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[发明专利]自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器-CN201780011944.0有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生;及川亨 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。
自旋磁化反转元件及其制造方法磁阻效应磁存储器

[发明专利]磁化反转元件、磁阻效应元件和存储设备-CN201880000876.2有效
发明人： 及川亨;佐佐木智生;盐川阳平;柴田龙雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：该磁化反转元件具有：铁磁性金属层；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，上述铁磁性金属层位于上述自旋轨道转矩配线的一个面上，从上述自旋轨道转矩配线注入上述铁磁性金属层的自旋的方向相对于上述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，上述铁磁性金属层的阻尼常数大于0.01。
磁化反转元件磁阻效应存储设备

[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器-CN201680068794.2有效
发明人：佐佐木智生;及川亨 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的自旋流磁化反转元件中，具备：磁化方向可变的第二铁磁性金属层(1)；向相对于上述第二铁磁性金属层(1)的垂直于平面的方向交叉的方向延伸，且接合于上述第二铁磁性金属层(1)的自旋轨道力矩配线(2)，上述自旋轨道力矩配线层(2)的、接合于上述第二铁磁性金属层(1)的接合部分的自旋电阻比上述第二铁磁性金属层(1)的自旋电阻大。
自旋磁化反转元件磁阻效应磁存储器

[发明专利]自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器-CN201711007372.7有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生;及川亨 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，能够容易进行磁化反转。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具有：铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其与所述铁磁性金属层接合；界面应变供给层，其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合。
自旋轨道转矩磁化反转元件磁存储器

[发明专利]磁阻效应元件、自旋MOSFET和自旋传导元件-CN201480063796.3有效
发明人：佐佐木智生;及川亨 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应元件，其具备：半导体通道层(7)，经由第1隧道层(81A)配置于半导体通道层上的磁化固定层(12A)，经由第2隧道层(81B)配置于半导体通道层上的磁化自由层(12B)，半导体通道层实质上由包含了与第1隧道层的界面的第1区域(7A)、包含了与第2隧道层的界面的第2区域(7B)、第3区域(7C)构成，第1区域和第2区域的杂质浓度为超过1×10¹⁹cm^‑3的浓度，第3区域的杂质浓度为1×10¹⁹cm^‑3以下，第1区域和第2区域隔着第3区域而分离，第1区域和第2区域的杂质浓度分别从半导体通道层与第1隧道层的界面以及半导体通道层与第2隧道层的界面单调地在半导体通道层的厚度方向上减少。
磁阻效应元件自旋金属氧化物半导体场效应晶体管传导

[发明专利]磁阻效应元件、Spin-MOSFET、磁传感器以及磁头-CN201480063657.0有效
发明人：佐佐木智生;及川亨;小池勇人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：在使用了半导体的自旋传导元件中，与现有的GMR元件或TMR元件相比，存在元件电阻变大，并且难以获得大的磁阻比问题。本发明涉及一种磁阻效应元件，其特征在于：具备半导体通道层3、被设置于半导体通道层3上的第1强磁性层12A和与第1强磁性层12A分开设置的第2强磁性层12B、与第1强磁性层12A以及第2强磁性层12B分开设置的非磁性的第1参考电极20，电流经由半导体通道层3从第2强磁性层12B被输入到第1强磁性层12A，并输出第2强磁性层12B与第1参考电极20之间的电压。
磁阻效应元件 spin mosfet 传感器以及磁头

[发明专利]磁性传感器、磁性检测装置以及磁头-CN201110045918.4有效
发明人：佐佐木智生;及川亨;野口洁 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性传感器、磁性检测装置以及磁头。本发明的磁性传感器具备第一强磁性体(12A)、第二强磁性体(12B)、从第一强磁性体(12A)延伸至第二强磁性体(12B)的通道(7)、覆盖通道(7)的隔磁套(S2)、被设置于通道(7)与隔磁套(S2)之间的绝缘膜(7b)；隔磁套(S2)具有朝着通道(7)延伸的贯通孔(H)。
磁性传感器检测装置以及磁头