专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种空穴传输层材料及其制备方法、钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN202010504469.4有效
  • 赵保敏;张静;汪联辉;李学伟;丁竹成;李海洋 - 南京邮电大学
  • 2020-06-05 - 2023-02-10 - C07C211/61
  • 本发明公开了一种空穴传输层材料在钙钛矿太阳电池中的应用。这种空穴传输层材料均以螺芴为核,N‑芳基萘胺为四个端基。钙钛矿太阳电池包括衬底、电极、空穴传输层、活性层、电子传输层和电极,其中活性层为传统的甲胺碘化铅(MAPbI)型钙钛矿,空穴传输层为本发明公开的一种基于N‑芳基萘胺的空穴传输层材料。本发明所制备的钙钛矿电池均具有较高的开路电压,较高的短路电流,较高的填充因子,相应的钙钛矿电池能量转换效率最高可达17.33%,此外,在无掺杂情况下,相应的钙钛矿器件依然具有较高的光电转换效率。本发明的空穴传输材料在钙钛矿制备过程中可溶解于溶剂中最终留在钙钛矿层中形成异质结结构,从而提高空穴的抽取效率且降低空穴‑电子复合的几率,N‑芳基萘胺的引入提升了器件稳定性。
  • 一种空穴传输材料及其制备方法钙钛矿太阳电池
  • [发明专利]一种近红外发光荧光分子及其制备方法与应用-CN202210423464.8在审
  • 傅妮娜;刘梦梦;赵保敏;汪联辉;李婷婷;李畅 - 南京邮电大学
  • 2022-04-21 - 2022-07-15 - C07D513/04
  • 本发明提供一种近红外发光荧光分子及其制备方法和应用。所述分子以代表化合物,荧光发射峰出现在700~1600nm范围内。X为O,S,Se,Te或N‑R,D21和D22至少一个取自二芳基氨基、芳基桥联的二芳基氨基、9‑咔唑基、9‑芳基‑咔唑基、芳基或杂环芳基并吲哚基中的一种;L11和L12各取自单键、芳基、杂芳基;Ar11,Ar12,Ar13和Ar14各取自芳基、杂芳基;m和n各取自1~4的整数;L21和L22取自双键、芳基、杂芳基;虚线表示所连接的单元可各自独立或成环,成环可经单键、‑O‑,‑S‑,‑C(CH3)2‑,‑C(Ar15)2‑,‑Si(CH3)2‑,‑Si(Ar15)2‑,‑BAr16‑桥联。本发明化合物具有近红外一区和二区光吸收和荧光发射,有更好的热稳定性、更高的光致发光量子效率和更小的ΔΕST及高的反向系间跃迁率。在有机半导体器件、生物传感等领域获得全新广泛的应用前景。
  • 一种红外发光荧光分子及其制备方法应用
  • [发明专利]热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用-CN202210305303.9在审
  • 傅妮娜;邹鑫;赵保敏;汪联辉;种彬;田梦 - 南京邮电大学
  • 2022-03-25 - 2022-06-14 - C07D241/38
  • 本发明提供了一种热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用,所述半导体材料结构如通式所示X是N或氰基取代的次甲基,D1和D2至少一个取自二芳基氨基、芳基桥联的二芳基氨基、9‑咔唑基、9‑芳基‑咔唑基、芳基或杂环芳基并吲哚基中的一种;R11,R12R21,R22各自独立的取自氢、氘、烷基、芳基、杂芳基等,l、k、m和n取自独立取自0~4的整数且m+n6,l+k6本发明公开的化合物具有较长的光发射波长、更好的热稳定性、更高的光致发光量子效率和更小的ΔΕST以及高的反向系间跃迁率。本发明提供的一种有机热活化延迟荧光半导体能够在有机半导体器件、生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。
  • 活化延迟荧光半导体材料及其制备方法应用
  • [发明专利]一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法-CN201910525833.2有效
  • 赵保敏;刘丹;刘书利;傅妮娜;章胜裕;汪联辉 - 南京邮电大学
  • 2019-06-18 - 2021-11-12 - C08G61/10
  • 本发明公开了一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法,所述制备方法为:等摩尔量化合物A与化合物B发生Suzuki反应,得聚合物C;聚合物C加入无水三氯化铁的硝基甲烷溶液,发生关环反应,制得石墨烯纳米带;化合物A为双溴代、双碘代或双三氟甲磺酸酯的并五苯衍生物,化合物B为双硼酸和双硼酸酯萘、芘或苝中的一种。本发明采用先合成具有特定关环位点的可溶性共轭聚合物,再氧化脱氢反应关环,制得可溶规整石墨烯纳米带,引入了适当增加溶解性的柔性烷基链,改善了材料的稳定性、溶解性和加工性能。其制备方法简单易行、产率高、结构可控且可设计、易于分离纯化,在有机半导体器件、生物传感等多领域具有广泛的应用前景。
  • 一种基于石墨纳米制备方法
  • [发明专利]一种非掺杂空穴传输材料及其应用-CN202110397732.9在审
  • 赵保敏;丁竹成;汪联辉;李海洋;种彬 - 南京邮电大学
  • 2021-04-13 - 2021-07-13 - C07D495/14
  • 本发明公开了一种非掺杂空穴传输材料的结构、合成方法及其应用。一种非掺杂型空穴传输材料以N,N‑二芳基‑m‑苯胺基作为外围给电子单元,以2,6,10‑三甲基三亚苯、烷基取代的TRX、N‑TRX和三噻吩并苯、二噻吩并吡咯等为核心构成。本发明还公开了一种非掺杂空穴传输材料作为钙钛矿太阳电池空穴传输层的用途,所述的钙钛矿太阳电池各层包括衬底、电极、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和电极,其中,空穴传输层至少包括一种非掺杂空穴传输材料中的一种或两种以上的混合物。本发明公开的一种非掺杂空穴传输材料具有高迁移率、高稳定性和易于合成等优势,所制备的钙钛矿电池具有光电转换效率高、器件稳定性好的优势。
  • 一种掺杂空穴传输材料及其应用
  • [发明专利]一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用-CN201810299092.6有效
  • 赵保敏;胡月明;仪明东;傅妮娜;刘书利;黄维 - 南京邮电大学
  • 2018-04-04 - 2021-02-19 - C08G61/12
  • 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用,共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中,有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底,在所述衬底的上表面设置有栅电极,在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层,在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层,所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域,在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能,获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。
  • 一种基于芳烃共轭聚合物应用

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