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[发明专利]一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构-CN201810473913.3有效
发明人：张浩 -专利权人：江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构，涉及碳化硅功率模块封装技术领域，包括碳化硅功率器件和连接各碳化硅功率器件的排线组，还包括隔离衬板，碳化硅功率器件穿设在隔离衬板上，且每两个碳化硅功率器件为一组，每组两碳化硅功率器件的接线通道相对设置，隔离板外设有扣合碳化硅功率器件的壳体，壳体包括分别设于隔离板两侧的上壳体和下壳体。本发明通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使并联的碳化硅功率器件整体更稳定，机械强度更高。
一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构

[发明专利]一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法及装置-CN202110071525.4有效
发明人：兰欣;朱士伟;于功山;王兴华;刘祥龙;谢国芳;吴平 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种监测碳化硅功率模块老化程度的方法及装置，用以解决现有的对碳化硅功率模块寿命进行的测试方法，不能实时反映碳化硅功率模块老化程度的技术问题。方法包括：获取碳化硅功率模块上的若干热电偶分别对应的温度值；其中，若干热电偶通过耐高温导热胶带均匀贴装于碳化硅功率模块的铜基板底部；基于若干热电偶分别对应的温度值，确定碳化硅功率模块对应的温度分布云图；通过温度分布云图，确定碳化硅功率模块的老化程度。本申请通过在碳化硅功率模块的铜基板底部贴装热电偶的方式，获取若干碳化硅功率模块对应位置温度值从而确定碳化硅功率模块老化程度，实现了实时反映碳化硅功率模块的老化程度的技术效果。
一种监测碳化硅功率模块老化程度方法装置

[发明专利]碳化硅双面散热功率模块优化设计方法、系统、设备及介质-CN202211611189.9在审
发明人：王来利;程子禛;刘智;甘永梅;张虹;王见鹏;杨奉涛;裴云庆;肖国春;贾立新 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅双面散热功率模块优化设计方法、系统、设备及介质，包括：获取碳化硅双面散热功率模块的原始尺寸参数；根据碳化硅双面散热功率模块的尺寸参数与碳化硅双面散热功率模块各性能指标的对应关系，再以碳化硅双面散热功率模块的原始尺寸参数为输入参量，以碳化硅双面散热功率模块的各性能指标为优化变量，采用遗传算法确定若干组碳化硅双面散热功率模块的最优尺寸参数，该方法、系统、设备及介质能够实现对碳化硅双面散热功率模块的优化。
碳化硅双面散热功率模块优化设计方法系统设备介质

[实用新型]一种碳化硅功率器件及其封装结构-CN202223033503.8有效
发明人：叶红海;印晓春;印水柔 -专利权人：宁波君芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅功率器件及其封装结构，包括碳化硅功率器件体，碳化硅功率器件体包括功率器件基板和碳化硅外层，功率器件基板的顶部设置有正电极层，功率器件基板的底部设置有负电极层，正电极层和负电极层的外壁均固定安装有粘接层，粘接层的外壁固定安装有烧结层，烧结层的外壁固定安装有金属层，碳化硅外层设置在金属层的外部，本实用新型中功率器件基板的外部利用粘接层连接固定烧结层，烧结层和金属层提高碳化硅功率器件体的传热效率，并且碳化硅外层也增加了碳化硅功率器件体的耐高温性能和稳定性，在塞盖转动过后，推压件移动便于碳化硅功率器件体的固定封装，降低碳化硅功率器件体的松动。
一种碳化硅功率器件及其封装结构

[发明专利]用于电动车快速充电的功率转换系统的控制方法及装置-CN202210364043.2在审
发明人：潘志健;叶永丰;陈兆和;黄毓琛 -专利权人：香港生产力促进局
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电动车快速充电的功率转换系统的控制方法及装置，该方法包括：获取交流‑直流功率转换系统中多个并联运行的碳化硅功率模块的外壳温度；获取交流‑直流功率转换系统的总负载电流或总负载功率；根据外壳温度确定碳化硅功率模块的输出电流，所有碳化硅功率模块的输出电流之和等于总负载电流；或，根据外壳温度确定碳化硅功率模块的输出功率，所有碳化硅功率模块的输出功率之和等于总负载功率；基于碳化硅功率模块的输出电流或输出功率对碳化硅功率模块进行调整控制本发明把碳化硅功率模块实际额定电流和功率是温度的函数作为考虑，防止碳化硅功率模块过早出现故障，从而提高交流‑直流功率转换系统的可靠性。
用于电动车快速充电功率转换系统控制方法装置

[实用新型]一种电容器动态频率纹波电流试验装置-CN202221154093.X有效
发明人：许晓斐;黄少琼 -专利权人：广州泰络电子科技有限公司
申请日： 2022-05-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种电容器动态频率纹波电流试验装置，包括驱动电路、隔离变压器、谐振电感，所述驱动电路包括第一FPGA处理器、第一碳化硅功率器件、第二FPGA处理器、第二碳化硅功率器件、第三FPGA处理器、第三碳化硅功率器件、第四FPGA处理器、第四碳化硅功率器件，所述第一碳化硅功率器件、所述第二碳化硅功率器件、所述第三碳化硅功率器件、所述第四FPGA处理器均与碳化硅驱动器相连。碳化硅功率器件是一款高速的功率器件，为装置具备工作频率宽、输出功率大、电压高、电流大的性能提供了保证。
一种电容器动态频率电流试验装置

[发明专利]非接触式的碳化硅功率器件结温在线检测系统及检测方法-CN202011024018.7在审
发明人：李武华;冒俊杰;罗皓泽;李成敏;李楚杉;何湘宁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种非接触式的碳化硅功率器件结温在线检测系统及检测方法。通过温控单元控制碳化硅功率器件按照设定的工作温度工作，通过驱动单元控制碳化硅功率器件工作，使电流从碳化硅功率器件的寄生体二极管流过，产生电致发光现象；检测获得碳化硅功率器件的工作温度、导通电流和发光光强，建立函数模型；根据函数模型对待测情况进行检测计算得到碳化硅功率器件的工作结温。本发明通过检测碳化硅功率器件的杂质或缺陷能级的发光强度来推导结温，实现了非接触式的测量，具备固有电气隔离的特点，特别适用于工作在高温高压大电流应用场合的碳化硅功率器件的在线结温检测，具有较高的精度和实时性
接触碳化硅功率器件在线检测系统方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件的保护电路及驱动电路-CN202210725201.2在审
发明人：郭伟林;刘敏通;李奥昕 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件的保护电路，该碳化硅功率器件的保护电路包括：驱动芯片，设置有输出端口，所述驱动芯片通过所述输出端口向外输出驱动电压；碳化硅功率开关，所述碳化硅功率开关的控制端与栅极电阻的第一端连接，所述栅极电阻的第二端与所述输出端口连接；第一保护开关，所述第一保护开关的控制端连接在所述输出端口与所述栅极电阻之间，所述第一保护开关的第一端通过第一电容接地，所述第一保护开关的第二端与所述碳化硅功率开关的控制端连接；当所述碳化硅功率开关处于关闭状态时，所述驱动芯片通过所述输出端口向外输出负压。如此设置，能够避免碳化硅功率器件误导通，也能够避免碳化硅功率器件的栅极损坏。
一种碳化硅功率器件保护电路驱动

[发明专利]一种碳化硅DC∕DC功率模块-CN202210300753.9在审
发明人：盛万兴;李蕊;惠慧 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：一种碳化硅DC/DC功率模块，其包括：散热器，安装于所述散热器上方基板的碳化硅功率模块，与所述碳化硅功率模块连接的电容，以及安装于所述碳化硅功率模块上方的控制电路模块；所述电容安装于所述散热器的两侧；所述碳化硅功率模块与控制电路模块连接本发明通过采用碳化硅功率模块显著缩小了DC/DC功率模块的体积；通过将发热量大的碳化硅功率模块设置于散热器上方以及将电容设置于散热器两侧实现了良好的散热效果，提高功率模块的可靠型，延长了设备使用寿命；通过将散热器、碳化硅功率模块和控制电路模块以模块化的三层重叠布局，有利于功率电路与控制电路的隔离和电磁兼容，实现了良好的电气性能。
一种碳化硅 dc 功率模块

[实用新型]一种碳化硅DC/DC功率模块-CN202220666158.2有效
发明人：盛万兴;惠慧;李蕊 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：一种碳化硅DC/DC功率模块，其包括：散热器，安装于所述散热器上方基板的碳化硅功率模块，与所述碳化硅功率模块连接的电容，以及安装于所述碳化硅功率模块上方的控制电路模块；所述电容安装于所述散热器的两侧；所述碳化硅功率模块与控制电路模块连接本实用新型通过采用碳化硅功率模块显著缩小了DC/DC功率模块的体积；通过将发热量大的碳化硅功率模块设置于散热器上方以及将电容设置于散热器两侧实现了良好的散热效果，提高功率模块的可靠型，延长了设备使用寿命；通过将散热器、碳化硅功率模块和控制电路模块以模块化的三层重叠布局，有利于功率电路与控制电路的隔离和电磁兼容，实现了良好的电气性能。
一种碳化硅 dc 功率模块

[发明专利]碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件-CN201811517728.6有效
发明人：贺冠中 -专利权人：深圳方正微电子有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件。其制造方法包括以下步骤：提供具有碳化硅外延层的衬底；自碳化硅外延层表面向远离碳化硅外延层的方向上，沉积形成层叠叠设的若干层介质薄膜；对介质薄膜进行多次刻蚀处理，使各介质薄膜具有不同边界；在介质薄膜表面形成便于进行P型杂质注入的硬掩膜图案；对碳化硅外延层表面进行P型杂质注入处理，获得具有不同深度和浓度分布的P型杂质；去除碳化硅外延层表面的硬掩膜和具有不同边界的介质薄膜，得到碳化硅功率器件结终端结构。由此制造方法实现对碳化硅外延层进行不同浓度和深度的P注入，从而获得结终端区域电场分布可控的碳化硅功率器件结终端结构。
碳化硅功率器件终端结构制造方法

[发明专利]一种高频大功率碳化硅MOSFET模块-CN201410033879.X在审
发明人：刘志宏 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：一种高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上；它可应用于开关频率超过500kHz、输出功率超过100kW应用领域。
一种高频大功率碳化硅 mosfet 模块

[发明专利]一种功率型碳化硅开关器件的主动式蒸发散热方法-CN202310791758.0在审
发明人：李飞;李可欣;刘承灯;李彬斌 -专利权人：湖北德普电气股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率型碳化硅开关器件的主动式蒸发散热方法，具体包括以下步骤：S1、安装配置，S2、喷油处理，S3、鼓风处理，S4、蒸发散热，本发明涉及电子器件散热技术领域。该功率型碳化硅开关器件的主动式蒸发散热方法，可实现通过在功率型碳化硅开关器件上设计主动式蒸发散热组件，来使功率型碳化硅开关器件能够进行快速散热，很好的达到了既快速又高效的对功率型碳化硅开关器件进行及时散热的目的，大大提升了功率型碳化硅开关器件的散热效果，即使对一些工作工况要求较高的环境下也能进行及时的散热，保证了功率型碳化硅开关器件损坏或寿命，从而对功率型碳化硅开关器件的长期使用十分有益。
一种功率碳化硅开关器件主动蒸发散热方法

[发明专利]一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法-CN201810473957.6有效
发明人：张浩 -专利权人：江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，涉及碳化硅功率模块封装技术领域。该一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，包括，S1：将环氧树脂材料调制好后，放入模具中定型，脱模后得到壳体；S2：在碳化硅功率器件的外壳上开孔，在孔内放置弹性件；S3：将碳化硅功率器件按照隔离衬板上预留的安装位置逐一对位安装本方案通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使外力传递到碳化硅功率器件之前得到一个缓冲，从而更好的保护封装体内的碳化硅功率器件。
碳化硅功率器件碳化硅功率模块封装宽禁带半导体高温封装弹性件隔离衬环氧树脂材料壳体扣合螺栓拧紧外力传递压缩状态上开孔上壳体下壳体预留的预制壳对位放入缓冲壳体螺柱脱模调制定型模具靠拢体内

[实用新型]一种碳化硅功率二极管-CN202221896796.X有效
发明人：王景;谭娟;袁成玲;张俊;徐爱丽 -专利权人：武汉科琪电子有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅功率二极管，包括碳化硅功率二极管本体与设置在所述碳化硅功率二极管本体下方用于对所述碳化硅功率二极管本体、引线脚进行密封保护的防护机构，所述碳化硅功率二极管本体包括设置在所述碳化硅功率二极管本体底部的引线脚与设置在所述碳化硅功率二极管本体内部的绝缘陶瓷垫片，通过左右手分别拿起防护罩与碳化硅功率二极管本体，并将防护罩内壁两侧开设的卡槽对准碳化硅功率二极管本体两侧固定安装的卡块上，对准后，再向下按压，使卡槽卡入卡块内，此时联动引线脚滑动进连接孔内，并通过引线脚侧壁上的连接板进行阻挡
一种碳化硅功率二极管

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