[发明专利]存储元件和存储设备在审
| 申请号： | 201110249775.9 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102385923A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋;梁韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了存储元件和存储设备。该存储元件包括存储层，通过磁性材料的磁化状态保持信息；磁化固定层，具有作为存储在存储层中信息的基准的磁化；以及中间层，由非磁性材料形成并设在存储层和磁化固定层之间。利用根据在具有存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流产生的自旋矩磁化反转对存储层的磁化进行反转以执行信息存储，存储层包括含有Fe和Co中至少一种的合金区域，以及存储层在其磁化反转期间接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 设备 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括：存储层，通过磁性材料的磁化状态保持信息；磁化固定层，具有作为存储在所述存储层中的信息的基准的磁化；以及中间层，由非磁性材料形成并设在所述存储层和所述磁化固定层之间，其中，利用根据在具有所述存储层、所述中间层和所述磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流产生的自旋矩磁化反转，对所述存储层的磁化进行反转来执行信息的存储，所述存储层包括含有Fe和Co中至少一种的合金区域，并且所述存储层在其磁化反转期间接收的有效反磁场的大小小于所述存储层的饱和磁化量。
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