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[发明专利]绝缘体上宽禁带材料CMOS结构及其制备方法-CN201110250243.7无效
发明人：黄晓橹;刘格致;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上宽禁带材料CMOS结构，PMOS晶体管与NMOS晶体管共用栅极区域，NMOS晶体管的源极区域和漏极区域进行离子掺杂注入后，构成NMOS晶体管的源极区域和漏极区域的半导体材料的禁带宽于硅的禁带
绝缘体上宽禁带材料 cmos 结构及其制备方法

[发明专利]绝缘体上宽禁带材料CMOS结构及其制备方法-CN201110250274.2无效
发明人：黄晓橹;赵芳芳;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上宽禁带材料CMOS结构，PMOS晶体管与NMOS晶体管共用栅极区域，NMOS晶体管的源极区域和漏极区域进行离子掺杂注入后，构成NMOS晶体管的源极区域和漏极区域的半导体材料的禁带宽于硅的禁带
绝缘体上宽禁带材料 cmos 结构及其制备方法

[发明专利]一种深紫外LED外延片及其制造方法-CN202011395103.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：至芯半导体（杭州）有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外LED外延片，属于半导体光电子技术领域，包括LED外延片上设置于衬底和电子阻挡层之间的缓冲层，所述缓冲层为多层宽禁带直接带隙半导体设置构成多层子缓冲层，不同层宽禁带直接带隙半导体的带隙能不全相同
一种深紫 led 外延及其制造方法

[发明专利]基于带限航空矢量重力确定大地水准面的两步积分直接法-CN201611062853.3有效
发明人：邓凯亮;陆秀平;欧阳永忠;吴太旗;黄辰虎;黄贤源;李凯锋;范龙;张博;陈欣 -专利权人：中国人民解放军92859部队
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G01V7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于带限航空矢量重力确定大地水准面的两步积分直接法，其主要技术特点是包括：依据广义水平边值理论，基于带限航空矢量重力计算带限航空扰动位；依据Dirichlet理论，基于带限航空扰动位直接计算带限海面扰动位，通过Bruns公式将带限海面扰动位转化为大地水准面。
矢量航空扰动大地水准面大地水准重力计算直接法海面工程化应用技术特点计算功能直接计算水平边转化

[发明专利]量子点组合物、量子点发光薄膜、发光二极管及显示装置-CN202111055048.9在审
发明人：吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点组合物，包括两种或两种以上的核壳结构的量子点及溶剂，所述两种或两种以上的核壳结构的量子点中，至少两种量子点的壳层的禁带宽度不同。本申请的量子点组合物中，禁带宽度大的量子点的量子限域效果好，可以使量子点发光二极管具有高亮度长寿命的特性，禁带宽度小的量子点，可以使量子点发光二极管具有低启亮电压及低电流下高效率的特性。
量子组合发光薄膜发光二极管显示装置

[发明专利]限力卷收器-CN201510154416.3有效
发明人：伏春波 -专利权人：天合汽车研发(上海)有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B60R22/46 文献下载
摘要：本发明涉及限力卷收器，包括卷簧组件、限力杆、卷带筒、止动轮、U型架组件和机械侧盖，其中：限力卷收器还包括可拆卸的限力构件，限力构件可拆卸地安装到卷带筒上并随着卷带筒一起转动而形成转动路径；止动轮上具有止动构件，止动构件设置在限力构件的转动路径上；并且在卷带筒相对于止动轮转动期间，限力构件能够选择性地与止动构件接合而形成限力作用。本发明将普通式限力卷收器、递增式限力卷收器和递减式限力卷收器的功能集于一体，有效降低了设计研发成本，不必针对单独的限力功能而设计专门的卷收器结构和机构。
限力卷收器

[发明专利]窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法-CN201910082596.7在审
发明人：刘兴钊;潘棋;范旭东;任羿烜;代天军;罗文博;张万里;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的窄禁带半导体薄膜包括重叠设置于衬底基片上的二维硫族化合物薄膜层和窄禁带半导体层，所述二维硫族化合物薄膜层的材料至少包括下述选定硫族化合物材料之一₂、WTe₂、HfTe₂、ZrTe₂、NbTe₂、TaTe₂；所述窄禁带半导体层的材料的材料至少包括下述各材料之一
窄禁带半导体光敏二极管薄膜窄禁带半导体层硫族化合物薄膜层二维制备硫族化合物材料电子信息材料衬底基片重叠设置探测率响应度元器件高光

[发明专利]一种背照式窄带通日盲紫外探测器及其制备方法-CN201710331702.1有效
发明人：谢峰;杨国锋;周东;陆海 -专利权人：南京紫科光电科技有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式窄带通日盲紫外探测器，从下往上依次包括衬底，AlN缓冲层，组分渐变Al_x1Ga_1‑x1N短波滤波层，宽禁带半导体n+‑Al_x2Ga_1‑x2N欧姆接触层，宽禁带半导体非故意掺杂Al_x2Ga_1‑x2N本征吸收层，宽禁带半导体p型Al_x21‑x2N欧姆层，p型Al_x3Ga_1‑x3N渐变层，p+型GaN欧姆接触层和p型欧姆接触电极；且上述材料上表面设有绝缘介质钝化层，宽禁带半导体
宽禁带半导体欧姆接触层探测器短波日盲本征吸收层紫外光探测紫外探测器接触电极绝缘介质能带结构组分渐变背照式钝化层渐变层滤波层欧姆层上表面窄带通衬底滤出杂波窄带掺杂

[实用新型]带安全帽的空气禁入止逆球墨菲斯管-CN200420043423.3无效
发明人：陈庆强 -专利权人：陈庆强
申请日： 2004-03-12 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： A61M5/40 文献下载
摘要：带安全帽的空气禁入止逆球墨菲斯管，涉及一种主体结构由墨菲斯管2中装有一个空气禁入止逆球5构成的装置，空气禁入止逆球5通过定位销4装配一个安全帽3，空气禁入止逆球5装配一个定向块6。定位销4、定向块6、以及空气禁入止逆球5及其安装定向块6的安装孔8具有以圆为基础的几何对称性，装配后的它们的几何中轴线相重合，安全帽的帽沿9安装在空气禁入止逆球5的赤道直径D平面和定位销4顶部的高度H之间，帽沿9可直接安装在空气禁入止逆球5的赤道直径D平面的圆周上。
安全帽空气禁入止逆球墨菲斯管

[发明专利]载送带切断装置和部件组装机-CN97196692.3无效
发明人：末木诚;内田英树;成清和彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-08-07 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H05K13/02 文献下载
摘要：一种载送切断装置具备有可以往返移动且在行进端限和返退端限两边都有切刃的可动切刃、分别与可动切刃的行进端限和返退端限的切刃相向配设且通过剪切力切断载送带的具有行进端限切刃和返退端限切刃的固定切刃及可根据不同种类分别收集所切断载送带的带分隔的载送带收存部，该收存部配设在与可动切刃的行进端限切刃和返退端限切刃的各切刃对应的固定切刃的各切刃的切断部分的下方。
载送带切断装置部件组装

[发明专利]导电端子材料、电阻器与其制作方法-CN201810220170.9在审
发明人：黄宗熙;蔡承琪 -专利权人：新力应用材料有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01C1/14 文献下载
摘要：本发明可符合电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)所规定的有害物质要求。
导电端子核心层导电粒子包覆层电阻器材料包含金属电机电子纳米碳管纳米碳球物质要求石墨烯石墨包覆制作合金指令

[发明专利]电阻材料、电阻器与其制作方法-CN201810220079.7在审
发明人：黄宗熙;蔡承琪 -专利权人：新力应用材料有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明可符合电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)所规定的有害物质要求，其电阻温度系数(TCR)也较低。
电阻材料核心层包覆层电阻器阻抗粒子材料包含金属电阻温度系数电机电子纳米碳管纳米碳球物质要求石墨烯石墨包覆制作合金指令

[发明专利]一种柔性透明导电薄膜及其制备方法-CN201710178564.8在审
发明人：李民;徐苗;黄东晨;王磊;邹建华;陶洪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种柔性透明导电薄膜及其制备方法，该制备方法包括提供一柔性衬底；在柔性衬底上形成纳米材料导电层；在纳米材料导电层上形成无机保护层，无机保护层的组成材料为至少一种宽禁带无机材料，宽禁带无机材料的禁带宽度大于或等于本发明实施例中无机保护层覆盖在纳米材料导电层上，能够阻隔水氧以保护纳米材料导电层，也能够有效改善纳米材料导电层的稳定性和耐高温性，进而实现柔性透明导电薄膜的高稳定性和优异的耐温性能；而禁带宽度在3eV及以上的无机材料在可见光区域基本无吸收
一种柔性透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]日盲紫外单光子源及其制备方法-CN201711386201.X有效
发明人：陈飞良;李沫;李倩;张晖;黄锋;李舒啸;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲紫外单光子源及其制备方法，包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构中量子点的禁带宽度大于4.43 eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本发明对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280 nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发射，可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、近距离保密通信、量子精密测量相关领域。
紫外光子及其制备方法

[实用新型]日盲紫外单光子源-CN201721793763.1有效
发明人：陈飞良;李沫;李倩;张晖;黄锋;李舒啸;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种日盲紫外单光子源，包括由宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构的禁带宽度大于4.43 eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本实用新型对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280 nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发射
量子点本实用新型紫外单光子单量子点衬底禁带可用嵌埋日盲半导体材料宽禁带半导体单光子发射量子阱结构保密通信单光子源发射波长精密测量量子成像量子计算量子认证量子限制量子信息日盲波段发射本征层电泵浦光泵浦光子源近距离宽禁带纳米线薄膜量子平行垂直激发应用