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[发明专利]一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法-CN201710471345.9有效
发明人：徐智谋;江睿;李泽平;屈小鹏;游旺 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法。通过人工方法生成纳米孔阵列阳极氧化铝膜；利用铝箔和平整基底做支撑，将制备好的多孔阳极氧化铝模板转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除多孔阳极氧化铝模板，在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的多孔阳极氧化铝膜做模板，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。
一种基于多孔阳极氧化铝模板纳米光电器件制备方法

[发明专利]一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法-CN201610263224.0有效
发明人：曹立新;李小龙;梁晨希;王凯;刘海萍 -专利权人：哈尔滨工业大学（威海）
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G01N33/553 文献下载
摘要：本发明涉及一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积法在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米管阵列主体，在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米柱阵列底片，组装制成金纳米井阵列电极；在金纳米管阵列电极表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金纳米井阵列电极；而后放入无标记AFB1抗体溶液中，制成AFB1抗体/蛋白A/金纳米井阵列电极；进而封闭得到本发明制作简单，具有三维结构，表面积大，有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰；抗体固定牢固有效，性能稳定可靠，可实现AFB1的灵敏快速测定。
一种黄曲霉毒素 b1 纳米阵列免疫电极制备方法

[发明专利]相控纳米孔阵列-CN201880040529.2在审
发明人： S.费南德斯-戈梅斯;J.W.曼尼 -专利权人：豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C12Q1/6869 文献下载
摘要：本文中描述的技术可以将具有不同相位的AC信号施加到纳米孔传感器芯片中的纳米孔单元的不同群组。当纳米孔单元的第一群组处于暗时段并且没有被模数转换器（ADC）采样或被最小采样来捕获有用数据时，纳米孔单元的第二群组处于亮时段，在此期间来自纳米孔的单元的第二群组的输出信号由模数转换器采样。
纳米孔采样群组模数转换器施加纳米孔传感器参考电平输出信号捕获芯片

[发明专利]纳米结构阵列材料及其制备方法-CN201410356646.3在审
发明人：谈嘉慧;陈之战;石旺舟;何鸿;张永平 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明纳米结构阵列材料及其制备方法，具体指一种耐高温、抗腐蚀、拥有纳米线阵列的宽禁带半导体4H晶型碳化硅材料及其制备方法，涉及纳米结构阵列材料技术领域。本发明包括不同晶型的SiC纳米线，如3C、4H和6H晶型的SiC纳米线，如基于n型重掺杂4H-SiC衬底，通过选择适当的脉冲频率和停留时间对两极施加恒脉冲电流得到均匀介孔阵列，然后适当增大电流正向占宽比与电流密度使得底部孔与衬底脱离，通过剥离手段得到该纳米线阵列。其具有简单可靠，重复率高，纳米线阵列密度高，节省制备成本等优点。在为电力电子和航天航空领域，应用高载流子迁移率，热导率，抗腐蚀，耐高压等优点的碳化硅产品，提供坚实的技术物质基础。
纳米结构阵列材料及其制备方法

[发明专利]基于机械力拉伸的大深宽比纳米纤维结构及其制备方法-CN201310344883.3有效
发明人：蒋维涛;刘红忠;马浩赟;王兰兰;尹磊;史永胜;陈邦道;丁玉成 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： B29C55/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于机械力拉伸的大深宽比纳米纤维结构及其制备方法，包括以下步骤：1）采用复型方法制备柔性孔阵列模具；2）将聚合物的溶液涂覆于基材上形成聚合物薄膜；3）使柔性孔阵列模具与聚合物薄膜良好接触，使聚合物填充到模具上的孔内；4）最后通过柔性孔阵列模具对聚合物薄膜进行机械拉伸，拉伸完成后固化脱模，制备出端部有质量块的大深宽比纳米纤维结构。本发明可以模具对聚合物的机械拉伸，形成大深宽比的纳米纤维，克服了复型方法中制备大深宽比纳米结构的难题；本发明工艺结构简单，仅通过机械力拉伸，控制机械力拉伸的方向，制备出大深宽比纳米纤维阵列，与电纺丝，化学法
基于机械拉伸大深宽纳米纤维结构及其制备方法

[发明专利]利用多孔阳极氧化铝为模板化学气相沉积制备石墨烯纳米孔阵列的方法-CN201210032772.4有效
发明人：丁古巧;谢晓明;江绵恒 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备石墨烯纳米孔阵列的方法，包括以下步骤：1）将碳源溶液涂敷在多孔阳极氧化铝模板的表面；2）将步骤1）所获得的表面涂有碳源的多孔阳极氧化铝模板压在金属基底表面，剥离所述多孔阳极氧化铝模板，使碳源保留在所述金属基底表面并使碳源保留与所述多孔阳极氧化铝模板表面一致的图案；3）将步骤2）所获得的金属基底于氢气和氩气的混合气流下进行退火处理，将碳源转变为石墨烯纳米孔阵列。本发明所得到的纳米孔阵列是联系的纳米孔阵列结构，并非单个或几个纳米孔；纳米孔孔径可以通过PAA本身的模板效应来调节，也可以通过后期的生长和刻蚀进一步调节，因此，孔径的可控性非常优异。
利用多孔阳极氧化铝模板化学沉积制备石墨纳米阵列方法

[实用新型]一种用于纳米多孔SEBS薄膜的复合结构和模板-CN201820643028.0有效
发明人：张旻;常诚谊 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C08J9/26 文献下载
摘要：一种用于制备纳米多孔SEBS薄膜的复合结构，包括铜箔和覆盖在所述铜箔的表面上的一层SEBS薄膜，所述铜箔的表面具有一层氢氧化铜纳米线阵列，所述氢氧化铜纳米线阵列中的各个纳米线被紧密包裹于所述SEBS薄膜中，形成由所述氢氧化铜纳米线阵列中的各个纳米线填充所述SEBS薄膜上对应的纳米孔的结构。一种用于制备纳米多孔SEBS薄膜的模板，包括铜箔，所述铜箔的表面具有一层氢氧化铜纳米线阵列。利用本实用新型的复合结构和模板，制备纳米多孔SEBS薄膜简单易行，成本低廉，孔径可控性好，可实现大面积纳米多孔SEBS薄膜的制备。
薄膜纳米多孔铜箔纳米线阵列氢氧化铜制备复合结构纳米线本实用新型紧密包裹可控性纳米孔填充覆盖

[发明专利]一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器及其制备方法-CN202110491003.X在审
发明人：吴绍龙;王杰;李刘晶;秦琳玲;张程;李孝峰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01N21/45 文献下载
摘要：本发明属光学传感技术领域，提出一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器及制备方法，沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层；与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。
一种选择性检测分子反射干涉传感器及其制备方法

[实用新型]一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器-CN202120951134.7有效
发明人：吴绍龙;王杰;李刘晶;秦琳玲;张程;李孝峰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G01N21/45 文献下载
摘要：本实用新型属光学传感技术领域，提出一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器，沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层；与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。
一种选择性检测分子反射干涉传感器

[发明专利]利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法-CN200610089737.0无效
发明人：钱骏;庹新林;袁俊;王晓工 -专利权人：清华大学
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法，本发明公开了属于纳米光刻领域的使用反相纳米球模板制备密度和单元尺寸可控的纳米点阵列的方法。先通过单分散核壳结构纳米球的自组装，得到单层规则密排的纳米球模板。通过选择性溶解的方法获得反相多孔阵列。利用反应离子刻蚀技术，对模板中的反相孔进行修饰获得贯穿的沉积通道。然后通过薄膜制备技术在模板上沉积一层薄膜，并在选择性溶剂中溶解多孔模板，得到规则排列的圆形纳米点阵列。通过与不同材料薄膜制备技术的结合，应用本纳米点阵列的制备方法可以制备出不同材料的高密度、尺寸可控点阵列，可用于基于纳米点阵列的器件制备和性能优化。
利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控阵列方法

[发明专利]一种基于周期纳米孔阵列和透镜介质微球阵列的近场超分辨光学成像方法-CN201910987418.9有效
发明人：王宏达;石岩;邵丽娜;田昕 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G01Q60/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于周期纳米孔阵列和透镜介质微球阵列的近场超分辨光学成像方法，通过周期纳米孔阵列可以将入射光拆分成10‑500nm直径的细小光束，透镜介质微球阵列可以将这些光束分别聚焦，形成光斑阵列。通过三维移动周期纳米孔阵列器件使孔阵列与透镜介质微球阵列的中心轴对应，最大程度的将被孔阵列分散的光束聚焦，得到纳米级的光斑阵列，进而实现超分辨显微成像的目的。本发明的有益效果是结合周期纳米孔阵列和透镜介质微球阵列的优势，将传统进场扫描光学显微镜的点扫描方式扩展为阵列扫描，克服了其单次成像范围小、需要极细探针、扫描过程与样品接触、无法对高度变化大的样品成像的缺陷
一种基于周期纳米阵列透镜介质近场分辨光学成像方法

[实用新型]孔阵列层结构、芯片装置和纳米孔测序装置-CN202120931950.1有效
发明人：张喆;任世龙;宋璐 -专利权人：成都齐碳科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本申请涉及孔阵列层结构、芯片装置和纳米孔测序装置。孔阵列层结构，用于和衬底形成成膜空间，成膜空间用于形成膜层。孔阵列层结构包括：阵列排布的多个孔单元，孔单元贯穿孔阵列层结构，孔单元具有轴向连通的第一容纳腔和第二容纳腔，第一容纳腔被配置为和衬底连接，至少一个第一容纳腔与其它第一容纳腔连通。本申请提供的孔阵列层结构能够实现第一非极性介质在不同第一容纳腔之间的串联互补，以及均匀性分布，可以保证预涂的均一性，为成膜提供较佳的成膜基础；并且在成膜阶段可以保证膜层的稳定性和串联互补。
阵列结构芯片装置纳米孔测序

[发明专利]硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法-CN201210037358.2无效
发明人：揭建胜;谢超;吴春燕;王莉;彭强;于永强;郭惠尔;朱志峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法，其特征是在P型硅基底层的底面设置Al金属膜背电极层，作为背面引出电极；P型硅基底层位于Al金属膜背电极层之上，作为太阳能电池的基区；P型硅纳米线阵列层位于P型硅基底层的上表面，在P型硅纳米线阵列层的表面包裹有Ti金属层，以Ti金属层与P型硅纳米线阵列层形成肖特基结；在Ti金属层上设置Ti栅型电极，作为正面引出电极；硅纳米线阵列或为硅纳米孔阵列本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备光吸收能力强、光电转换效率高的太阳能电池，为硅纳米结构在太阳能电池的应用中奠定了基础。
纳米阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种在倾斜光纤端面大面积均匀制备金纳米孔阵列的方法-CN201811539240.3在审
发明人：李丽霞;刘玉芳;宗雪阳 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： C25D11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种在倾斜光纤端面大面积均匀制备金纳米孔阵列的方法，属于微纳米加工技术领域。本发明的技术方案要点为：采用两步阳极处理方法制备出超薄高度有序的AAO模板，模板孔径大小受到磷酸溶液腐蚀时间的控制，因此能够准确控制金纳米孔径的大小，通过控制对电子束蒸发的时间来确定金纳米孔的厚度，最终得到的金纳米孔阵列的孔径为本发明能够简易地、低成本地在倾斜端面光纤上制备整齐排列的金纳米孔阵列，紫外固化胶能够将衬底与纳米结构坚固地粘附在一起，在整个制备工艺中不会出现倒塌，同时本技术方案所提供的AAO模板的制备方法，能够极高精度地制备金纳米孔阵列
纳米孔阵列制备倾斜光纤端面技术方案要点倾斜端面光纤电子束蒸发微纳米加工紫外固化胶高度有序磷酸溶液模板孔径纳米结构纳米孔径阳极处理整齐排列制备工艺准确控制低成本纳米孔衬底粘附坚固倒塌简易腐蚀

[发明专利]硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法-CN201710062927.1在审
发明人：杨涛;季祥海;杨晓光 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法。异质结垂直纳米线阵列包括Si(111)衬底；掩膜层，生长于Si(111)衬底上，掩膜层制备有纳米孔阵列；InAs(Sb)核纳米线层，由生长于Si(111)衬底上的InAs(Sb)核纳米线通过纳米孔阵列穿过掩膜层而形成；以及GaSb壳层，生长于InAs(Sb)核纳米线层上。本发明利用在掩膜层制备有纳米孔阵列，很容易实现对纳米线位置和密度的精确控制，易于后期纳米线器件的制备。
硅基 inas sb gasb 核壳异质结垂直纳米阵列及其生长方法