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[发明专利]一种双灯丝日光灯管-CN201310479720.6无效
发明人：袁毅 -专利权人：袁毅
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：一种双灯丝日光灯管，由日光灯头、第一电极、第二电极、第三电极、主灯丝、副灯丝、第三电极连接铜片、第二电极连接铜片、玻璃管组成，在日光灯头上，安装有第三电极、第三电极连接铜片、第二电极连接铜片，第三电极连接铜片与第三电极电气连接，第二电极连接铜片与第二电极电气连接，在第三电极与第一电极之间装有副灯丝；第三电极连接铜片与第二电极连接铜片之间留有绝缘小间隙，采用了本发明的方案，克服现有日光灯管灯丝坏了就报废，其实用寿命较短的缺点。
一种灯丝日光灯管

[发明专利]触控显示结构-CN201811057547.X在审
发明人：纪佑旻;苏松宇 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：触控显示结构包括第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、第四像素电极、第一数据线、第二数据线、第三数据线、及触控信号线。第一像素电极具有第一电极侧边。第二像素电极具有相对的第二电极侧边与第三电极侧边。第三像素电极具有相对的第四电极侧边与第五电极侧边。第四像素电极具有第六电极侧边。第一数据线与第二数据线配置在第一像素电极的第一电极侧边与第二像素电极的第二电极侧边之间。第三数据线在第二像素电极的第三电极侧边与第三像素电极的第四电极侧边之间。触控信号线在第三像素电极的第五电极侧边与第四像素电极的第六电极侧边之间。
像素电极电极侧边侧边数据线触控信号第二电极第三电极第一电极第一数据显示结构触控数据线配置

[发明专利]光感测单元及光学感测阵列结构-CN201710726276.1有效
发明人：张世熙;傅春霖;林男颖;丁友信 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光感测单元，其包括第一电极、第二电极、第三电极、光敏介电层、桥接电极以及平坦层。其中，第二电极位于第一电极上方。第三电极位于第二电极上方。光敏介电层位于第二电极与第三电极之间。桥接电极位于光敏介电层的边缘且位于光敏介电层与第三电极之间。平坦层覆盖第三电极。
光感测单元光学阵列结构

[发明专利]电容器以及包含所述电容器的滤波器与再分配层结构-CN202110022061.8在审
发明人：丁子洋;冯捷威;王泰瑞 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：所述电容器包括第一电极、第二电极、第三电极、介电层以及导通孔。所述第二电极设置于所述第一电极上方。所述第三电极设置于所述第一电极与所述第二电极之间。所述介电层设置于所述第一电极与所述第三电极之间以及所述第二电极与所述第三电极之间。所述导通孔穿过所述介电层与所述第三电极而连接所述第一电极与所述第二电极，且与所述第三电极电性分离。所述第一电极与所述第二电极为信号电极，且所述第三电极为接地电极。
电容器以及包含滤波器再分结构

[实用新型]三基色发光二极管芯片-CN202122840992.7有效
发明人：兰叶;王江波;朱广敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种三基色发光二极管芯片，包括：透明基板、外延结构、第一透明导电层、第二透明导电层、第三透明导电层、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极；外延结构包括第一外延层、第二外延层和第三外延层，第一外延层、第一透明导电层、第二透明导电层、第二外延层、第三透明导电层和第三外延层依次层叠于透明基板外，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极均位于第三外延层远离透明基板的一侧，且第一电极与第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层相连，第二电极与第一外延层相连，第三电极与第二外延层相连，第四电极与第三外延层相连。本公开能缩减三基色发光二极管芯片的尺寸。
基色发光二极管芯片

[实用新型]一种倒装芯片封装结构-CN201820895925.0有效
发明人：温小斌;颜剑剑;傅志煌 -专利权人：厦门多彩光电子科技有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种倒装芯片封装结构，包括支架和倒装芯片，所述支架包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极和第五电极，所述第一电极和第五电极分别设置于所述第三电极的两边且三者之间相互分离，所述第二电极设置于所述第一电极和第三电极之间且与所述第一电极和第三电极相互分离，所述第四电极设置于所述第五电极和第三电极之间且与所述第五电极和第三电极相互分离，所述第一电极和第五电极均包括三部分，分别为靠近第三电极的第一部分和第三部分，靠近第二电极的第二部分。
第三电极电极第一电极倒装芯片第二电极支架倒装芯片封装结构本实用新型电极设置焊接难度组合方式并联焊脚焊接串联两边增设

[发明专利]显示装置和电子装置-CN201110429358.2无效
发明人：陈建宏;陈昱玮 -专利权人：群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：此显示装置包括第一、第二和第三子像素区，具有第一、第二和第三主要穿透波长；第一子像素区中的第一指叉电极的第一电极宽度和第一电极间距具有第一比值；第二子像素区中的第二指叉电极的第二电极宽度和第二电极间距具有第二比值；第三子像素区中的第三指叉电极的第三电极宽度和第三电极间距具有第三比值，第一主要穿透波长大于第二主要穿透波长且第二主要穿透波长大于第三主要穿透波长，第一比值、第二比值和第三比值大体上相等，且第一电极间距小于第二电极间距，且第二电极间距小于第三电极间距。
显示装置电子装置

[发明专利]半导体装置-CN202010798593.6在审
发明人：富田幸太;加藤浩朗 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置具有半导体部、所述半导体部的背面上的第一电极及表面上的第二电极、控制电极、第三电极、第一～第三绝缘部。所述控制电极、所述第三电极配置于所述半导体部和所述第二电极之间的沟槽的内部。所述第一绝缘部将所述控制电极从所述半导体部电绝缘，所述第二绝缘部将所述第三电极从所述半导体部电绝缘。所述第三绝缘部将所述第三电极从所述控制电极电绝缘。所述第二绝缘部包括第一、第二绝缘膜及第三绝缘膜的一部分。所述第一绝缘膜位于所述半导体部和所述第三电极之间，所述第二绝缘膜位于所述第一绝缘膜和所述第三电极之间。所述第三绝缘膜包括位于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的第一部分和在所述第三绝缘部中延伸的第二部分。
半导体装置

[发明专利]掩模、显示装置以及制造显示装置的方法-CN201610446982.6有效
发明人：朴仁浩;柳世桓;金京准;孙智贤 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种掩模，包括基底基板，以及在基底基板上的包括透光部和遮光部的遮光图案，其中，遮光部包括第三源电极部、与第三源电极部间隔开并且包括平行于第三源电极部的至少一部分的第三漏电极部、在第三源电极部的面向第三漏电极部的端部处的第一辅助遮光部、以及在第三漏电极部的面向第三源电极部的端部处的第二辅助遮光部。
掩模显示装置以及制造方法

[发明专利]显示装置-CN201910427987.8在审
发明人：李相信;朴峻永;姜敏求;高政佑;朴钟圣;安洪均;李尚玟;曹尚佑;柳英恩;李胤抒 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及一种显示装置，所述显示装置包括：基础衬底；第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极布置在基础衬底上以彼此间隔开；像素限定膜，像素限定膜在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极上，并且包括暴露第一像素电极的第一开口、暴露第二像素电极并且与第一开口间隔开的第二开口和暴露第三像素电极并且与第一开口和第二开口间隔开的第三开口；第一有机层，第一有机层在由第一开口暴露的第一像素电极上；第二有机层，第二有机层在由第二开口暴露的第二像素电极上；以及第三有机层，第三有机层在由第三开口暴露的第三像素电极上。
像素电极有机层开口暴露像素限定膜开口间隔显示装置衬底像素电极布置

[发明专利]存储器结构及其操作方法-CN200610143832.4有效
发明人： D·V·霍拉克;S·J·霍姆斯;C·W·科布格尔三世;古川俊治;M·C·哈吉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：所述结构包括(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一电极区和第二电极区；以及(c)在所述第一和第二电极区之间设置的第三电极区。响应于在所述第一和第三电极区之间施加的第一写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于随后在所述第一和第三电极区之间施加的预定读电压电势，读出电流在所述第一和第三电极区之间流动。另外，响应于在所述第二和第三电极区之间施加的第二写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于在所述第一和第三电极区之间施加的所述预定读电压电势，所述读出电流不在所述第一和第三电极区之间流动。
存储器结构及其操作方法

[发明专利]电容元件和谐振电路-CN201010246431.8有效
发明人：管野正喜;佐藤则孝 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：该电容元件包括：第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第一介电部、第二介电部以及第三介电部。具有第一极性的信号施加至第一电极。具有第二极性的信号施加至第二电极。第二极性与第一极性相反。具有第二极性的信号施加至第三电极。第三电极配置在与第二电极相对的位置上。具有第一极性的信号施加至第四电极。第一介电部设置在第一电极与第二电极之间。第二介电部设置在第二电极与第三电极之间。第三介电部设置在第三电极与第四电极之间。
电容元件谐振电路

[发明专利]电容元件和谐振电路-CN201210597223.1有效
发明人：管野正喜;佐藤则孝 -专利权人：迪睿合电子材料有限公司
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：该电容元件包括：第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第一介电部、第二介电部以及第三介电部。具有第一极性的信号施加至第一电极。具有第二极性的信号施加至第二电极。第二极性与第一极性相反。具有第二极性的信号施加至第三电极。第三电极配置在与第二电极相对的位置上。具有第一极性的信号施加至第四电极。第一介电部设置在第一电极与第二电极之间。第二介电部设置在第二电极与第三电极之间。第三介电部设置在第三电极与第四电极之间。
电容元件谐振电路

[实用新型]一种皮下神经/经络信号探测组合双揿针对称三电极-CN202220461026.6有效
发明人：王志功;吕晓迎;王博多 -专利权人：王志功;吕晓迎;王博多
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： A61B5/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种皮下神经/经络信号探测组合双揿针对称三电极，包括第一探测揿针电极、第二探测揿针电极和第三电极，其中，第一探测揿针电极和第二探测揿针电极均为带Ω头金属公扣的针状电极，第三电极为对称结构，包括两个通孔和背面设置的第三Ω头金属公扣，第一探测揿针电极和第二探测揿针电极的针尖从第三电极背面分别穿过第三电极上的两个通孔，与第三电极绝缘连接；第一探测揿针电极和第二探测揿针电极用于探测皮下神经/经络信号，并形成差动信号；第三电极为第一探测揿针电极和第二探测揿针电极提供参考零电平。
一种皮下神经经络信号探测组合针对电极

[发明专利]电子装置-CN202111220196.1在审
发明人：李建兴;黄晔仁;洪力扬;邱华琦 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子装置，包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管以及一阻抗器件。第一晶体管具有一第一栅极电极，并耦接于一第一电极以及一第二电极之间。第二晶体管具有一第二栅极电极、一第三电极以及一第四电极。第二栅极电极耦接第二电极。第三电极耦接一控制电极。第三晶体管具有一第三栅极电极、一第五电极以及一第六电极。第三栅极电极耦接控制电极。第五电极耦接第四电极。第六电极耦接第二电极。阻抗器件耦接于第三电极与第一栅极电极之间。本发明使静电放电事件发生时，高电子迁移率晶体管不会受到静电放电电流的影响。
电子装置

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