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[发明专利]一种氮杂卓稠环类衍生物及其制备方法和应用-CN201910314772.5有效
发明人：李先纬;饶建行;霍延平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C07D223/32 文献下载
摘要：本发明属于有机合成技术领域，尤其涉及一种氮杂卓稠环类衍生物及其制备方法和应用。本发明提供了一种氮杂卓稠环类衍生物，所述氮杂卓稠环类衍生物的结构式如式(Ⅰ)所示；其中，Ar为芳基，包括芳香杂环基、苯基或芳香稠环基；R1选自氢、卤元素或含官能团的烃基；R2为烷基；R3和R4选自氢、烷基或芳基。本发明提供了式(Ⅰ)所示的氮杂卓稠环类衍生物，该氮杂卓稠环类衍生物同时包含五元环、六元环和七元环，并且环外含有易转化的醛基官能团或羰基官能团，可便于进行后续转化，在生物、药物及天然产物领域具有良好的应用前景
一种氮杂卓稠环类衍生物及其制备方法应用

[发明专利]一种新型氮杂稠环化合物及其制备方法和应用-CN201910176933.9有效
发明人：岳晚;廖海良 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮杂稠环化合物及其制备方法和应用。本发明通过一种非常简单的方法，合成出了一种新型的氮杂稠环化合物，其化学结构通式如式(IX)、(X)、(XI)所示，其中AR为苯环数≥0的稠环、苯环并氮杂环、稠环苯并氮杂环、苯环接卤代基并氮杂环或稠环接卤代基并氮杂环用该简单方法合成的系列产物，能够获得有效共轭长度在十六个环以上的结构，极其有利于电子的传输，并且最大吸收波长在可见光领域，在有机场效应晶体管(OFET)、有机太阳能电池(OPV)领域具有潜在的应用前景。
一种新型氮杂稠环化及其制备方法应用

[发明专利]含氮芳香族化合物、有机半导体材料及有机电子器件-CN201180043940.3有效
发明人：堀田正则;泽田雄一;川田敦志;轴丸真名;松本惠 -专利权人：新日铁住金化学株式会社
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明提供作为有机半导体材料有用的含氮芳香族杂环化合物以及使用了该化合物的有机电子器件。本发明的含氮芳香族杂环化合物以及使用了该化合物的有机电子器件为具有下述式(1)所示的稠合吲哚骨架的含氮芳香族杂环化合物、含有该化合物的有机半导体材料、以及使用了该有机半导体材料的有机电子器件。式(1)中，X是N-A’、O、S或Se，A是烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳香族烃基或不包括4环以上的稠合杂环在内的芳香族杂环基，R是氢、烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳香族烃基或不包括4环以上的稠合杂环在内的芳香族杂环基
芳香族化合物有机半导体材料电子器件

[发明专利]三嗪化合物及发光器件-CN201710264953.2在审
发明人：黄达;马腾达;谢再锋;曹辰辉 -专利权人：瑞声光电科技（常州）有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：其中，L为取代或未取代的C6～C24亚芳基；n为0或1；Py为取代或未取代的C3～C24的含氮杂环基团或含氮杂环稠合基团；Ac1和Ac2为取代或未取代的C12～C48的含氮杂环稠合基团；Ac1和Ac2可以相同也可以不同当两个含氮杂环稠合基团连接到三嗪基团时，空间位阻导致含氮杂环稠合基团与三嗪基团必然形成一定的角度，实现TADF的设计。
化合物发光器件

[发明专利]萘嵌间二氮杂苯衍生物及其用途-CN201710059953.9在审
发明人：范洪涛;张亚光;张向慧;任雪艳 -专利权人：北京鼎材科技有限公司;固安鼎材科技有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C07D487/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种萘嵌间二氮杂苯衍生物及其用途，化合物通式由如下式(I)表示：其中，A1、A2和A3分别独立选自C6～C60的取代的芳基或稠环芳烃基团、C4～C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团；所述烷基、芳基和稠环芳烃基团上的取代基独立选自含有选自B、N、O、S、P(＝O)、Si和P的杂原子且具有4～60个环碳原子的单环或稠环芳基；所述杂芳基和稠杂环芳烃基团上的取代基独立选自F、Cl、Br、I、CHO、CN、NO2，或选自C1～C30的烷基或环烷基、烯基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者独立选自含有选自B、N、O、S、P(＝O)、Si和P的杂原子且具有4～60个环碳原子的单环或稠环芳基。
芳基式( I )烷基稠环芳烃芳烃基团环碳原子氮杂苯杂芳基杂原子稠环单环杂环萘嵌有机电致发光器件化合物通式硫代烷氧基通式化合物非取代环烷基烷氧基可用烯基

[发明专利]含氮稠环化合物及其应用和有机电致发光器件-CN202210107084.3在审
发明人：吴卫娜;冯美娟;范洪涛;吕瑶 -专利权人：北京绿人科技有限责任公司;江苏绿人半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C07D498/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种含氮稠环化合物及其应用和一种有机电致发光器件。该含氮稠环化合物如式I所示，X和Y相同或不同，各自独立为氧或硫；n是1或2；R1和R2相同或不同，各自独立地为烷基、芳基或杂芳基base:Sub>1和R2中并且R1和R2中至少一个是具有氮杂环的杂芳基，所述含氮杂环选自嘧啶环、喹喔啉环、喹唑啉环和三嗪环中的一种或多种；L1和L2相同或不同，各自独立地选自不存在、亚芳基和亚杂芳基本发明的含氮稠环化合物应用于有机电致发光器件时具有较低的驱动电压及更高的器件发光效率。
含氮稠环化及其应用有机电致发光器件

[发明专利]作为胃酸分泌抑制剂的1－杂环基磺酰基、2－氨基甲基、5－(杂)芳基取代的1－H－吡咯衍生物-CN200680040789.7有效
发明人：梶野正博;莲冈淳;西田晴行 -专利权人：武田药品工业株式会社
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： C07D207/48 文献下载
摘要：本发明提供式(I)所示的化合物或其盐，式中R¹为任选与苯环或杂环稠合的含氮单环杂环基，该任选与苯环或杂环稠合的含氮单环杂环基任选具有取代基，R²为任选取代的C_6－14芳基、任选取代的噻吩基或任选取代的吡啶基，R³和R⁴各自为氢原子，或者R³和R⁴之一为氢原子而另一个为任选取代的低级烷基、酰基、卤原子、氰基或硝基，及R⁵为烷基。
作为胃酸分泌抑制剂杂环基磺酰基氨基甲基取代吡咯衍生物

[发明专利]旋光吡咯化合物-CN93100010.6无效
发明人：伊藤克己;小此木研二;田村典一 -专利权人：武田药品工业株式会社
申请日： 1993-01-01 - 公布日： 1993-08-11 - 主分类号： C07D403/12 文献下载
摘要：式中R1和R2独立地为氢、卤素、卤代烷基、卤代烷氧基或必要时被取代的含氮杂环基；R3是氢或酰基；Q是CH或N；-NA是至少有两个可被取代的相邻氮原子作为成环原子的含氮芳族五元杂环基或有两个或更多可被取代的氮原子作为成环原子的芳族稠合杂环基；标有(R)的碳原子表示R-构型；条件是R1和R2之一当-NA是1H-1，2，4-三唑-1-基时应为必要时被取代的含氮杂环基。
吡咯化合物

[发明专利]旋光吡咯化合物及其制法和用途-CN92113352.9无效
发明人：伊藤克己;小此木研二;田村典一 -专利权人：武田药品工业株式会社
申请日： 1992-11-25 - 公布日： 1993-06-02 - 主分类号： C07D403/06 文献下载
摘要：式中R1和R2独立地为氢、卤素、卤代烷基、卤代烷氧基或必要时被取代的含氮杂环基；R3是氢或酰基；Q是CH或N；是至少有两个可被取代的相邻氮原子作为成环原子的含氮芳族五元杂环基或有两个或更多可被取代的氮原子作为成环原子的芳族稠合杂环基；标有(R)的碳原子表示R-构型；条件是R1和R2之一当是1H-1，2，4-三唑-1-基时应为必要时被取代的含氮杂环基。
吡咯化合物及其制法用途

[发明专利]基于萘的高稠环一氮杂[6]螺烯化合物及其合成方法-CN201310500622.6有效
发明人：刘陟;华万鸣;张保杰;郭巍;陶绪堂;崔得良 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C07D209/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于萘的高稠环一氮杂[6]螺烯化合物（Ⅰ）及其合成方法，属于化工技术领域。本发明以萘和咔唑衍生物为原料，采用光催化闭环的方法，成功制得一类具有光电功能的高稠环一氮杂[6]螺烯化合物。基于萘的高稠环一氮杂[6]螺烯化合物（Ⅰ）在不同的有机溶剂中有很好的溶解性，有利于该化合物的提纯、制膜；通过接入不同取代基可获得多种高稠环一氮杂[6]螺烯化合物。基于萘的高稠环一氮杂[6]螺烯化合物（Ⅰ）有望在有机电致发光、有机场效应管、有机二阶非线性、手性液晶以及生物医药等领域得到广泛应用。
基于高稠环一氮杂化合物及其合成方法

[发明专利]一种6，6‑双取代‑6‑H‑苯并[cd]芘衍生物、中间体及制备方法和应用-CN201310250838.1有效
发明人：邱勇;范洪涛 -专利权人：昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： C07D213/06 文献下载
摘要：本发明涉及一类如式（1）所示的化合物，其中当R5、R6同时为H时，R7、R8分别独立地选自C5‑C30的含氮杂环、取代氮杂环或者稠含氮杂环芳烃，且R1、R2分别独立地选自具有C1‑C30的直链或支链烃基，C6‑C30的取代或未取代的苯环，或者稠环芳烃；或者R1、R2通过其他基团连接形成环状化合物；或者，当R7、R8同时为H时，R5、R6分别独立地选自C5‑C30的含氮杂环、取代氮杂环或者稠含氮杂环芳烃，且R1、R2分别独立地选自具有C1‑C30的直链或支链烃基，C6‑C30的取代或未取代的苯环，或者稠环芳烃；或者R1、R2通过其他基团连接形成环状化合物。
一种取代 cd 衍生物中间体制备方法应用

[发明专利]发光层主体材料和有机电致发光器件-CN201510057000.X有效
发明人：范洪涛;张向慧;李艳蕊;任雪艳 -专利权人：固安鼎材科技有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C07D213/127 文献下载
摘要：本发明涉及一类如式(1)所示的2，6，6，8‑四取代‑6H‑苯并[cd]芘类化合物，其中R1、R2取自C6‑C50芳香基、取代C6‑C50芳香基、C1‑C20烷基，或者R1、R2通过其他基团连接形成环状化合物，Ar1、Ar2分别独立地选自C5‑C30的缺电子的含氮杂环芳烃、取代氮杂环芳烃或者稠含氮杂环芳烃，或者是具有上述含氮杂环芳烃取代基的C6‑C30的芳烃或者稠环芳烃。
取代 cd 化合物含有有机电致发光器件

[发明专利]五并七元氮杂稠环化合物及其制备方法-CN202211252899.7在审
发明人：薛梅;何春林 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明公开了五并七元氮杂稠环化合物，其通过将五元氮杂环并七元氮杂环形成的稠环化合物，丰富了氮杂稠环骨架的种类，通过氨基的引入拓宽了化合物的反应活性，为基于氮杂稠环骨架的新型含能材料的研究奠定了基础、提供了新思路，本发明还公开了五并七元氮杂稠环化合物的制备方法，其从已知的原料出发，通过一步反应实现新型五并七元氮杂稠环化合物的合成。
七元氮杂稠环化及其制备方法

[发明专利]一种含有硼、氮、硫原子和五元芳杂环的稠环化合物及有机电致发光器件-CN202011518796.1在审
发明人：王利祥;邵世洋;李强;赵磊;王兴东;王淑萌;吕剑虹;田洪坤 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有硼、氮、硫原子和五元芳杂环的稠环化合物，如式(I)所示。与现有技术相比，本发明采用含有硼、氮、硫原子和五元芳杂环的稠环化合物作为发光材料，一方面可利用硼原子和氮原子及硫原子之间的共振效应实现HOMO和LUMO的分离，从而实现较小的ΔEST和TADF效应，同时这类杂化稠环单元具有刚性骨架结构，能够降低激发态结构弛豫程度，从而实现较窄的半峰宽；另一方面还可通过在硼/氮/硫杂化稠环单元的骨架中引入五元芳杂环和不同的取代基
一种含有原子五元芳杂环环化有机电致发光器件

[发明专利]一种氮杂稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法与应用-CN202210402810.4在审
发明人：赵保敏;黄维;李海洋;傅妮娜;汪联辉;储兴胜 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮杂稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法及应用，所述半导体材料结构通式为所述材料的氮杂高度扭曲多环芳烃分子核心骨架结构主要由芳基并吡咯单元与对称四卤素取代核心单元偶联及后续本发明通过将给电子特性的芳基并吲哚稠合形成多环芳烃、引入分子内刚性位阻方法实现多环芳烃分子的高度扭曲，能够有效调控氮杂稠合扭曲多环芳烃在溶液、固态薄膜中堆积行为。
一种氮杂稠合扭曲芳烃半导体材料及其制备方法应用

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