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[发明专利]较强级别地震监测预报的一种新方法-CN201610407522.2在审
发明人：刘照朗 -专利权人：刘照朗
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G01V1/00 文献下载
摘要：认为较强级别地震都是由较明显、较强烈的空穴效应引发的，空穴效应能够较方便的实时监测；通过监测空穴效应实现对较强级别地震灾害的短临预报，更具有现实性、针对性和准确性；具体做法是：在圈定的地震活跃区域，利用适宜的探测技术手段——例如物探电磁仪、超声波探测仪等，探测地壳中构造运动形成的空穴，这些空穴就是未来可能发生地震的震源和震中；一经探测出地壳中的构造空穴，则将一切技术手段集中于空穴效应的实时监测；通过长期监测统计，发现、探求空穴效应与地震活动的相互关系，例如：不同地壳岩体中空穴失稳崩塌的工程条件，空穴的体量、形态与地震震级的关系，主震空穴与余震空穴的关系等；按照这一技术方向，不断改进探测手段，不断总结监测成果，就可以实现类似天气预报模式的对较强级别地震灾害的较准确的短临预报
级别地震监测预报一种新方法

[发明专利]一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构-CN202211713104.8在审
发明人：刘腾飞;杨建兵;秦昌兵;张阳;唐宇;王玉珠 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构，包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层组成的复合空穴传输层结构，空穴注入层结构由空穴传输主体材料以及P型掺杂材料组成，空穴传输层由空穴传输主体材料与空穴传输次主体材料组成，电子阻挡层由空穴传输次主体材料与电子阻挡材料组成，且构成空穴传输主体材料的HOMO能级与空穴传输次主体材料的HOMO能级不同。空穴传输次主体材料的HOMO能级大于电子阻挡材料的HOMO能级。本发明通过材料设计产生两个空穴传输通道，从而分别提升两个发光单元的空穴注入传输效率，降低由于材料HOMO能级不同导致的势垒效应。通过降低空穴传输势垒来降低热效应，从而实现OLED器件的高寿命表现。
一种空穴传输搭配 oled 器件结构

[发明专利]量子点传感器读出-CN201680017555.4有效
发明人： M·沃蒂莱宁;S·卡利奥伊宁 -专利权人：诺基亚技术有限公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种装置，包括：量子点石墨烯场效应晶体管，其配置成按照入射到其上的光子致使电子空穴对被形成的方式工作；连接器元件，其连接到量子点石墨烯场效应晶体管的背栅；开关元件，其配置成用作输出开关，以便为流过量子点石墨烯场效应晶体管的电流提供输出；其中量子点石墨烯场效应晶体管配置成按照所形成的电子或空穴被捕获在至少一个量子点中并且空穴或电子分别迁移到量子点场效应晶体管的沟道的方式，经由连接到背栅的连接器元件被背栅偏置；以及其中连接到量子点石墨烯场效应晶体管的漏到源电压致使与在量子点处被捕获的空穴或电子的电荷成比例的电流通过电子或空穴在沟道中流动
量子传感器读出

[发明专利]一种化合物MISFET器件热空穴效应的测试结构及表征方法-CN201910173489.5有效
发明人：郑雪峰;马晓华;李纲;朱甜;王小虎;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物MISFET器件热空穴效应的测试结构，包括：衬底(1)、N型外延层(2)、绝缘层(3)、钝化层(4)、栅极(5)、第一P+掺杂区(6)、源极(7)、漏极(8)、N+掺杂区(9)、第二本实施例提供了一种热空穴注入数量与能量可控技术的化合物MISFET器件热空穴效应的测试结构及其表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制绝缘层中热空穴的注入数量，并通过调整电压Va来控制绝缘层中热空穴的注入能量，解决了器件热空穴注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入绝缘层等问题，有助于对异质结器件中的热空穴效应进行深入分析。
一种化合物 misfet 器件空穴效应测试结构表征方法

[发明专利]一种空穴结构的球形银粉及其制备方法-CN202111471478.9有效
发明人：梁炳联;张念椿;李志恒 -专利权人：达高工业技术研究院（广州）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种空穴结构的球形银粉及其制备方法，属于金属粉体制备领域。本发明所述方法以喷射真空泵机组作为反应设备，生成的银粉兼具纳米气泡空穴效应和真空空穴效应带来的空穴结构，在经过包裹剂分散包裹后，制备的产品更加分散均一，高温电阻率低。本发明还公开了所述制备方法制备的空穴结构的球形银粉及其在制备导电填料中的应用。
一种空穴结构球形银粉及其制备方法

[发明专利]晶体管氧化层不同深度处电离-位移协同效应的仿真方法-CN202211404835.4在审
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢;应涛 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真方法，方法包括：在双极晶体管氧化层的不同深度处分别设置预设初始浓度的氧空位缺陷，并根据电子‑空穴对计算模型确定双极晶体管氧化层中的电子‑空穴对数量；基于预设的缺陷演化进程，根据氧空位缺陷和电子‑空穴对不同深度处的电离‑位移协同效应进行仿真，根据仿真结果确定不同深度处的空穴浓度；对不同深度处的空穴浓度进行对比分析，确定双极晶体管氧化层中不同深度处电离‑位移协同效应之间的关系。本发明实现了晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真及研究，提供的仿真方法数据获取过程便捷，获取的数据也不会引入干扰项，分析结果精准可靠。
晶体管氧化不同深度电离位移协同效应仿真方法

[发明专利]一种有机电激发光显示器的驱动电路-CN03146616.8无效
发明人：许至全;林显峰 -专利权人：盛群半导体股份有限公司
申请日： 2003-07-08 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：一种有机电激发光显示器的驱动电路，其包括电流镜、第一场效应晶体管、第一空穴型场效应晶体管以及运算放大器，其中，电流镜的参考电流输入端串连第一场效应晶体管以及第一空穴型场效应晶体管，而第一场效应晶体管的栅极串连运算放大器，当以第一空穴型场效应晶体管作为该驱动电路的电流源时，该电流源将不受电压源的输出漂移所影响，而使该驱动电路具有高精确性。
一种机电激发显示器驱动电路

[发明专利]大级别地震监测预报的一种新方法-CN201810689166.7在审
发明人：刘照朗;刘永龙;刘永昌 -专利权人：广东安元矿业勘察设计有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G08B21/10 文献下载
摘要：大级别地震监测预报的一种新方法其理论认为：大级别地震都是由构造空穴引发，其孕育～爆发过程分为三个阶段：一是区域构造应力能量高度集中，二是高应力作用下构造空穴生成、发育，三是构造空穴极限状态失稳崩塌而触发大级别地震；因此，利用空穴效应和地震实例的监测成果建立关联数据库，通过概率统计能够发现和抽象出空穴效应与大级别地震对应关系的数据模型，从而能够实现大级别地震的更有效的短临预报；其具体做法分三个步骤：第一个步骤是监测、统计、建立空穴效应数据库，第二个步骤是构建大级别地震预报的数据模型，第三个步骤是数据模型的修正和优化。
空穴地震空穴效应数据模型地震监测预报数据库地震预报高应力作用概率统计极限状态建立关联区域构造三个步骤应力能量监测触发构建失稳崩塌抽象发育修正预报优化统计发现

[实用新型]一种工业型超高压细胞破碎机-CN201620440743.5有效
发明人：赵武新;刘艳;秦学;高波 -专利权人：聊城万合工业制造有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C12M1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工业型超高压细胞破碎机，包括支架、双向液压油缸、超高压腔体、回收腔体、止回阀、至少一个出料阀、进料斗、气动油泵、油箱以及两位四通电磁换向阀，先将待破碎细胞的体积两级胀大，然后利用空穴效应与剪切效应将细胞破碎，明显胀大的体积会加剧空穴效应与剪切效应的破碎效果，得到比细胞直接空穴效应和剪切效应破碎更好的破碎效果，使生物医药原料中的细胞组织粉碎，97％以上达到100nm以下，而且目标物颗粒均匀，便于进一步萃取与纯化
一种工业超高压细胞破碎

[发明专利]空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法-CN202210116157.5在审
发明人：骆军委;熊嘉欣;刘洋;管闪;李树深 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提出一种空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法，该方法在传统锗量子阱结构的基础上在界面处插入了一个或多个硅原子层，能够获得一个数量级提升的空穴线性Rashba自旋劈裂。本发明还提供了一种超晶格势垒替代硅锗合金势垒构建锗量子阱的更优方案，该方案在界面量子阱方案的基础上能够继续提升几倍的空穴线性Rashba效应。本发明涉及的锗量子阱结构深度兼容CMOS工艺，获得一个数量级提升的空穴线性Rashba效应将为锗量子点自旋量子比特的快速操控提供全新的解决方案。
空穴线性 rashba 自旋轨道耦合效应增强方法

[发明专利]有机发光器件及显示面板-CN202110032038.7有效
发明人：李灏;颜志敏;孟辉辉;刘强;刘俊伟 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种有机发光器件及显示面板，所述有机发光器件包括：层叠设置的阳极、发光单元和阴极；其中，所述发光单元包括空穴传输层，所述空穴传输层在层叠方向上包括高低折射率交替设置的多个空穴传输子层。通过上述折射率设置，可以使得多个空穴传输子层形成布拉格透镜，具有一定的半透半反效果，以形成微腔效应，进而可以利用微腔效应来提高发光效率，提高其色纯度；且由于微腔效应的引入，使得发光单元的发光光色及发光强度变得相对容易控制
有机发光器件显示面板

[发明专利]在控制栅极边缘上操作存储装置的方法与结构-CN200710111918.3有效
发明人：吴昭谊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明的电荷捕捉存储装置与方法，利用边缘诱发效应而增加第二位操作区间。此边缘诱发效应发生于字线底下的区域，使得当对存储装置使用空穴注入法时，空穴电荷储存于电荷捕捉层中，电荷捕捉层与字线正交，且空穴电荷沿着字线的边缘储存。施加空穴注入至此虚拟接地阵列之后，空穴电荷沿着每一字线的边缘储存，因为字线的边缘与非边缘部分相较之下，其电场较大。
控制栅极边缘操作存储装置方法结构

[发明专利]一种工业型超高压细胞破碎方法以及细胞破碎机-CN201610321268.4有效
发明人：赵武新;刘艳;秦学;高波 -专利权人：聊城万合工业制造有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C12N1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种工业型超高压细胞破碎方法，先将待破碎细胞的体积两级胀大，然后利用空穴效应与剪切效应将细胞破碎，明显胀大的体积会加剧空穴效应与剪切效应的破碎效果，得到比细胞直接空穴效应和剪切效应破碎更好的破碎效果
剪切效应空穴效应破碎超高压细胞破碎胀大超高压细胞破碎机双向液压油缸电磁换向阀细胞破碎机超高压腔工业污染化学试剂回收腔体两位四通破碎细胞气动油泵生物医药细胞破碎细胞组织医药原料出料阀进料斗目标物止回阀两级支架萃取油箱细胞节约

[发明专利]一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管-CN201110056140.7无效
发明人：李泽宏;张超;肖璇;吴宽;姜贯军;余士江;谢家雄 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P+体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上，引入由N型空穴势垒层和N-漂移区形成的JFET效应削弱结构，N型空穴势垒层所形成的扩充电流路径结构。N型空穴势垒层能够增大器件靠近发射极一侧的电导调制效应，减小JFET效应，并增加电子电流的流经面积，减小通态压降；槽型空穴旁路结构能够提高闩锁电流密度，加速空穴抽取，从而提高关断速度；且P+体区增大耗尽区面积
一种增强平面绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管及其制备方法-CN201610527363.X在审
发明人：唐莹;张璇;韦一;彭应全;丁思晗;钱宏昌;杨玉环 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中：柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。
一种垂直沟道柔性有机发光场效应晶体管及其制备方法

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