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[发明专利]大气压介质阻挡放电等离子体枪-CN02159260.8无效
发明人：葛袁静;张广秋;张跃飞;何整风 -专利权人：北京印刷学院;北京东方盖德真空技术有限公司
申请日： 2002-12-30 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：大气压介质阻挡放电等离子体枪属于等离子体应用技术领域，解决现有技术中等离子体宏观温度高，以及普通平板型电极大气压介质阻挡放电等离子体源在应用范围中存在的局限性；结构为具有枪架(1)、呈空心管状的电介质(5)，紧贴在空心管状电介质(5)外侧壁上的外电极(3)，及位于电介质(5)空心(6)内的内电极(4)，空心(6)一端有绝缘堵头(10)兼内电极(4)的定位架，流动的工作气体(7)放电产生等离子体(12)，由空心(6)的开口端(13)喷出，形成等离子体炬(14)；有益之处为使大气压介质阻挡放电等离子体向空间延伸、开放，喷出的等离子体宏观温度为常温，等离子体矩(14)可有多种形状，进一步拓宽了等离子体技术的应用范围
大气压介质阻挡放电等离子体

[实用新型]一种等离子体除臭消毒机-CN202020310190.8有效
发明人：王建续 -专利权人：河北清旭尔然环保工程有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： F24F3/16 文献下载
摘要：本实用新型提出一种等离子体除臭消毒机，包括机壳和机壳形成的机壳空间，机壳空间内由下而上依次设有除臭剂层、碳吸附层、初效过滤器、等离子体发生装置、HEPA过滤层和排风口，碳吸附层、初效过滤器、等离子体发生装置本实用新型的等离子体除臭消毒机，可解决等离子体除臭消毒机使用方式和安装方式单一的问题，增加设备便利性，且在等离子体消毒基础上增加多层过滤层，增强设备除臭消毒的效果。
一种等离子体除臭消毒

[发明专利]等离子体CVD装置及等离子体CVD方法-CN201480015410.1有效
发明人：坂本桂太郎;藤内俊平;江尻广惠;野村文保 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明是一种等离子体CVD装置，其包括真空容器、和在真空容器内的等离子体CVD电极单元和基材保持机构，所述等离子体CVD电极单元包括阳极；阴极，其与所述阳极隔开间隔地对置；第一气体供给喷嘴，其以气体通过所述阳极和阴极之间的等离子体生成空间的方式供给气体，基材保持机构配置于通过等离子体生成空间后的气体所触碰的位置，阳极在气体供给方向上的长度及阴极在气体供给方向上的长度均比阳极和阴极之间的距离长。根据本发明，提供一种能提高气体的分解效率、实现高成膜速度的等离子体CVD装置。
等离子体 cvd 装置方法

[发明专利]蚀刻装置-CN201080019940.5有效
发明人：上条拓真 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用等离子体对被加工物进行蚀刻的蚀刻装置，其具有：台、等离子体产生单元、中央电极以及外周电极。台具有装载面。在装载面上装载被加工物。等离子体产生单元在台的上方，与装载面的中心轴上相比在该中心轴的周围的空间内产生更高浓度的等离子体。中央电极被设置在等离子体产生单元产生等离子体的空间的下侧，并被设置在所述中心轴穿过的位置上。
蚀刻装置

[实用新型]一种等离子体灭菌装置-CN201721400515.6有效
发明人：王相文;苏舸 -专利权人：王相文
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： A61L2/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及灭菌技术领域，尤其涉及一种等离子体灭菌装置。本实用新型的一种等离子体灭菌装置，包括：固定架、支撑板、等离子体发生电源、等离子电极棒、风机以及安装耳；固定架包括顶板和两个侧板，两个侧板垂直设置于顶板的两端；等离子电极棒的数量为两个，分别与等离子体发生电源的两极连接；等离子电极棒呈C形，两个等离子电极棒对称设置；等离子电极棒包括与等离子体发生电源连接的连接段、与连接段连接的竖直段以及与竖直段连接的等离子体发生段；竖直段穿过支撑板，等离子体发生段的直径从竖直段向两个侧板之间的区域方向上逐渐增大；结构简单，占用空间小，放电面积大，成本低。
等离子电极竖直段等离子体发生电源等离子体灭菌装置侧板等离子体发生本实用新型固定架连接段支撑板垂直设置对称设置两极连接灭菌技术区域方向占用空间逐渐增大安装耳放电风机穿过

[实用新型]一种用于空气纯化的常温大气压等离子体设备-CN201621066083.5有效
发明人：李阳芳 -专利权人：南京克普医疗科技有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于空气纯化的常温大气压等离子体设备，在设备外壳(1)内安装有等离子体电极(2)，等离子体电极外壳(21)内安装有等离子体高压电极(22)，等离子体高压电极(22)设置在介质管(23)的外表面，高压电极接线孔(25)安装在等离子体高压电极(22)，栅网电极接线孔(26)安装在介质管(23)的一端，在介质管(23)内部安装有栅网电极(24)，在等离子体电极外壳21两端安装有标准规格的接头本实用新型的有益技术效果是高活性的等离子体气体成分可以对处理空间的空气进行纯化，控制空气中的微细生物环境，从而使处理空间的植物或者动物等因为细菌、真菌和病毒性感染而致病的几率大大降低，还可以用于其他用途例如高活性的等离子体气体可以输入到水中
一种用于空气纯化常温大气压等离子体设备

[发明专利]等离子体处理装置-CN201310077535.4在审
发明人：山泽阳平;传宝一树;山涌纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线（54）接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座（12）附近（即半导体晶片（W）上）使等离子体的密度均匀化
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201010524932.8有效
发明人：山泽阳平;传宝一树;山涌纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201610082046.1有效
发明人：山泽阳平;传宝一树;山涌纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化
等离子体处理装置

[发明专利]溅射成膜装置-CN200410076691.X无效
发明人：野田俊成 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射成膜装置，其包括：配置于真空容器(30)的内部的一对靶(31)；与这一对靶(31)大致垂直，并配置于离开一对靶(31)构成的空间的位置上的基板托架(33)；在该基板托架(33)的附近通过余辉等离子体而产生反应用等离子体的等离子体源(37)；连接该等离子体源(37)和真空容器(30)的导入管(38)。由于可在基板托架(33)的附近生成由余辉等离子体构成的反应用等离子体，所以对体积特性接近的化合物薄膜没有等离子体造成的损伤，并可以在低基板温度下进行成膜。
溅射装置

[发明专利]一种基于脉冲低温等离子体的智能雾培定植系统-CN202310400565.8在审
发明人：刘大伟;高皓天 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A01G31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于脉冲低温等离子体的智能雾培定植系统，属于植物种植技术领域。包括电源模块，等离子体模块，雾培定植模块，监测模块，反馈调节模块。电源模块用于为等离子体模块提供脉冲电压，等离子体模块用于激发并维持低温脉冲等离子体，提供等离子体活化雾，监测模块用于实时收集雾培环境中的各项参数，并将其传输至反馈调节模块，反馈调节模块通过将收集到的数据与预设数值比对本发明提供的基于脉冲低温等离子体的智能雾培定植系统，由低成本、紧凑型、快前沿陡脉冲的高压脉冲电源驱动，通过线板交替的结构形成均匀弥散的空间等离子体区域，实现了远高于传统等离子体装置的处理效率。
一种基于脉冲低温等离子体智能定植系统

[发明专利]一种高超声速飞行器等离子体鞘套电磁特性的仿真方法-CN201910472857.6有效
发明人：李猛猛;胡燕萌;陈如山;周仕浩;李帅帅;周全恩 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种高超声速飞行器等离子体鞘套电磁特性的仿真方法。该方法为：首先根据高超声速飞行器的几何外形及飞行参数进行流体仿真，由仿真信息确定施加电磁场条件下空间各处的等离子体碰撞频率、等离子体震荡频率及电子回旋频率参数；然后提取等离子体目标的网格文件，设置入射电磁波参数；接着使用等离子体的迭代方法计算区域内等离子体介质部分的电流密度，使用磁场边界条件计算等离子体介质与空气分界面处的电流密度，使用电流密度矢量单步更新公式进行迭代更新；最后通过分析时域波形获得等离子体电磁特性本发明具有编程简单、计算效率高的优点，实现了对高超声速飞行器等离子体鞘套的高效分析。
一种高超声速飞行器等离子体电磁特性仿真方法

[发明专利]一种多源斜插式等离子体气体处理装置-CN201710592292.6有效
发明人：陈挺;刘文龙;周磊;徐晨 -专利权人：浙江全世科技有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： B01D53/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种多源斜插式等离子体气体处理装置，包括进气通道、减速腔、气体处理区、排气吸收装置和等离子体源，气体处理区的上端依次连有减速腔和进气通道，气体处理区的下端连有排气吸收装置；气体处理区包括若干个层式连接的气体处理腔，沿每个气体处理腔的周向设置若干排连通其腔体的等离子体源插入口，等离子体源插入口上设有等离子体源，其中，等离子体源的轴线与气体处理腔的中心轴所成的夹角为锐角。本发明在大流量的进气情况下，多个等离子体源同时工作，且各等离子体与待处理气体可以充分接触，大大提高了等离子体的气体处理效果和效率，具有结构简单，空间利率高，易维护和维修的优点。
等离子体源气体处理区气体处理腔等离子体进气通道吸收装置插入口减速腔排气等离子体气体充分接触处理气体处理装置气体处理周向设置上端大流量夹角为斜插式易维护中心轴层式多源进气腔体锐角下端连通利率维修

[发明专利]电感耦合等离子体装置-CN201310128505.1有效
发明人：梁洁;罗伟义 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种电感耦合等离子体装置，包括：反应腔室，用于与放置在其中的晶片进行等离子体处理反应；淋气头，设于反应腔室上部，其包括至少一进气口，用于向反应腔室通入反应气体；至少一组电感耦合线圈，临近于反应腔室设置，用于通过匹配器外接射频电源以向反应腔室施加射频功率；以及屏蔽装置，临近于电感耦合线圈设置，用于将射频功率屏蔽于第一空间内以作用于反应气体而产生等离子体，等离子体经自由扩散通过第二空间与晶片进行反应；其中，第一空间、第二空间分别位于反应腔室内，呈上下分布并相互连通。本发明使得等离子体中的电子温度明显降低，从而显著弱化了物理性刻蚀反应；并有利于实现反应腔室中等离子体的均匀分布。
电感耦合等离子体装置

[发明专利]等离子体撞击效应推进器-CN200510085524.6无效
发明人：李晓辉 -专利权人：李晓辉;黄丽珊
申请日： 2005-07-26 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：等离子体撞击效应推进器是一种不需要消耗推进介质的推进发动机，它的推进介质——等离子体是可以循环利用的，而所需的能量只有电能。由于不需消耗大量的燃料，它可以使空间飞行器能够有更多的空间来装载有效载荷，适用于空间飞行器的姿态控制或者长距离、长时间的宇宙航行。等离子体撞击效应推进器的原理就是使等离子体在感生电场的作用下加速并撞击到与航天器固定在一起的部件上，从而改变航天器的动量，使之能够在空间改变姿态或进行宇宙航行。等离子体撞击效应推进器能够产生给定方向上的动量，自身所消耗的只是电能，等离子体在撞击结束后恢复为中性的气体，并可进行回收用作下一次撞击，如此往复循环。
等离子体撞击效应推进器