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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器-CN201711007372.7有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生;及川亨 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，能够容易进行磁化反转。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具有：铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其与所述铁磁性金属层接合；界面应变供给层，其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合。
自旋轨道转矩磁化反转元件磁存储器

[发明专利]半导体存储装置-CN202180027016.X在审
发明人：辰野太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：每个存储器单元包括磁化反转存储元件和控制流向磁化反转存储元件的电流的第一开关元件。控制电路执行基于磁化反转存储元件的、写入错误率曲线相对于写入电压的非对称性的写入控制。
半导体存储装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210152766.2有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储装置，该存储元件包含存储层，其通过磁性材料的磁化状态保持信息；具有磁化的磁化固定层，该磁化被用作存储在存储层中的信息的基础；非磁性物质的中间层，设置在存储层和磁化固定层之间。存储元件被构造为，通过使用自旋扭矩磁化反转使存储层的磁化进行反转来存储信息，自旋扭矩磁化反转通过电流在包含存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动而产生，在存储层的饱和磁化和厚度分别由Ms（emu
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110166046.7有效
发明人：大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件和包含该存储元件的存储装置，所述存储元件包括：存储层，其配置为基于磁性材料的磁化状态而保持信息；磁化固定层；和非磁性中间层。所述存储层包括：垂直磁化层，其磁化方向处于垂直于膜面的方向；非磁性层；和强磁性层，其沿膜面内方向具有易磁化轴，并且该强磁性层的磁化方向相对于垂直于膜面的方向倾斜处于15度～45度范围内的角度，通过垂直磁化层隔着非磁性层与强磁性层的堆叠，并且在垂直磁化层和强磁性层之间进行磁耦合，从而构成所述存储层。本发明通过在存储元件的存储层中的强磁性层的磁化和垂直磁化层的磁化的方向的反转，可缩短将信息记录在存储元件中所必需的反转时间，还可减小该反转时间的差异。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110461334.5有效
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山彻哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置。存储元件包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，该存储层的磁化的方向根据信息而改变；磁化固定层，其具有与用作存储在存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化；和非磁性物质的绝缘层，绝缘层设置在存储层和磁化固定层之间在上述存储元件中，使用自旋转矩磁化反转来反转存储层的磁化以存储信息，通过层结构的层叠方向上流动的电流来产生自旋转矩磁化反转，该层结构包括存储层、绝缘层和磁化固定层，存储层在与绝缘层相反一侧上直接具有层，
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储设备-CN201110249775.9在审
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储设备。该存储元件包括存储层，通过磁性材料的磁化状态保持信息；磁化固定层，具有作为存储在存储层中信息的基准的磁化；以及中间层，由非磁性材料形成并设在存储层和磁化固定层之间。利用根据在具有存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流产生的自旋矩磁化反转对存储层的磁化进行反转以执行信息存储，存储层包括含有Fe和Co中至少一种的合金区域，以及存储层在其磁化反转期间接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量
存储元件设备

[发明专利]磁性元件和存储装置-CN201611035933.X有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁性元件和存储装置，其中，该磁性元件包括：自由磁化层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在自由磁化层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
磁性元件存储装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210260559.9有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括存储层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在存储层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
存储元件装置

[发明专利]信息存储元件和存储装置-CN201610997701.6有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及信息存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在存储层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
信息存储元件装置

[发明专利]磁阻效应元件和磁阻式随机存取存储器-CN200710161358.2无效
发明人：吉川将寿;甲斐正;永濑俊彦;北川英二;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。
磁阻效应元件随机存取存储器

[发明专利]磁阻效应元件和磁存储器-CN200710006985.9无效
发明人：杉山英行;齐藤好昭;井口智明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：可以在低电流密度下引起自旋反转，这样不会造成元件损坏，还可以用小电流进行写操作。一种磁阻效应元件包括：磁化钉扎层，其中磁化方向被钉扎；磁记录层，其中磁化方向可变，所述磁化钉扎层中的磁化方向与所述磁记录层中的磁化方向之间形成一个大于0度小于180度的角，并且通过注入自旋极化电子到所述磁记录层中，所述磁记录层中的磁化方向实现反转；以及一个非磁性金属层，介于所述磁化钉扎层和磁记录层之间。
磁阻效应元件磁存储器

[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件和磁存储器-CN201810035098.2有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供能够减少磁化反转所需要的反转电流密度的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器。该自旋流磁化反转元件具有：沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线；和在与上述自旋轨道转矩配线交叉的第二方向层叠的第一铁磁性层，上述第一铁磁性层具有多个铁磁性结构层和夹在相邻的铁磁性结构层间的至少1层插入层，夹着上述多个铁磁性结构层中的至少
自旋磁化反转元件磁阻效应磁存储器

[发明专利]磁阻效应元件以及磁随机存取存储器-CN200810169881.4无效
发明人：中山昌彦;药师寺启;池川纯夫;汤浅新治;甲斐正;永瀬俊彦;天野实;相川尚德;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应元件以及磁随机存取存储器。磁阻效应元件具备基准层、记录层、以及非磁性层。基准层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第1磁化，且磁化的方向不变。记录层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第2磁化，且磁化的方向可变。上述非磁性层被设置在基准层与记录层之间。由记录层的磁各向异性、饱和磁化以及交换结合决定的、单磁区状态成为唯一的稳定状态的临界直径(单轴临界直径Ds^*)、或者单磁区状态为唯一的稳定状态、且即使在反转过程中也一边保持单磁区状态一边反转的临界直径(单轴反转临界直径Ds)大于磁阻效应元件的元件直径。
磁阻效应元件以及随机存取存储器

[发明专利]电流磁场辅助型自旋流磁化反转元件和磁阻效应元件-CN201711008409.8在审
发明人：佐佐木智生;盐川阳平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种利用纯自旋流的磁化反转的电流磁场辅助型自旋流磁化反转元件。本发明的电流磁场辅助型自旋流磁化反转元件(10)具备：磁化方向变化的第一铁磁性金属层(1)；沿相对于第一铁磁性金属层(1)的垂直方向即第一方向正交的面内的第二方向延伸且与上述第一铁磁性金属层(1)接合的自旋轨道转矩配线(2)；以及以利用绝缘层(4)与第一铁磁性金属层(1)电绝缘的方式配置且其中流通用于形成辅助第一铁磁性金属层(1)的磁化反转的磁场H0的电流I
电流磁场辅助自旋磁化反转元件磁阻效应

[发明专利]存储元件和存储设备-CN201210152403.9有效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件和存储装置。其中，该存储元件包括：存储层，具有垂直于其膜面的磁化，并通过磁性物质的磁化状态保持信息；磁化钉扎层，具有被用作存储在存储层中的信息的基准的、垂直于其膜面的磁化；非磁性物质中间层，设置在存储层和磁化钉扎层之间该存储元件被配置为，通过使用在包括存储层、中间层和磁化钉扎层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化从而存储信息。
存储元件设备

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