纳米棒催化剂在声能‑氢能转化领域有广阔的应用前景，其制备方法操作简单，适合工业化生产。
一种硫化纳米催化剂及其制备应用

[发明专利]一种热化疗一体化纳米颗粒及制备和应用-CN201611183294.1有效
发明人：何丹农;王萍;陈益;朱君;乔宇;金彩虹 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： A61K47/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种热化疗一体化的纳米颗粒及制备和应用，包括金纳米棒的制备、DNA四面体的合成和金纳米棒连接DNA四面体。具体涉及了金纳米棒表面通过化学键连接DNA四面体结构，构成同时具备纳米金棒热疗与DNA载药相结合的纳米颗粒。本发明属于纳米生物材料领域。本发明能在较小的光照和化疗药物剂量下杀死癌细胞；该纳米颗粒结构简单，具备较高的光热转化效率；本发明中的制备方法简单，可操作性强，能进一步应用于癌症的光热治疗及化疗相结合领域。
一种化疗一体化纳米颗粒制备应用

[发明专利]一种在硅片上复合In₂O₃棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法-CN201010171949.X无效
发明人：黄雁君;郁可;朱自强 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅片上复合In2O3棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体长度为60～100μm，直径为0.6～1.6μm，棒状纳米结构表面光滑，没有附着任何杂质。其制备方法是以In颗粒作为原料，利用热蒸发方法生长得到In2O3棒状纳米结构。本发明具有大面积生长，成本低，重复性高等优点，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的制备，其特殊的光滑棒状纳米结构，粗细均匀，可用于制备纳米级晶体管或电阻，解决现有纳米结构作为电阻时阻值不均匀的问题
一种硅片复合 in sub 纳米结构半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种银纳米结构生长机理的分析方法-CN202111168768.6有效
发明人：朱兴忠;徐娟;恽沁茹;阚彩侠 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米结构生长机理的分析方法，(a)制备金纳米双锥、以金纳米双锥为中心的金纳米框，分别作为长度可调的硬模板；(b)将硬模板分别离心分散入十六烷基三甲基氯化铵溶液中，测量颗粒的吸收峰，根据吸收峰的强度调节各硬模板的颗粒数相等；(c)加入等量硝酸银溶液和抗坏血酸溶液，摇匀并在50～70℃反应，制得银纳米棒；(d)比较步骤(c)银纳米棒形貌，确定混合反应体系中硬模板类型对银纳米棒形貌的影响，明确银纳米棒的生长机理。本发明通过构建形貌相近的金纳米结构为模板，简单直观地研究验证模板的选择于银原子的沉积机理与最终结构的重要影响，设计思路简洁，实验可操作性强，条件温和。
一种纳米结构生长机理分析方法

[发明专利]一种由TiO₂纳米棒构筑而成的空心纳米结构的制备方法-CN201510220121.1无效
发明人：于清江;石宇辰;王佳男;黄跃武;李晓超 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：一种由TiO₂纳米棒构筑而成的空心纳米结构的制备方法，属于光电半导体材料领域。所述方法以TiF₄作钛源，乙二醇、冰乙酸混合溶液作为溶剂，椭球型Fe₂O₃纳米粒子作为模板，利用水热法制备由TiO₂纳米棒构筑而成的空心纳米结构材料，其长约450~500nm，直径约180~220nm；表面纳米棒长约70~100nm，直径约10nm。本发明使用预生长模板可以操纵纳米材料的形态和内表结构，有利于更好的控制纳米空心结构的性能，所制备的TiO₂空心纳米结构具有尺寸可控、操作简单、原料易得、成本低廉等特点，在环境、能源等领域具有潜在的应用前景
一种 tio sub 纳米构筑空心结构制备方法

[发明专利]一种基于同质ZnO纳米核壳阵列的紫外光响应器件及制备方法-CN201710440495.3有效
发明人：于乃森;何艳;陈向丰;齐岩 -专利权人：大连民族大学
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：一种基于同质ZnO纳米核壳阵列的紫外光响应器件，其是在玻璃衬底和透明接触电极之间设有基于同质ZnO纳米核壳阵列层。透明接触电极为刻有0.2cm沟道的ITO导电玻璃；基于的ZnO纳米核壳阵列是由ZnO纳米阵列籽晶层、生长于ZnO纳米阵列籽晶层表面的ZnO纳米棒阵列核层和生长于纳米棒表面的ZnO纳米片状壳层组成。本发明的结构层是以ZnO纳米阵列为载体，采用乙酸锌和六次甲基四胺为原料，首先采用低温水溶液在ZnO表面生长ZnO纳米棒阵列，然后再用低温乙醇溶剂热在纳米棒阵列上生长ZnO纳米片层结构。
一种基于同质 zno 纳米阵列紫外光响应器件制备方法

[发明专利]一种具有超快电子传输特性的氧化锌光阳极及其制备方法-CN201910149883.5有效
发明人：史彦涛;李燕茜 -专利权人：江苏赛清科技有限公司;浙江赛时科技有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有超快电子传输特性的氧化锌光阳极结构及制备方法，所述光阳极为具有多级结构特征的ZnO粉体，该ZnO结构为多级结构，初级结构为ZnO超细纳米片和纳米棒，二级结构为花状微米颗粒；其中，纳米片厚度在50nm左右，纳米片之间交错生长，相互连通，形成尺寸在微米级的花瓣状二级结构；纳米棒为阵列状排列，垂直生在纳米片上。
一种具有电子传输特性氧化锌阳极及其制备方法

[发明专利]一种氧化钨纳米棒束结构气敏材料制备方法-CN201610011232.6在审
发明人：胡明;王自帅;王毅斐;刘相承;袁琳 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨纳米棒束结构气敏材料制备方法，具有以下步骤：(1)陶瓷片基底的清洗；(2)配置六氯化钨反应溶液；(3)合成氧化钨纳米棒束结构；(4)分离、干燥；(5)制得氧化钨纳米棒束基敏感材料浆料本发明采用溶剂热法在陶瓷片基底上制备了三氧化钨纳米棒束结构，提供了一种具有高灵敏度、优良的稳定性和易于微电子工艺技术兼容的可在低温下工作的氮氧化物气敏传感器。是一种制备具有较大的比表面积和较大的表面活性的氧化钨纳米棒束结构的方法。基于该氧化钨纳米棒束结构的气敏传感器可以实现对亚ppm至ppb级的二氧化氮气体的高灵敏度、高选择性的快速响应。
一种氧化钨纳米结构材料制备方法

[发明专利]锑碲异质结材料及其制备方法和应用-CN202310150740.2在审
发明人：刘鹏;程终发;华艳飞;姚娅 -专利权人：山东泰和科技股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供的锑碲异质结材料其微观结构表现为若干Sb2Te3纳米片集成在碲纳米棒上，与现有技术中的锑碲异质结材料的微观结构不同，是一种全新的微观结构。其制备方法步骤如下：步骤一、溶剂热制备碲（Te）纳米棒；步骤二、取Te纳米棒作为载体，再次溶剂热在其上生长沉积锑（Sb），获得锑碲（Sb2Te纳米棒与锑源的用量比例，实现对Sb2Te3纳米片在碲纳米棒上的密度的调整；可实现纳米片状的Sb2Te3在Te纳米棒上的可控集成，进而可以有效的调控锑碲异质结材料的结构与性能。
锑碲异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]多彩纳米材料/高分子复合薄膜、其制备方法及应用-CN201810201423.8有效
发明人：黄又举;陈涛;戴立威;宋丽平;路雪飞 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C08L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多彩纳米材料/高分子复合薄膜、其制备方法及应用。所述的制备方法包括：提供表面修饰有第二配体的金属纳米棒，将表面修饰有第二配体的金属纳米棒与高分子溶液混合后进行成膜处理，获得金属纳米棒/高分子复合薄膜，所述第二配体与所述金属纳米棒/高分子复合薄膜中的高分子基材相亲相容；以及，拉伸所述金属纳米棒/高分子复合薄膜，使其中的金属纳米棒沿拉伸方向规则有序排列，制得具有偏光响应的多彩纳米材料/高分子复合薄膜。本发明的复合薄膜结构简单，易于制备，成本低廉，可被广泛应用于显示器、光信息存储和防伪等领域。
多彩纳米材料高分子复合薄膜制备方法应用

[发明专利]一种含铁酸锌的纳米结构阵列的制备方法及其应用-CN201710695384.7有效
发明人：崔爽 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种含铁酸锌的纳米结构阵列的制备方法。首先，在基底上制备ZnO纳米棒阵列，然后使ZnO纳米棒阵列与三氯化铁溶液接触进行反应，之后将反应后的固相清洗、干燥，即得含铁酸锌的纳米结构阵列。此方法操作简单，能够可控的制备出含铁酸锌的纳米结构阵列。
一种含铁酸锌纳米结构阵列制备方法及其应用

[发明专利]一种提高静脉溶栓治疗效率的磁性纳米材料及其制备方法-CN201710799898.7在审
发明人：赵奕平;朱露;黄为杰;吴莹 -专利权人：赵奕平;朱露
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： A61K47/69 文献下载
摘要：本发明属于磁性纳米材料技术领域，公开了一种提高静脉溶栓治疗效率的磁性纳米材料及其制备方法，所述提高静脉溶栓治疗效率的磁性纳米材料的制备方法包括Fe3O4磁性纳米棒/Fe3O4纳米棒表面改性，与组织纤溶酶原激活剂共价结合；使磁性纳米棒与组织纤溶酶原激活剂分子进行结合，在外置磁铁的引导下，实现靶向性治疗。所述磁性纳米材料由组织纤溶酶原激活剂和Fe3O4纳米棒组成。与其他磁性材料相比较，制备的Fe3O4磁性纳米棒结构具有无毒性，多孔性的优势，并且通过表面改性后，能够与tPA共价结合，在外置旋转磁场下，tPA‑纳米棒能够有效释放所携带的tPA，进而加速血栓溶解。
一种提高静脉治疗效率磁性纳米材料及其制备方法