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[实用新型]一种VOCs治理用吸附器-CN201621335717.2有效
发明人：刘祖虎;孙云;华超;蒋长胜 -专利权人：江苏金门能源装备有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种VOCs治理用吸附器，根据所需装填的吸附剂种类或吸附剂粒径，在同一个吸附器内设置多层（与所装填的吸附剂种类或吸附剂粒径范围数相同）吸附剂装载格栅，格栅上铺孔径小于吸附剂粒径且强度可以支撑吸附剂床层的筛网与每一层吸附剂床层相匹配，设置有独立的温度监测探头，可以安装温度传感器接口，实时监测吸附剂床层温度。与每一层吸附剂床层相匹配，设置有独立的卸料手孔，可以分别独立对特定的吸附剂进行卸料。在同一吸附器内设置了多层导热格栅，采用导热系数高的材料（如铝合金），将吸附剂床层产生的吸附剂及时传导至罐壁，释放到吸附器外。吸附器内设置有伞状气体分布装置，保证气体在进入吸附器后分布均匀。
一种 vocs 治理吸附

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN201810317391.8在审
发明人：余睿敏 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括：柔性基板；有机发光结构，所述有机发光结构设置于所述柔性基板上；薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述有机发光结构；其中，所述薄膜封装层包括层叠设置的至少一层有机层和至少两层无机层，所述有机层和所述无机层间隔设置，所述薄膜封装层临近所述有机发光结构的一侧和远离所述有机发光结构的一侧均为无机层；每一所述有机层远离所述有机发光结构的一侧和临近所述有机发光结构的一侧均具有凹凸结构。
有机发光结构薄膜封装层显示面板无机层有机层柔性基板显示装置耐弯折性能凹凸结构层叠设置间隔设置两层覆盖

[实用新型]高传输速度PIN型红外线接收二极管-CN02236187.1无效
发明人：石万芳;邓及人;张维裕;李振文 -专利权人：鼎元光电科技股份有限公司
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本实用新型是在提供一种高传输速度PIN型红外线接收二极管，其包括有一厚N型半导体层；一层叠于上述厚N型半导体层的薄I型半导体层；一配置于上述薄I型半导体层中央处的P型半导体层；一环设于上述P型半导体层的周围并与一厚N型半导体层相连的传导层；及一配置于上述P型半导体层与传导层上的金属层所构成；由此，可使该PIN型红外线接收二极管达到高浓度、低阻抗的功效，并使其提高接收的响应速度。
传输速度 pin 红外线接收二极管

[发明专利]一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板-CN201710099805.X在审
发明人：李文杰 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板；该OLED器件的封装结构包括在OLED器件上方的若干层交替的阻挡层和缓冲层，至少一层所述阻挡层为图案化结构；所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内将阻挡层设置为图案化结构，并将缓冲层填充在阻挡层的图案化区域内，当OLED器件发生弯曲时，通过阻挡层的图案化区域内填充的缓冲层释放阻挡层承受的弯曲应力，减小阻挡层承受的弯曲应力，使OLED器件能够弯曲更大的幅度
一种 oled 器件封装结构及其制备方法金属掩膜板

[发明专利]一种使用多功能透明电极的太阳能电池及其制备方法-CN201710868169.2在审
发明人：秦校军;田鸿翔;赵志国;邬俊波 -专利权人：中国华能集团公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种使用多功能透明电极的太阳能电池，包括氧化锡薄膜层，同时作为电极层与电子传输层；金属电极层；以及设置在氧化锡薄膜层和金属电极层之间的钙钛矿活性层。本发明可还包括设置在钙钛矿活性层和金属电极层之间的空穴传输层。本发明还提供了所述使用多功能透明电极的太阳能电池的制备方法，本发明将一层多功能的氧化锡纳米材料薄膜作为钙钛矿电池结构中的透明电极层和电子传输层(电子抽取层)，在此基础上构建钙钛矿型太阳能电池，达到简化电池结构
一种使用多功能透明电极太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种儿童房使用的抗菌抗虫地毯-CN201811618264.8在审
发明人：尚先锋 -专利权人：天津神工科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： A47G27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种儿童房使用的抗菌抗虫地毯，由上至下依次包括抗菌层，尼龙线层，抗虫层，纱线层，防水层和防滑层组成，所述的防滑层上有一层不规则的凸起点。所述抗菌层厚度0.2‑0.5cm，尼龙线层1‑2cm，抗虫层0.5‑1cm，纱线层1‑2cm，防水层2‑3cm和防滑层1‑2cm，所述的防滑层上的不规则的凸起点高0.2‑0.3cm。本发明地毯各层的层后设计合理，使得抗菌抗虫功效发挥的全面。
抗虫防滑层抗菌地毯尼龙线层不规则儿童房防水层抗菌层纱线层凸起点功效发挥制备工艺有效地

[发明专利]N极性AlGaN/GaN HEMT器件及其生长方法-CN202011548221.4在审
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种N极性AlGaN/GaN HEMT器件及其生长方法，其中，N极性AlGaN/GaN HEMT器件的外延结构，从下至上依次包括硅衬底层、缓冲层、极性面转换层、耐压层、势垒层及沟道层，其中，极性面转换层为掺杂Mg的GaN层，掺杂浓度为1E20/cm3～1E21/cm3。其在缓冲层和耐压层之间添加一层极性面转换层，以此将耐压层及以上的沟道层和势垒层的极性从镓极性转变为氮极性，实现N极性AlGaN/GaN HEMT器件外延结构的制备，结构简单易实现，且具备低接触电阻和强栅控能力
极性 algan gan hemt 器件及其生长方法

[发明专利]一种串联式OLED器件及显示器-CN202111153889.3在审
发明人：申晓斌;李育豪;黄冠达 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种串联式OLED器件及显示器，串联式OLED器件至少包括依次设置的：N型电荷生成层、金属离子吸收层、电子传输层；其中，所述N型电荷生成层掺杂有活泼金属，所述金属离子吸收层的电子迁移率处于所述N型电荷生成层和所述电子传输层之间，用于吸收所述N型电荷生成层在电场作用下产生的金属离子。本公开实施例在N型电荷生成层和电子传输层之间增加了一层金属离子吸收层，通过金属离子吸附本应该流至电子传输层的金属离子，进而让电子传输层不被金属离子干扰，从而稳定器件，提升器件寿命。
一种串联式 oled 器件显示器

[发明专利]一种基于分层架构思想的单片机程序构建方法-CN202210105065.7在审
发明人：张帅;王超;刘金海;郑瑞良 -专利权人：山东思科赛德矿业安全工程有限公司;王超
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F8/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分层架构思想的单片机程序构建方法，涉及计算机技术领域。本发明构建单片机程序时，采用分层构建，从上往下分别为：设备层、业务逻辑层、传输协议层、通信接口层、硬件抽象层和物理层；程序内部数据从业务逻辑层逐层向下传递到物理层或者从物理层逐层向上传递到业务逻辑层，每一层只与相邻层通过模块对象的
一种基于分层架构思想单片机程序构建方法

[发明专利]一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法-CN201410604283.0有效
发明人：张恒;曲爽;王成新;徐现刚;张雷;郝霄鹏 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构，包括自下而上依次设置的GaN缓冲层衬底、N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层；所述GaN缓冲层衬底是利用HVPE法在蓝宝石、Si或SiC衬底上生长的非故意掺杂的GaN缓冲层；所述GaN缓冲层的厚度3‑10μm。本发明通过采用HVPE法在蓝宝石、Si或SiC衬底上生长一层GaN缓冲层作为衬底放入MOCVD反应室内直接生长N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层，与传统蓝宝石、Si或SiC衬底相比，不需要生长GaN缓冲层，可以节省MOCVD程序时间，提高设备利用率，降低GaN基LED的成本。
一种具有 gan 缓冲衬底 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]表面粘着型整流二极管及其制作方法-CN99109757.2有效
发明人：黄文彬 -专利权人：黄文彬
申请日： 1999-07-12 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面粘着型整流二极管的制作方法，在两相对的上端子与下端子间置设有电子晶片，并在外表塑模成型绝缘体层，使绝缘体层外表形成微小凸粒物，于绝缘体层两侧涂接导电层，将导电层予以烘烤干燥，使导电层与绝缘体层结合，通过切刀等距将结合的绝缘体层与导电层切割，再于两侧边的导电层外再电镀一层导电物质，形成保护层，使导电层外层有硬质的保护层。
表面粘着整流二极管及其制作方法

[发明专利]一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法-CN201910014131.8有效
发明人：李文武;黄凡铭;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法，该方法在已制备完底电极的衬底上，形成有源层，再在有源层上旋涂一层介电材料作为中间缓冲层，通过掩膜版在中间缓冲层上形成图形化金属保护层，采用干氧刻蚀去掉未被金属保护层覆盖的有源层及中间缓冲层，最后将多余的中间缓冲层及金属保护层进行剥离，从而获得已图形化的有源层。本发明无需使用昂贵的光刻机及光刻材料，避免了化学药品对半导体有源层的腐蚀和溶解。具有制作效率高、成本低且图形化效果好的优点。
一种有机薄膜晶体管有源图形方法

[发明专利]一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构-CN202111217872.X有效
发明人：李利哲;刘宗亮 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构。该制备方法包括以下步骤：将衬底放入反应腔室中，向反应腔室内通入铝源并持续预设的时间以形成厚度介于2‑5nm的成核层；在成核层上依次形成包括AlGaN层、铝渐变层和过渡GaN层的总厚度介于400‑450nm的过渡层，在过渡层上形成厚度介于1.5‑2微米的氮化镓外延层。该方法下在衬底与氮化镓外延层之间先沉积一层过渡层，过通过过渡层能够减少衬底与外延层之间的晶格失配产生的应力，能够防止外延片因晶格失配或应力而产生的翘曲。
一种氮化外延制备方法结构

[发明专利]一种聚合物太阳能电池及其制备方法-CN201210174288.5无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体材料领域，其公开了一种聚合物太阳能电池及其制备方法；该太阳能电池包括依次层叠的阳极基底、空穴缓冲层、活性层、反射层、电子缓冲层和阴极层。本发明提供的聚合物太阳能电池，在活性层与电子缓冲层之间制备一层由低折射率材料制备的反射层，当光通过活性层被活性材料吸收时，部分没有被吸收的光会穿透活性层到达反射层，而当光线从高折射率材料组成的活性层到达反射层界面时
一种聚合物太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种高耐磨性橱柜台面-CN201521047016.4有效
发明人：郭留希;赵清国;武艳强;刘永奇;杨晋中;张建华;邵静茹 -专利权人：郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： A47B96/18 文献下载
摘要：本实用新型属于家具技术领域，具体公开了一种高耐磨性橱柜台面，包括石材基板，石材基板外面设有钻石烯釉层；钻石烯釉层的侧面上设有石材挡水条，石材挡水条外面设有挡水条钻石烯釉层；挡水条钻石烯釉层与钻石烯釉层之间设有粘结剂层，粘结剂可采用合成树脂；石材基板的顶端面上设有装饰层，装饰层可在石材基板表面进行蚀刻形成装饰层或者粘接一层装饰层；钻石烯釉层和挡水条钻石烯釉层均由层片状单晶结构的纳米钻石烯组成。
一种耐磨性橱柜台面