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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于异形纳米LED晶粒的发光显示器件-CN201910982273.3有效
发明人：郭太良;翁雅恋;周雄图;张永爱;吴朝兴;林志贤;严群 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异形纳米LED晶粒的发光显示器件，包括从上到下依次设置的上驱动电极基板，上驱动电极、异形纳米LED晶粒、下驱动电极和下驱动电极基板；还设置有交流驱动控制模块，所述交流驱动控制模块两端分别连接上驱动电极和下驱动电极；所述异形纳米LED晶粒为包含非平面形状发光层的纳米LED晶粒；所述驱动电极和纳米LED晶粒之间通过绝缘介质层隔离，在交变驱动信号下，通过电磁耦合实现对所述纳米LED晶粒的点亮。本发明采用异形纳米LED晶粒，使得晶粒片放置于电极基板之间时，每个nLED晶粒的发光层总有一部分平行于电极基板，垂直于电场，大大提高电学耦合效率和发光效率。
基于异形纳米 led 晶粒发光显示器件

[发明专利]表面改性的氧化锆纳米晶粒及其制造方法-CN201080024077.2有效
发明人：德光秀造 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2010-06-14 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明公开了表面改性的氧化锆纳米晶粒，该表面改性的氧化锆纳米晶粒的特征在于，通过由有机磺酰氧基将氧化锆纳米颗粒表面改性而成。本发明还公开了用于制造由羰酰氧基、有机磷酰氧基或芳氧基表面改性的氧化锆纳米晶粒的方法，所述方法的特征在于，通过羰酰氧基、有机磷酰氧基或芳氧基取代上述表面改性的氧化锆纳米晶粒中的表面改性剂。该表面改性的氧化锆纳米晶粒可通过简单的方法制造并具有高度稳定的溶剂分散性。此外，该表面改性的氧化锆纳米晶粒具有可易于通过适于特定用途的官能团取代的结构。该用于制造表面改性的氧化锆纳米晶粒的方法能使上述表面改性的氧化锆纳米晶粒易于制造。
表面改性氧化锆纳米晶粒及其制造方法

[发明专利]一种吸能盒及吸能盒的制造方法-CN201710785454.8有效
发明人：吕坚;高原;唐陶;姚璐 -专利权人：香港城市大学深圳研究院
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： B60R19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种吸能盒及吸能盒的制造方法，所述吸能盒包括管状的本体(1)，本体(1)的表面设有纳米量级晶粒结构区域(2)和非纳米量级晶粒结构区域(3)，纳米量级晶粒结构区域(2)中晶粒的至少一维尺寸小于或等于100纳米，非纳米量级晶粒结构区域(3)中晶粒的三维尺寸均大于100纳米。所述吸能盒引入纳米量级晶粒结构以增强材料性能，来优化设计吸能盒的材料分布。设计并处理后的吸能结构不仅质量减轻，吸能效率大幅提高，并且利用材料强度差异有效的避免了初始载荷的升高，也节省了加工成本。
一种吸能盒制造方法

[发明专利]具有纳米双晶铜的电连接结构及其形成方法-CN201910941374.6在审
发明人：陈智;谢凯程;庄敬业 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种具有纳米双晶铜的电连接结构及其形成方法。此方法包含：(i)形成第一纳米双晶铜层，第一纳米双晶铜层包含多个第一纳米双晶铜晶粒；(ii)形成第二纳米双晶铜层，第二纳米双晶铜层包含多个第二纳米双晶铜晶粒；以及(iii)接合第一纳米双晶铜层的表面与第二纳米双晶铜层的表面，使至少部分的第一纳米双晶铜晶粒成长至第二纳米双晶铜层中，或者至少部分的第二纳米双晶铜晶粒成长至第一纳米双晶铜层中。在此亦揭露一种纳米双晶铜的电连接结构。因为一侧的纳米双晶铜晶粒成长至相对侧的纳米双晶铜晶粒，并且发生合并或同化的现象，让所形成的连接结构能够具有更好的机械强度、导电性、稳定性及可靠度。
具有纳米双晶连接结构及其形成方法

[发明专利]用于半球形晶粒硅和纳米晶粒尺寸多晶硅的单晶片热CVD处理-CN200680010818.5无效
发明人：李明;凯文·坎宁安;石巴·帕纳意尔;邢广财;R·苏亚那拉亚南·耶尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明提供了用于沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层的方法。在单衬底化学汽相沉积室中沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层。半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层可以用作半导体期间中的电极层。在一个方面，提供了两步沉积处理来形成具有减小的粗糙度的纳米晶粒尺寸多晶硅层。
用于半球形晶粒纳米尺寸多晶晶片 cvd 处理

[发明专利]一种测量纳米晶粒梯度材料中梯度层厚度的方法-CN201911242906.3在审
发明人：张金旭;龚玉兰;朱心昆 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G01N3/42 文献下载
摘要：本发明公开一种测量纳米晶粒梯度材料中梯度层厚度的方法，属于金属材料加工技术领域；通过退火和表面纳米化处理的材料获得从处理表面沿着厚度方向为梯度结构层，依次为纳米晶粒层、超细晶粒层、变形粗晶粒层和粗晶粒层，该纳米晶粒梯度结构材料的高强度和高延展性并存；本发明所述方法采用纳米压痕的方法测量纳米晶粒梯度材料中梯度层厚度，所述方法操作过程操作简单，容易实现；在迅速发展的电子通信、航空航天、武器装备等行业有很大的应用空间
一种测量纳米晶粒梯度材料厚度方法

[发明专利]高温焊剂及由其形成的连接部-CN201980053213.1在审
发明人：雅佛地·A·辛;R·斯托尔滕贝里 -专利权人：库普利昂公司;洛伊马汀公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B23K35/02 文献下载
摘要：铜纳米颗粒糊剂组合物可以通过包括晶粒生长抑制剂与适量的铜纳米颗粒而配制，用于形成能够在高温下工作的连接部。这样的纳米颗粒糊剂组合物可以包含铜纳米颗粒以及与铜纳米颗粒掺和的0.01wt.％至15wt.％的晶粒生长抑制剂或晶粒生长抑制剂的前体，其中，晶粒生长抑制剂包含金属。晶粒生长抑制剂不溶于块体铜基体，并且能够存在于块体铜基体中的一个或多个晶粒边界处。一个或多个晶粒边界可以在铜纳米颗粒经历固结以形成块体铜之后形成。晶粒生长抑制剂可以包含不溶于块体铜的各种金属。
高温焊剂形成连接

[发明专利]电镀纳米铜晶粒的方法-CN202280006464.6在审
发明人：张芸;董培培;王靖 -专利权人：苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：在衬底上电镀纳米铜晶粒的方法包括：提供衬底；提供包含铜盐、酸、整平剂、氯化合物、促进剂、抑制剂和水的电镀液；并在室温下在电镀液中电镀衬底而形成纳米铜晶粒。抑制剂为聚醚多元醇化合物，纳米铜晶粒平均粒子大小约为100nm，纳米铜晶粒电阻率约为1.78～1.90μOhm·cm。还公开了一种按照所述方法制备的纳米铜晶粒。
电镀纳米晶粒方法

[发明专利]合金纳米晶粒生长的模拟方法、装置、电子设备及介质-CN202011485958.6在审
发明人：吴艳;熊锦林;陈继兵 -专利权人：武汉轻工大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本申请公开了一种合金纳米晶粒生长的模拟方法、装置、电子设备及介质。该方法可以包括：设定初始微观结构，确定模拟的面积，模拟网格大小及模拟时间步长；通过相场法建立合金纳米晶粒生长模型；根据合金数据，分别确定再结晶前和再结晶后的自由能密度函数；将再结晶前和再结晶后的自由能密度函数分别带入合金纳米晶粒生长模型，分别模拟再结晶前的形变组织和再结晶后的合金纳米晶粒，模拟合金纳米晶粒生长。本发明通过再结晶方法获得纳米晶粒，使用连续相场模型，实现模拟真实时空下再结晶过程中纳米多晶合金晶粒生长的过程。
合金纳米晶粒生长模拟方法装置电子设备介质

[发明专利]改善纳米晶粒生长稳定性的模拟方法、装置、设备及介质-CN202310441928.2在审
发明人：吴艳;王硕 -专利权人：武汉轻工大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种改善纳米晶粒生长稳定性的模拟方法、装置、设备及介质。该方法可以包括：通过表面冲击塑性变形，建立纳米结构再结晶相场模型，其中，纳米结构再结晶相场模型中包含具有高局域储存能、低局域界面能的纳米晶粒和/或局域高界面能动性的晶粒；计算纳米结构再结晶相场模型的自由能函数，进而计算自由能密度函数；将自由能密度函数带入纳米结构再结晶相场模型，模拟包含大晶粒的合金纳米晶粒生长。本发明通过引入大晶粒，在保障整体纳米结构的前提下，局部释放变形储能，抑制再结晶形核，实现再结晶系统亚稳结构长期稳定的组织。
改善纳米晶粒生长稳定性模拟方法装置设备介质

[发明专利]高效反射LED封装结构及其封装方法-CN201010509122.5无效
发明人：陈林 -专利权人：陈林
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，特指高效反射LED封装结构及其封装方法，它包括有基板和晶粒，晶粒固定安装在基板内，晶粒通过导线连接基板的电极，基板的内表面涂覆有纳米玻璃层，在将晶粒固定在基板之前，先将纳米玻璃置入醇类溶剂中搅拌混合，制得纳米玻璃溶液，然后将纳米玻璃溶液注入基板内，烘烤使纳米玻璃溶液中的醇类溶剂挥发，纳米玻璃均匀沉积于基板的内表面形成纳米玻璃层，纳米玻璃层为高效反射层，能够将晶粒的光高效反射出去，提升光通量，降低光损失
高效反射 led 封装结构及其方法

[发明专利]一种磷酸铁锂复合材料、其制备方法和应用-CN201010296661.5有效
发明人：周明杰;潘军;王要兵 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明适用于电池技术领域，提供了一种磷酸铁锂复合材料、其制备方法和应用，该磷酸铁锂复合材料为内核为磷酸铁锂纳米晶粒的纳米级微粒结构，该纳米级微粒结构外表面有纳米纳米碳微粒包覆层，该纳米纳米碳微粒包覆层外表面包覆有石墨烯，所述磷酸铁锂纳米晶粒的化学组成为：LiFe1-xMxPO4，其中M为金属离子，0.001≤x＜1。本发明的磷酸铁锂复合材料，通过纳米碳微粒包覆磷酸铁锂晶粒、石墨烯掺杂以及在磷酸铁锂晶粒中掺杂金属离子，使得本发明实施例的磷酸铁锂复合材料的导电性能得到极大提高，同时由于磷酸铁锂晶粒的纳米粒径，保证了本发明实施例的磷酸铁锂晶粒能够快速充放电
一种磷酸复合材料制备方法应用

[发明专利]一种兼具强度与塑性的金属材料及其制备方法-CN201510987542.7有效
发明人：何枇林;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：陕西专壹知识产权运营有限公司
申请日： 2015-12-27 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C21D8/00 文献下载
摘要：该材料的特征在于：其显微组织中的晶粒由粗细两种不同粒度范围的晶粒组成，粗晶粒形成条带状分布在细晶粒当中。粗晶粒为常规的微米晶，细晶粒为纳米晶；纳米晶的粒度范围是10‑200纳米，微米晶的粒度范围是0.5微米－10微米。其制备方法由制备多层材料、冷轧、重结晶组成。
一种兼具强度塑性金属材料及其制备方法

[发明专利]一种适用于纳米材料晶粒尺寸的计算方法-CN202310844538.X在审
发明人：王春建;陈河 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于纳米材料晶粒尺寸的计算方法，属于晶粒尺寸测量技术领域。本发明通过选用两种不同靶材做X射线衍射测量，获得衍射峰半高宽和仪器半高宽，然后分别按峰形遵循柯西函数分布和高斯函数分布计算，将两种分布时的样品半高宽分别代入Scherrer公式计算纳米晶粒尺寸，比较偏差大小，来确定纳米材料晶粒尺寸的计算方式，所述晶粒尺寸的计算方法得到的材料晶粒尺寸准确率高，解决了传统纳米材料晶粒尺寸测量存在的结果偏差大的问题。
一种适用于纳米材料晶粒尺寸计算方法

[发明专利]磁性晶界工程化的铁氧体磁芯材料-CN201280031300.5有效
发明人：陈亚杰;文森特·G·哈利斯 -专利权人：变磁公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01B1/20 文献下载
摘要：一种复合材料可以包括一种晶粒组分以及一种纳米结构的晶界组分。该纳米结构的晶界组分可以是绝缘的且具有磁性的，以便提供该复合材料的更大的磁化的连续性。该晶粒组分可以具有约0.5至50微米的平均晶粒大小。该晶界组分可以具有约1至100纳米的平均晶粒大小。该纳米结构的磁性晶界材料具有至少约250mT的磁通密度。该晶粒组分可以包含MnZn铁氧体颗粒。该纳米结构的晶界组分可以包含NiZn铁氧体纳米颗粒。
磁性工程铁氧体材料

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