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[发明专利]一种高热电性能碲化铋基材料及其制备方法-CN202310294318.4在审
发明人：何海龙;荣命哲;熊涛;吴翊;纽春萍 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型碲化铋基材料及其制备方法，所述P型碲化铋基材料的通式表示为：Bi0.4Sb1.6‑xYbxTe3，0x≤0.1，通过Yb源、Sb源、Te源和Bi源经包括熔融、球磨和烧结制得所述P型碲化铋基材料。利用Yb原子与Sb原子之间的大原子差，提供质量势场，增强声子散射几率，降低晶格热导率，Yb原子与Sb原子协同增强所述P型碲化铋基材料的热电性能。本发明提供的P型碲化铋基材料的制备方法简单，仅需原位掺杂Yb，即可获得高热电性能的P型碲化铋基材料，在碲化铋基热电材料方面提供了重要的技术指导。
一种热电性能碲化铋基材料及制备方法

[发明专利]碲化铋基热电材料类施主效应的消除方法-CN202110043761.5有效
发明人：苏贤礼;陶奇睿;唐新峰;张政楷 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化铋基热电材料类施主效应的消除方法，其特征在于采用碲化铋基单晶材料通过烧结制备碲化铋基热电材料块体，在烧结步骤之前采用保护气氛将碲化铋基单晶材料研磨成粉体并退火，然后再进行烧结，从而得到消除类施主效应的碲化铋基热电材料本发明提出了消除碲化铋基热电材料中类施主效应的解决方案，有助于材料内载流子浓度的稳定。相比于产生类施主效应的样品，类施主效应得以抑制的样品的载流子浓度显著降低，基本与样品破碎前保持一致，处于碲化铋基热电材料的最优载流子浓度区间；同时Seebeck系数的绝对值和功率因子均显著提升，总热导率显著降低
碲化铋基热电材料施主效应消除方法

[实用新型]一种平面碲化铋基薄膜热电模块及热电发电机-CN202021733443.9有效
发明人：刘宏;程新利;刘伟祎;章于道 -专利权人：苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面碲化铋基薄膜热电模块及热电发电机，热电模块包括热沉基板、二氧化硅膜层、多条第一金属带、多条第二金属带、碲化铋基薄膜、光刻胶和导热绝缘层，所述二氧化硅膜层设置在所述热沉基板的上表面，所述第一金属带和所述第二金属带交错地间隔排列在所述二氧化硅膜层的上表面；相邻的第一金属带和第二金属带通过沉积在二氧化硅膜层上的碲化铋基薄膜相连并导通，所述碲化铋基薄膜包括P型碲化铋基薄膜和N型碲化铋基薄膜，所述第一金属带和所述第二金属带的两侧均分布有不同类型的碲化铋基薄膜。本实用新型提供了利用MEMS微加工技术和薄膜沉积技术实现了平面碲化铋基薄膜热电发电机的可扩展性。
一种平面碲化铋基薄膜热电模块发电机

[发明专利]一种适用于宽温域的印刷碲化铋薄膜及其制备方法-CN202010203474.1有效
发明人：祝薇;冯静静;邓元;胡少雄 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于宽温域的印刷碲化铋薄膜及其制备方法，首先制得碲纳米焊料，再将其掺杂制备碲化铋印刷浆料，最后将所述印刷浆料在衬底上进行印刷后处理，使得最终制得的印刷碲化铋薄膜颗粒长大界面桥连，孔隙率降低利用碲化铋薄膜掺杂技术能够有效控制薄膜中的点缺陷，优化载流子浓度，同时实现了印刷薄膜中载流子输运通路的构筑和缺陷的调控，使得印刷碲化铋薄膜在较宽的温度范围内具有优异的电输运性能及热电性能。本发明所述印刷碲化铋薄膜应用于热电转换中，能够实现在273‑478K的大温差范围内的稳定输出。
一种适用于宽温域印刷碲化铋薄膜及其制备方法

[发明专利]一种镉负载碲化铋纳米线的制备方法-CN201910029470.3在审
发明人：韩金玲;代超;张亮 -专利权人：韩金玲
申请日： 2019-01-13 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于通过筛选，提供一种制备方法简单且热电转换效率较高的镉负载碲化铋纳米线的制备方法，该方法具有制备时间短、工艺简单且可大规模生产的特点。一种镉负载碲化铋纳米线的制备方法，包括以下步骤：第一步，制备碲纳米线；第二步，以碲纳米线为模板剂，加入铋源，在水热条件下进行反应，制备碲化铋纳米线；第三步，分离洗涤第二步制备得到的碲化铋纳米线，然后再以摇床为反应容器，通过添加镉源进行镉负载，得到最终的镉负载碲化铋纳米线。
制备纳米线碲化铋碲纳米线热电转换效率分离洗涤水热条件模板剂摇床铋源镉源筛选

[发明专利]一种高性能n型碲化铋基热电发电材料的制备方法-CN201010565758.1有效
发明人：郑俊辉;郑艳丽;陈果;张卫华 -专利权人：江西纳米克热电电子股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开一种高性能n型碲化铋基热电发电材料的制备方法，以工业化大批量生产的高纯碲块、铋块和硒块为原料，经过去氧化层、粉碎后，添加一定量的掺杂剂，按一定的比例称量后置于处理好的玻璃管内，经过封装、熔化、区熔生长，得到n型碲化铋基热电半导体晶棒。
一种性能型碲化铋基热电发电材料制备方法

[发明专利]一种具有光热协同致电的碲化镉/碲化铋一体化纳米结构材料及其制法-CN201310362759.X有效
发明人：邓元;罗柄威;史永明;祝薇;叶慧红;崔长伟 -专利权人：南京清航新材料科技有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种具有光热协同致电的碲化镉/碲化铋一体化纳米结构材料，它是在导电玻璃基板的导电面上沉积一层碲化镉纳米棒层，在碲化镉纳米棒层表面再沉积有碲掺杂的碲化铋层，构成碲化镉/碲化铋一体化纳米结构材料。
一种具有光热协同致电碲化镉碲化铋一体化纳米结构材料及其制法

[发明专利]一种n型碲化铋基材料及其制备方法-CN202211673582.0在审
发明人：何著臣;施翊璇;汤弢 -专利权人：纯钧新材料（深圳）有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型碲化铋基材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、根据化学组成式配比进行称量Bi、In、Te、Se单质，真空密封后，进行摇摆熔融，然后快速冷却至室温，得到化学式为BiSe0.3块状材料，其中，0＜x≤0.10、0≤y≤0.05；S2、对块状材料进行行星球磨，得到粉体材料；S3、对粉体材料进行烧结，得到n型碲化铋基烧结块体；S4、将n型碲化铋基烧结块体重复S2‑S3步骤，重复2‑4次，得到多次热锻后的n型碲化铋基材料；n型碲化铋基材料采用上述方法制备；本发明的对碲化铋合金成分的设计和球磨、热压工艺，成功地提高了n型碲化铋基合金的热电性能、机械性能；采用单质In对碲化铋基材料进行掺杂，In对Bi的取代能够增加点缺陷，提高电导率，降低了热导率。
一种型碲化铋基材料及制备方法

[发明专利]一种利用调节pH值进行纳米碲化铋粒度分级的方法-CN201510351240.0有效
发明人：姜再兴;毛娇;董继东;王明强;韦华伟;方晓娇;刘志涛;刘丽;黄玉东 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： B03B5/32 文献下载
摘要：一种利用调节pH值进行纳米碲化铋粒度分级的方法，本发明涉及纳米碲化铋粒度分级的方法。它是要解决现有碲化铋纳米片的制备方法得到的Bi2Te3纳米片尺寸不均一、尺度分散性大的技术问题。本方法一、在氮气气氛中，将碲化铋粉末加入到正丁基锂的正己烷溶液中浸泡，然后去除液体，把碲化铋在手套箱中静置；二、向碲化铋中加入水，搅拌或超声处理，得到Bi2Te3悬浮液；三、将Bi2Te3悬浮液调节pH值至7，离心分离，再逐步降低pH值，再分离，得到不同粒度的Bi2Te3纳米片，完成纳米碲化铋粒度分级。
一种利用调节 ph 进行纳米碲化铋粒度分级方法

[发明专利]一种碲化铋基热电元件及其制备方法-CN201110295849.2无效
发明人：陈立东;李菲;黄向阳;柏胜强;吴汀;江莞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化铋基热电元件及其制备方法。所述的碲化铋基热电元件包括电极层、阻挡层和碲化铋基热电层，且阻挡层位于电极层和碲化铋基热电层之间；所述的阻挡层材料为金属锑或金属锑与其它金属的合金。所述的热电元件的制备包括如下步骤：分别称取碲化铋基热电层材料、阻挡层材料及电极层材料；按照碲化铋基热电层材料、阻挡层材料、电极层材料的顺序依次装入石墨模具中；在真空中进行热压烧结。本发明提供的碲化铋基热电元件中各界面间结合良好，界面处未见有裂纹和明显的扩散现象存在，且界面电阻低，能够经受长时间的热疲劳试验。
一种碲化铋基热电元件及其制备方法

[发明专利]一种热电器件的n型碲化铋晶片表面粗化的制备方法-CN202310573306.5在审
发明人：胡晓明;马燕;胡浩;赵吕龙;樊希安 -专利权人：武汉赛格瑞新材料有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种热电器件的n型碲化铋晶片表面粗化的制备方法，本发明采用电解工艺，利用电场驱动钠离子嵌入n型碲化铋晶片中的晶胞的Te‑Te层间，致使晶格坍塌开裂，导致材料局部剥离脱落，从而达到表面粗化的目的；避免了传统喷砂处理对晶片造成的损害，且相比酸腐蚀处理，本发明的n型碲化铋晶片表面粗化处理效率高，适合大规模生产，且电解液对环境及操作人员不会产生伤害；该绿色环保的n型碲化铋晶片表面处理方法提高n型碲化铋晶片的基体的表面粗糙度，增强其与镀层间的结合强度，延长碲化铋型的热电器件的服役寿命。
一种热电器件型碲化铋晶片表面制备方法

[发明专利]一种热电器件的p型碲化铋晶片表面粗化的制备方法-CN202310569062.3在审
发明人：胡晓明;马燕;胡浩;赵吕龙;樊希安 -专利权人：武汉赛格瑞新材料有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种热电器件的p型碲化铋晶片表面粗化的制备方法，本发明采用电解工艺，利用电场驱动钠离子嵌入p型碲化铋晶片(BiSbTe)中的晶胞的Te‑Te层间，致使晶格坍塌开裂，导致材料局部剥离脱落，从而达到表面粗化的目的；避免了传统喷砂处理对晶片造成的损害，且相比酸腐蚀处理，本发明的p型碲化铋晶片表面粗化处理效率高，适合大规模生产，且电解液对环境及操作人员不会产生伤害；该绿色环保的p型碲化铋晶片表面处理方法提高p型碲化铋晶片的基体的表面粗糙度，增强其与镀层间的结合强度，延长碲化铋型的热电器件的服役寿命。
一种热电器件型碲化铋晶片表面制备方法

[发明专利]一种碲化铋基热电材料的制备方法-CN201010564261.8无效
发明人：姜洪义;周微;任卫;王晓琳 -专利权人：武汉理工大学;钢铁研究总院
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：一种碲化铋基热电材料的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)利用区熔法制备碲化铋基热电材料铸锭；2)将得到的碲化铋基热电材料铸锭直接装入挤压模具中，再将碲化铋基热电材料铸锭与挤压模具一起放入热挤压炉中在真空或惰性气体保护下进行热挤压，得到碲化铋基热电材料；热挤压条件为：热挤压的温度250～550℃，升温速度10℃/min，保温时间1～3h，挤出比9∶1～3∶1，挤压角30～60°，挤出速度1mm/min。该方法既节约成本又可缩短生产周期，该方法制备的碲化铋基热电材料具有抗折和抗压强度高的特点。
一种碲化铋基热电材料制备方法

[发明专利]一种兼具高热电和力学性能的碲化铋基热电材料及其制备方法-CN202211009964.3有效
发明人：张倩;何伙伦;汪振霆;毛俊;曹峰;刘兴军 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种兼具高热电和力学性能的碲化铋基热电材料及其制备方法。首次利用晶须复合强化的方法制备出了Bi2Te3基热电材料。通过调节钛酸钾晶须复合量，得到p型BixSb2‑xTe3+y wt％B，n型2Te1‑xSex(A)y+z wt％B，p型和n型碲化铋材料力学性能明显改善
一种兼具热电力学性能碲化铋基材料及其制备方法

[发明专利]一种碲化铋区熔铸锭的模具及其使用方法-CN202011061563.3在审
发明人：翟仁爽 -专利权人：浙江先导热电科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C30B28/08 文献下载
摘要：本发明涉及热电材料制备领域，为解决目前区熔法生产出取向一致性较高的碲化铋基区熔铸锭存在的问题，本发明提出了一种碲化铋区熔铸锭的模具及其使用方法，碲化铋区熔铸锭的模具由常规生长区、前端过渡区连接组成，常规生长区为圆管本发明提高了生产的碲化铋基区熔铸锭的质量提高了生产的碲化铋基区熔铸锭的质量：热电性能均匀性增加；热电性能提高；材料利用率提高。
一种碲化铋区熔铸模具及其使用方法