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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]空隙形成器-CN201980036980.1有效
发明人：约翰·史特尔 -专利权人：麦特普私人有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： E04C5/00 文献下载
摘要：本发明涉及在混凝土元件中形成空隙的方法，并且涉及一种可用于该应用的空隙形成器设备和系统。该空隙形成器单元包括第一空隙形成器元件和第二空隙形成器元件，第一空隙形成器元件包括第一表面和在第一表面中的第一开口，第二空隙形成器元件包括第二表面和在第二表面中的第二开口，其中，第一空隙形成器元件和第二空隙形成器元件可拆卸地连接以形成通道和空隙空间，通道在第一开口与第二开口之间，空隙空间围绕通道位于第一表面和第二表面之间。多个空隙形成器单元可以可拆卸地连接以形成包括单个连续空隙空间的空隙形成器系统。虽然例示了在混凝土元件中使用，但是设想了空隙形成器单元和空隙形成器系统的其他使用。
空隙形成

[发明专利]空隙形成用旋转工具及空隙形成方法-CN201180032907.0有效
发明人：堀久司;濑尾伸城 -专利权人：日本轻金属株式会社
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：本发明提供一种在利用摩擦搅拌而在金属构件的内部形成空隙时，空隙不容易挤扁且不容易形成表面缺陷的空隙形成用旋转工具及空隙形成方法。使所述空隙形成旋转工具（1）一边旋转，一边相对于金属构件（Z）进行相对移动，而在所述金属构件（Z）的内部形成空隙（M），其特征是，所述空隙形成旋转工具（1）具有肩部（2）及从所述肩部（2）垂下的搅拌销（
空隙形成旋转工具方法

[发明专利]用于电荷捕获结构的空隙形成-CN201880061490.2在审
发明人： C·M·卡尔森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：所述栅极的至少一部分可通过空隙与其上直接安置有所述电荷捕获结构的区分隔开。揭示了额外设备、系统及方法。
用于电荷捕获结构空隙形成

[发明专利]电荷捕获结构中的空隙形成-CN201880063596.6在审
发明人： C·M·卡尔森;U·鲁索 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L27/11514 文献下载
摘要：电子设备及形成所述电子设备的方法可包含供在各种电子系统及装置中使用的一或多个电荷捕获结构，其中每一电荷捕获结构包含在所述电荷捕获结构的电荷捕获区上的栅极与阻隔电介质之间的介电屏障。在各种实施例中，空隙位于所述电荷捕获区与其上安置有所述电荷捕获结构的区之间。在各种实施例中，使电荷捕获区与电荷捕获结构的半导体柱分隔开的隧道区可经布置使得所述隧道区及所述半导体柱为空隙的边界。
电荷捕获结构中的空隙形成

[发明专利]隔离颈圈空隙及其形成方法-CN200610136542.7无效
发明人：杰克·阿兰·迈德曼;赫伯特·L.·霍;程慷果 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：第一装置包括在体衬底中在微电子器件的一个或多个部分周围形成的空隙。空隙适合于减小在微电子器件与体衬底之间的寄生泄漏。提供了大量其它方案。
隔离空隙及其形成方法

[发明专利]形成受控的空隙的材料和方法-CN201210022734.0有效
发明人： R·N·弗尔蒂斯;吴定军;M·L·奥奈尔;M·D·比特纳;J·L·文森特;E·J·小卡瓦克基;A·S·卢卡斯 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及形成受控的空隙的材料和方法。本发明的一个技术方案是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙
形成受控空隙材料方法

[发明专利]形成受控的空隙的材料和方法-CN200710103575.6有效
发明人： R·N·弗尔蒂斯;吴定军;M·L·奥奈尔;M·D·比特纳;J·L·文森特;E·J·小卡瓦克基;A·S·卢卡斯 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙
形成受控空隙材料方法

[发明专利]形成无空隙沟槽隔离层的方法-CN200610109805.5无效
发明人：朴庆敏 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-08-14 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：公开了形成无空隙隔离的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中的隔离区内形成沟槽；和在半导体衬底上形成填充氧化物以填充沟槽。通过HDP－CVD法并利用包括O₂、SiH₄和He的反应物气体混合物形成所述填充氧化物。在本发明的实施方案中，填充氧化物的形成以两步法进行，所述两步法包括：在溅射速率大于沉积速率的第一D/S值的第一加工条件下用填充氧化物第一次填充沟槽；和在第二D/S值小于第一D/S值的第二加工条件下用填充氧化物第二次填充沟槽
形成空隙沟槽隔离方法

[发明专利]用于在混凝土中形成空隙的装置和方法-CN201980041120.7在审
发明人：雷琳·玛丽·罗萨特 -专利权人：瑞斯泽巴迪泰灵公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B28B23/00 文献下载
摘要：用于在混凝土中形成空隙或空腔的装置和方法，使得可以使用钢筋来连接不同的混凝土浇注，该装置包括具有基部和从基部延伸的细长构件的插入件，并且该方法包括：将插入件联接到模板，围绕插入件将混凝土浇注到模板中，使混凝土部分固化以使得混凝土保持其形状，移除模板和插入件以在部分固化的混凝土中形成空隙，将钢筋插入空隙中，施加粘合剂以将钢筋粘附到混凝土，并且围绕钢筋浇注混凝土，使得钢筋经由空隙和粘合剂将两次浇注的混凝土接合在一起。
用于混凝土形成空隙装置方法

[发明专利]填充空隙沟槽和形成半导体器件的方法-CN200810202833.0无效
发明人：郭佳衢 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种填充空隙沟槽的方法与一种形成半导体器件的方法，其中，填充空隙沟槽的方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一材料层，所述第一材料层表面包括非空隙沟槽表面和位于非空隙沟槽表面间的空隙沟槽，所述空隙沟槽具有第一开口；去除空隙沟槽侧壁与非空隙沟槽表面之间的拐角处的部分第一材料层，使空隙沟槽形成第二开口，所述第二开口大于第一开口；在第一材料层上形成第二材料层并填充空隙沟槽。本发明通过先使待填充的空隙沟槽的开口增大，可以防止后续填充的材料填充空隙沟槽不充分导致空洞的产生。
填充空隙沟槽形成半导体器件方法

[发明专利]减少可固化粘结剂中空隙的形成-CN97181724.3无效
发明人：黛博拉·德弗尔特·法雷 -专利权人：量子材料公司
申请日： 1997-12-29 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： C09J5/02 文献下载
摘要：根据本发明生成的粘结剂能够固化粘着的粘接组件(即包括已与基底粘结的器件的组件)，大大减少固化时的空隙形成。在许多情况下，可以采用发明的粘结剂来减少空隙形成。根据本发明的另一个方面，还提供了应用上述粘结剂的方法，以及由此生成的基本无空隙制品。
减少固化粘结空隙形成

[发明专利]在层间介质层自对准形成空隙的方法-CN201110398278.5无效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种在层间介质层自对准形成空隙的方法，通过硬掩膜及导线进行自对准刻蚀形成凹陷，且通过等离子体化学气相沉积及干法刻蚀可控的在凹陷侧壁形成第二介质层，以调整凹陷的具体尺寸，相对于现有技术，其工艺可控性强
介质对准形成空隙方法

[发明专利]用于附加制造过程的系统和方法-CN201610318954.6有效
发明人：劳尔·托穆塔 -专利权人：波音公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B29C64/10 文献下载
摘要：公开了形成加强的附加制造物体的方法和系统。一种用于形成加强的附加制造物体的方法包括：形成具有第一空隙的第一结构层，该第一空隙部分地穿过第一结构层延伸，形成具有第二空隙的第二结构层，该第二空隙完全地穿过第二结构层延伸至第一结构层与第二结构层之间的边界第一空隙和第二空隙对齐以跨过第一结构层与第二结构层之间的边界形成交叉载荷空隙。利用加强材料填充交叉载荷空隙以形成交叉载荷构件。
用于附加制造过程系统方法

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN202210278110.9在审
发明人：柯忠廷;林颂恩;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提出了形成半导体器件的结构和方法，其中在栅极电极之上形成无空隙的核‑壳硬掩模。在一些实施例中，该无空隙的核‑壳硬掩模可如下形成：在栅极电极之上形成第一衬里层、在第一衬里层之上形成无空隙材料、使无空隙材料凹陷、以及在经凹陷的无空隙材料之上形成第二衬里。
半导体器件制造方法

[发明专利]压塑开口环的方法-CN200780022428.4无效
发明人： M·S·爱德华兹 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： B29C43/00 文献下载
摘要：本发明是一种由聚合物粉末或金属粉末生产模制部件(1)的方法，其中所述模制部件具有缝隙或空隙(5，10)。缝隙或空隙是通过在使用用来形成压制部件的粉末成型材料填充型腔之前、期间或之后，将隔离物或空隙形成材料插入型腔中而形成的。压制部件形成后，隔离物或空隙形成材料被除去以提供缝隙或空隙。
开口方法

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