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[发明专利]切割机多线切割碲化铋的工艺-CN200810050172.4无效
发明人：陈建民;陈燕青 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及切割机多线切割碲化铋的工艺，属于用碲化铋制造半导体制冷器中N、P晶片和电偶的切割工艺。本发明的技术方案是用如下方法实现的：(1)用碳化硅钢线作为切割机的切割线；(2)制作模夹具：模夹槽上面具有有纵排3-7行、横3-8排安装放置碲化铋的凹槽，下面具有纵横固定卡合模夹具的卡槽；(3)碲化铋放置于具有模夹具的中凹槽
切割机切割碲化铋工艺

[发明专利]使用了具有纳米结构的基板的热电转换材料及其制造方法-CN201380011933.4有效
发明人：加藤邦久;安达千波矢;宫崎康次;早川晃镜 -专利权人：国立大学法人九州大学;琳得科株式会社
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的，其中，所述基板是由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物基板，所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成，所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋；以及，本发明的热电转换材料的制造方法包括基板制作工序，制作具有所述纳米结构的嵌段共聚物基板；和成膜工序，将p型碲化铋或n型碲化铋成膜而形成热电半导体层。
使用具有纳米结构热电转换材料及其制造方法

[发明专利]一种N型碲化铋基热电薄膜的制备方法-CN201910024251.6有效
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;周毅;段杰明;黎东升 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型碲化铋基热电薄膜的制备方法，它是通过真空蒸镀的方法在基片上镀上碲化铋薄膜和硒薄膜，然后进行退火处理得到本发明N型碲化铋基热电薄膜，其中退火处理的退火温度为260～300℃，退火时间为
一种型碲化铋基热电薄膜制备方法

[发明专利]一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法-CN201310043657.1有效
发明人：邓惠勇;郭建华;邱锋;孙艳;刘从峰;俞国林;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括管式炉体、石英安瓿与石墨舟：炉体包括合成炉、缓冲炉、斜面炉与镉源炉，炉体内放置有石英安瓿，石英安瓿中放置有石墨舟。采用该装置垂直提拉碲锌镉单晶的一般步骤是：将高纯碲、锌、镉原料按合成比例均匀放置于石墨舟内，将少许镉放入石英安瓿底部，再将石墨舟缓缓放入石英安瓿的挡板上，抽真空封管后，将石英安瓿放入管式炉体，使得石墨舟位于合成炉中间，控制条件合成多晶料后，接着控制炉体的温度分布，并缓缓向上移动炉体至结晶完毕，即可提拉生长出碲锌镉单晶体。本发明的优点是：碲锌镉多晶料无须使用另外的摇摆炉合成；获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。
一种垂直生长碲锌镉单晶装置方法

[发明专利]一种碲化铋和/或碲化锑基热电薄膜材料及其制备方法-CN201710866625.X在审
发明人：郭志军;黄国伟;涂建军;王雷 -专利权人：苏州鸿凌达电子科技有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提出一种N型碲化铋和/或P型碲化锑基热电薄膜材料及其制备方法。采用本发明的制备方法制备出来的N型碲化铋和/或P型碲化锑基热电薄膜材料，不但可以使得厚度降到1mm以下，同时还能保持很高的折弯次数，便于在便携产品上使用，使得热电薄膜产品在厚度和性能上产生了根本性的改变
一种碲化铋碲化锑基热电薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种碲化铋基半导体制冷材料中回收碲的方法-CN200610132393.7无效
发明人：蒋玉思;高远;张建华;程华月 -专利权人：广州有色金属研究院
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：一种碲化铋基半导体制冷材料中回收碲的方法。其特征是将破碎、研磨的物料加入熔融碱金属氢氧化物或其与碱金属碳酸盐的混合物中，在640～720℃进行碱熔；加入氧化剂；用水一次或二次浸出熔融物；用酸中和浸出液，反应终点为pH为5～6，得二氧化碲；用碱溶解二氧化碲造液，制得亚碲酸钠溶液，并电积，最终得到金属碲。本发明的方法具有适用性强，可以处理质量不合格的棒料、切削料、破碎的晶片和混合型的废料；回收率高，生产效率高，易于放大，对环境的负荷小；所得金属碲的纯度稳定等优点，适用于从碲化铋基半导体制冷材料中回收碲。
一种碲化铋基半导体制冷材料回收方法

[发明专利]一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜及其制备方法-CN201710238625.5在审
发明人：简基康;王颖;郭燕红 -专利权人：新疆大学
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜及其制备方法，是通过以下工艺过程实现的在高真空热蒸发镀膜机坩埚中，加入一定量的高纯Bi2Te3粉末，放置于加热区域。调整衬底样品台到蒸发源的距离至10cm，在衬底样品台上放置清洗过的氟晶云母。开启复合分子泵机组抽真空至5*10‑5Pa，衬底加热至380℃‑400℃，热蒸发源温度加热至340℃‑360℃，开始镀膜。本发明的特点在于此方法可直接制备出螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜；产物形貌螺旋生长，台阶清晰可见；无其他产物，对环境污染小。
一种螺旋结构碲化铋纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]一种新型阻燃聚丙烯材料及其制备方法-CN201710533877.0在审
发明人：周佳瑜 -专利权人：周佳瑜
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：该发明涉及一种新型阻燃聚丙烯材料，包括以下原料组分聚丙烯、碲化铋、铁负载二氧化钛、碳纤维、铝粉、铜粉、石墨、二亚磷酸季戊四醇酯二异葵酯、硬脂酸钙，碲化铋由碲酸、氧化铋、水、草酸二甲酯、乙醛缩二乙醇、聚乙二醇
一种新型阻燃聚丙烯材料及其制备方法

[发明专利]一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法-CN202211145953.8在审
发明人：王金忠;张殷泽;赵晨晨;王东博 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。
一种二维碲化铋单晶片 cvd 制备方法

[发明专利]一种有机无机复合的PEDOT:PSS热电薄膜材料及其制备方法-CN202310608132.1在审
发明人：董岚;王思琪;谢华清;王元元;吴子华;鲍程鹏;贺宏达;俞晓晓 -专利权人：上海第二工业大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N10/852 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机复合的PEDOT:PSS热电薄膜材料及其制备方法；该热电薄膜材料以PEDOT:PSS薄膜为主体，PEDOT:PSS薄膜上复合无机热电材料和有机热电材料，无机热电材料由碲化铋和氧化石墨烯组成该热电薄膜材料通过先将碲化铋、聚苯胺、氧化石墨烯溶液、PEDOT:PSS溶液和乙醇混合进行室温超声，再真空抽滤得到薄膜，最后将薄膜烘干即得。本发明提供的碲化铋、聚苯胺、氧化石墨烯复合PEDOT:PSS的热电薄膜材料为柔性材料，相比于PEDOT:PSS热电薄膜，其材料功率因子大大提升，具有优异的热电性能。
一种有机无机复合 pedot pss 热电薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种优化多晶碲化铋基热电合金材料性能的热锻处理方法-CN200910096346.5有效
发明人：赵新兵;沈俊杰;朱铁军;曹一琦;杨胜辉 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： B21J5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化多晶碲化铋基热电合金材料性能的热锻处理方法。将已一次热压成型的多晶碲化铋基块状热电合金，直接放入石墨模具再进行热锻变形、保压得到最终热电合金材料。本发明具有工艺简单，成本低，周期短，适应大规模生产应用等特点，制备得到的碲化铋基块状热电合金材料较热锻变形处理前具有更低的热导率和更高的室温热电优值。
一种优化多晶碲化铋基热电合金材料性能处理方法

[发明专利]一种恒温拉晶炉-CN200910227478.7无效
发明人：陈建民;陈建卫;陈磊;陈燕青 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电炉，具体地说是涉及用于半导体碲化铋结晶、拉晶过程中使用的恒温炉子。拉晶炉，包括拉晶炉本体和电阻丝，电阻丝靠近炉腔内部的壁，其特征是：炉腔内还具有一层不锈钢圈。
一种恒温拉晶炉

[实用新型]一种恒温拉晶炉-CN200920296955.0无效
发明人：陈建民;陈建卫;陈磊;陈燕青 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电炉，具体地说是涉及用于半导体碲化铋结晶、拉晶过程中使用的恒温炉子。拉晶炉，包括拉晶炉本体和电阻丝，电阻丝靠近炉腔内部的壁，其特征是：炉腔内还具有一层不锈钢圈。
一种恒温拉晶炉

[发明专利]一种基于数值模拟的碲化铋晶体的制备方法-CN202210261268.5在审
发明人：许庆彦;夏鹄翔;冯秋水 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及基于数值模拟的碲化铋晶体的制备方法，包含如下步骤：1)依据区域熔炼生长炉和碲化铋原料的形态建立对应的三维模型；2)将三维模型导入有限元热学模拟软件，设置区域熔炼生长炉内的承载部件和碲化铋原料的热力学参数base:Sub>，目标移动速度为Vn；6)采用步骤5)得到的Tn和Vn，制备碲化铋晶体
一种基于数值模拟碲化铋晶体制备方法

[发明专利]一种碲化铋基热电材料的3D打印件及其打印方法、热电器件-CN202210227113.X在审
发明人：唐军;胡秋俊 -专利权人：成都露思特新材料科技有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本申请公开了一种碲化铋基热电材料的3D打印件及打印方法、热电器件，该3D打印件由的p型或n型碲化铋基热电材料等轴粉体经气雾化制粉后的前驱体粉末3D打印而成。
一种碲化铋基热电材料印件及其打印方法热电器件