专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]晶圆键合设备-CN202121204761.0有效
  • 赵志远;袁绅豪;刘武;刘淼;锁志勇 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-05-31 - 2022-03-15 - H01L21/67
  • 本实用新型提供了一种晶圆键合设备,包括用于对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子处理装置,所述等离子处理装置包括:等离子腔;等离子生成气体管道,与所述等离子腔连接;水汽管道,与所述等离子腔连接;位于所述等离子腔内的电极,所述电极用于使等离子生成气体生成等离子以对待键合的晶圆的表面进行激活处理;设置在所述水汽管道上的第一阀门;所述第一阀门被配置为在所述电极通电之前开启以在所述生成等离子之前通过所述水汽管道向所述等离子腔中引入水汽;或者所述第一阀门被配置为在所述电极通电过程中开启以在所述生成等离子的同时通过所述水汽管道向所述等离子腔中引入水汽。
  • 晶圆键合设备
  • [发明专利]平面射流等离子产生装置-CN201210245290.7有效
  • 刘彦明;谢楷;李小平;赵良;艾伟;付强新 - 西安电子科技大学
  • 2012-07-17 - 2012-11-14 - H05H1/46
  • 本发明公开了一种平面射流等离子产生装置,主要解决目前射流等离子产生装置中等离子稳定性差、温度高、面积小、密度和流速分布不均匀的问题。整个装置包括等离子产生腔体(2)、电源装置(3)和气压调节装置(5),等离子产生腔体(2)的左侧和右侧分别与导流装置(1)和等离子射流腔体(4)连接;导流装置(1)的进气端和等离子射流腔体(4)的出气端气压调节装置(5)连接,等离子射流腔体(4)上开有电极通孔和观察窗,用于施加正交电磁二维场;电源装置(3)为等离子产生腔体(2)提供电源。本发明延长了等离子持续时间,降低了等离子温度,扩大了均匀等离子的面积,可用于研究电磁场对射流等离子的影响。
  • 平面射流等离子体产生装置
  • [实用新型]一种等离子加工系统-CN201921441190.5有效
  • 杨京华;王晓;潘宇锋;涂有波;钱俊华 - 常州九圣焊割设备股份有限公司
  • 2019-09-02 - 2020-04-24 - H01J37/02
  • 本实用新型涉及一种等离子加工系统,包括电源主机、等离子炬控制箱和等离子炬,等离子炬控制箱包括电源主机控制模块、气体控制模块、冷却系统接入模块、高压引弧系统、数控机床信号连接模块、等离子炬的电流、气体、冷却液的汇总接入接口模块和控制电路板;电源主机由等离子炬控制箱控制;等离子炬控制箱通过控制信号电缆与电源主机进行连接,等离子炬通过离子炬电缆与等离子炬控制箱连接。本实用新型简化了电源主机与等离子炬控制箱的电缆连接,大电流的电缆只需要负极电缆和引弧电缆接入等离子炬控制箱,连接工件的阳极电缆无需接入等离子炬控制箱,提高了连接可靠性。
  • 一种等离子加工系统
  • [发明专利]一种等离子-CN202310603080.9在审
  • 杨润功;路遥;苏祥正;李倩坤;陈静;续琴 - 中国人民解放军总医院第一医学中心
  • 2023-05-25 - 2023-07-25 - A43B3/38
  • 本申请实施例公开了一种等离子鞋,包括:等离子放电网、供电电源和绝缘导线;所述等离子放电网设置在所述等离子鞋的内部的至少一面;所述供电电源设置在所述等离子鞋的底部;所述等离子放电网通过所述绝缘导线与所述供电电源连接;所述供电电源,用于通过所述绝缘导线给所述等离子放电网提供电源,使所述等离子放电网进行放电。该等离子鞋,可以在穿着过程中实现灭菌,不影响其他正常活动,方便便捷。
  • 一种等离子体
  • [发明专利]具有轴向磁场的辐射源-CN200780049879.7无效
  • V·V·伊凡诺夫;V·Y·班尼恩;K·N·柯什烈夫 - ASML荷兰有限公司
  • 2007-12-14 - 2009-12-16 - H05G2/00
  • 本发明提供一种等离子辐射源、形成等离子辐射的方法、用于将图案从图案形成装置投影到衬底上的设备和器件制造方法。将图案化的辐射束投射到衬底上。反射光学元件被用来帮助将从等离子源的等离子区域发射的辐射形成为辐射束。在等离子源内,在等离子区域内产生等离子电流。为了减小对反射光学元件的损坏,在等离子区域内提供具有至少一个沿等离子电流的方向取向的分量的磁场。该轴向磁场有助于限制等离子的Z箍缩区域的破坏。通过限制这种破坏,发射的快速离子的数量可以被减少。
  • 具有轴向磁场辐射源
  • [发明专利]一种磁场增强等离子射流的发生装置-CN202210580533.6在审
  • 卢新培;晋绍珲;聂兰兰 - 华中科技大学
  • 2022-05-25 - 2022-08-02 - H05H7/04
  • 本发明公开了一种磁场增强等离子射流的发生装置,属于低温等离子领域,包括:等离子射流发生单元,用于产生等离子射流,并通过其气体输出管道输出等离子射流;环形磁铁,环绕设置在气体输出管道的外侧,用于在气体输出管道内产生磁场,且磁场为等离子射流提供的洛伦兹力的方向与等离子射流的流动方向一致,以加快等离子射流的流动速度。解决现有等离子射流长度偏短、放电不均匀、活性成分浓度不高的问题,保证等离子的弥散、空间分布的均匀性,增强等离子中活性氧化物的浓度,提高这些产物在应用中与被处理物品的接触效率,进而提高整个装置的工作效率
  • 一种磁场增强等离子体射流发生装置
  • [发明专利]等离子处理装置和等离子处理方法-CN201010524985.X有效
  • 山泽阳平;舆水地盐;传宝一树;山涌纯;齐藤昌司 - 东京毅力科创株式会社
  • 2010-10-27 - 2011-05-11 - H05H1/46
  • 本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法。在感应耦合型等离子处理中,使用处于电浮动状态的线圈,自由且精细地控制等离子密度分布。该感应耦合型等离子处理装置在接近RF天线(54)的电介质窗(52)之下呈环形地生成感应耦合的等离子,使该环形等离子在宽阔的处理空间内分散,在基座(12)附近(即,半导体晶片(W)上)使等离子的密度变得均匀为了沿着径向任意地控制基座(12)附近的等离子密度分布,带电容器的浮动线圈(70)对RF天线(54)产生的RF磁场以及在腔室(10)内生成的环形等离子等离子密度分布发挥消极或者积极的作用。
  • 等离子体处理装置方法

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