“碲化铋晶锭”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果220281个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种SiC晶锭的激光加工设备-CN201910213922.3在审
发明人：陈畅;柳啸;李春昊;杨深明;李福海;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B23K26/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC晶锭的激光加工设备，该设备包括激光隐切装置、激光解裂片装置和传送装置，激光隐切装置发射的第一激光光束聚焦到待加工SiC晶锭内部，在待加工SiC晶锭内部形成切割改制区域，传送装置用于将待加工SiC晶锭传送至激光解裂片装置的目标加工区域，目标加工区域与待加工SiC晶锭内部的切割改制区域重合，激光解裂片装置发射的第二激光光束聚焦到待加工SiC晶锭内部的切割改制区域进行激光热加工，从待加工SiC晶锭中分离得到SiC片。本发明提供的SiC晶锭的激光加工设备，可以解决现有技术中SiC晶锭的切片效率低，材料损耗大、加工成本高的技术问题。
晶锭激光加工激光加工设备裂片装置切割传送装置激光光束加工区域切装置改制聚焦激光热加工材料损耗切片效率区域重合发射传送

[发明专利]检测装置-CN202110856396.X在审
发明人：罗思瑶;张洁;蔡少忠;沈艳;许佳锋 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种检测装置，涉及晶锭质量检测技术领域，该检测装置包括支架、槽体和转动机构，支架开设有槽体，槽体用于放置待测晶锭；转动机构位于槽体内，用于抵持待测晶锭。驱动机构用于驱动转动机构转动，以使转动机构带动待测晶锭转动。由此，在进行晶锭的外观质量检测时，可以将待测晶锭放置在槽体中，使得晶锭侧面抵持于转动机构，以此通过驱动机构驱使转动机构转动，转动机构就能够带动待测晶锭转动，使得紫外线灯照射待测晶锭的侧面的不同区域，避免了工作人员的手部与紫外线光的直接接触
检测装置

[发明专利]一种半绝缘型SiC晶锭的水射流激光滚圆系统-CN202111407816.2在审
发明人：郭辉 -专利权人：郭辉
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种半绝缘型SiC晶锭的水射流激光滚圆系统包括：旋转装置以及晶锭籽晶部位夹具，晶锭籽晶部位夹具位于所述旋转装置之上，与旋转装置同步转动，激光微水射流对所述SiC晶锭滚圆过程中，水导激光头垂直于旋转装置的旋转平面或平行于旋转平面沿着滚圆轨迹的切线方向，伺服电机驱动小齿轮，小齿轮带动大齿轮旋转，大齿轮上方安装座与卡盘体连接从而驱动晶锭籽晶部位夹具旋转，带动SiC晶锭做圆周运动以使SiC晶锭的切割点位于激光微水射流的切割区域的核心区域。本发明通过加紧放松装置控制软爪手动或者自动精确固定SiC晶锭的滚圆切削点位置，实现材料的快速滚圆，因此可以提高SiC晶锭的加工效率以及精度。
一种绝缘 sic 水射流激光滚圆系统

[发明专利]一种碳化硅复合基板的制造方法-CN202210551939.1在审
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板得到高质量晶锭；(2)高质量晶锭的端面处进行离子注入，形成弱化层；(3)端面与支撑基板键合，施加应力使高质量晶锭沿弱化层裂开本发明提供的制造方法直接在晶锭的端面进行薄层转移，无需加工晶锭的外周，减少了晶锭切片的工序，提高了效率；而且，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至晶锭耗尽，单晶材料的损耗大大减少，降低了碳化硅复合基板的制造成本
一种碳化硅复合制造方法

[发明专利]晶锭切割装置-CN201680033266.3在审
发明人：全志原 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶锭切割装置，包括晶锭供给装置，该晶锭供给装置被设置成能竖直地移动并供给晶锭；切片装置，该切片装置被设置成能水平地移动以对晶锭进行切片；浆料供给单元，该浆料供给单元被设置成将浆料供给到晶锭切片装置
切割装置

[发明专利]碲铜排(板、棒、管)的生产工艺-CN200710135293.4无效
发明人：孙江强 -专利权人：江苏鸿尔有色合金实业有限公司
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：碲铜排(板、棒、管)的生产工艺是将高纯度的电解铜加入到低频炉内进行熔炼，熔炼时加入适量的碲含量为10％左右的碲铜中间合金，控制适当温度，保温镇静，使其内部组织均匀，采用半连铸和拉铸的方法生产出圆锭，再经燃油炉加热
碲铜排生产工艺

[实用新型]半导体晶圆晶粒二流体清洗机-CN202223115404.4有效
发明人：王伟 -专利权人：深圳市富嘉达超声波设备有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供半导体晶圆晶粒二流体清洗机，涉及清洗机构技术领域，包括固定支座和箱体，所述固定支座安装于箱体的内部，所述固定支座的表面滑动连接有活动托架，所述活动托架的内部套设有产品摆放架，所述产品摆放架的表面开设有斜槽本实用新型，通过设置该活动托架，在清洗的过程中，产品和产品摆放架及活动托架都是始终静止不动，仅只有喷嘴和下喷嘴的往复移动，而且上下喷嘴通过调节流量可以使上下冲击力达到平衡，使碲化铋晶圆产品稳定地待在产品摆放架上接受清洗及后续吹干
半导体晶粒流体清洗

[外观设计]摇摆炉-CN202230286028.1有效
发明人：张宏帅;朱旭光;王培团;陈浩;田增国 -专利权人：洛阳德晶智能科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：2.本外观设计产品的用途：本外观设计适用于制备碲化铋基热电材料。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
摇摆

[外观设计]区熔炉-CN202230286328.X有效
发明人：朱旭光;张宏帅;王培团;陈浩;田增国 -专利权人：洛阳德晶智能科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：2.本外观设计产品的用途：本外观设计适用于制备碲化铋基热电材料。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
熔炉

[实用新型]一种蓝宝石晶锭侧立式回转开方夹具-CN201621354019.7有效
发明人：卢敬中;杨瑜锋 -专利权人：广东富源科技股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型为一种蓝宝石晶锭侧立式回转开方夹具，包括夹具本体，所述夹具本体底面为平面，所述夹具本体上表面的一条侧边开设有向另一相对侧边延伸的凹槽，所述凹槽与蓝宝石晶锭的侧面相匹配，夹具本体底面为平面方便放置于回转工作台上，因为晶锭的形状为圆台形，即横截面均为圆形，为了配合带锯机切割需要将晶锭横置，夹具本体上表面开设的凹槽可以使晶锭垂直固定，并且凹槽与蓝宝石晶锭的侧面相匹配可以保证晶锭的垂直度，达到保证晶体A轴角度与晶体长晶的A轴角度相同；另外，横置的晶锭与凹槽的接触面积较小，需要将晶锭粘在夹具本体上所需要使用的胶量少减少了用胶成本，与此同时等待胶干的时间也短，减少了等待时间。
一种蓝宝石晶锭侧立式回转开方夹具

[发明专利]一种碳化硅晶锭外径研磨控制系统及方法-CN202211478850.3有效
发明人：陈建明;刘聚斌;刘春艳;周元辉;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B24B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶锭外径研磨控制系统及方法，包括：第一采集模块采集碳化硅晶锭两个端面的实时图像；处理模块对实时图像上的缺陷识别得到识别结果以划分优质区和缺陷区；夹持机构水平夹持碳化硅晶锭；驱动机构驱动转轴旋转以带动碳化硅晶锭旋转；平行光源朝向碳化硅晶锭发射单色光；光圈调节机构根据碳化硅晶锭的转动速度调节单色光对碳化硅晶锭的照射范围；研磨机构对碳化硅晶锭的外径边缘进行研磨；光信号检测设备在碳化硅晶锭外径研磨即将完毕时，检测通过剩余的优质区侧面边缘的光信号本发明同时提升了碳化硅晶锭外径研磨的质量、效率和安全性。
一种碳化硅外径研磨控制系统方法

[发明专利]硅晶锭切割装置及切割方法-CN201010563594.9无效
发明人：陈平 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅晶锭切割装置，其中，该装置的顶面为硅晶锭切割面，该硅晶锭切割面倾斜于水平面。本发明还涉及一种利用该硅晶锭切割装置的切割方法，在该方法中，待切割的硅晶锭沿预设的切割路线从硅晶锭切割面的切入点移入切割装置，并从切出点移出硅晶锭切割装置，其中，所述的预设的切割路线与所述的硅晶锭切割面间具有夹角采用了本发明的硅晶锭切割装置及切割方法，由于该切割装置的切割面倾斜于水平面，且在切割过程中切割路线与切割面间具有夹角，因此，切割面直接切入硅晶锭的硅晶体，并经过胶体层从玻璃层切出，从而减少了在不同机械性能中切割造成硅落等不良现象的可能性
硅晶锭切割装置方法

[实用新型]一种晶锭测量装置-CN202021613090.9有效
发明人：李帅;刘圆圆;周敏;姜兴刚;黄治成 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶锭测量装置，包括：载物台，被构造成用于承载晶锭；厚度测量组件，包括厚度测量仪和位于载物台外侧的第一滑道，厚度测量仪的底部具有与第一滑道配合的滑轮；红外测距组件，包括两个红外测距仪，两个红外测距仪的红外线发射器分别位于晶锭同一直径的两端；辨色组件，包括第一光源和色差仪，第一光源的照射方向朝向晶锭的侧部，色差仪的位置靠近于晶锭侧部的边缘。本申请提供的晶锭测量装置结构设计紧凑，可操作性强，能够在不移动晶锭的条件下，同时对晶锭的厚度、直径以及颜色进行测量，并且还能整体更好的观察晶锭的表面缺陷，相较于现有的人工分别测量的方式，有效提高了晶锭的测量的效率和精度
一种测量装置

[发明专利]标记晶片的方法-CN200780053765.X有效
发明人：安德烈·里希特;马塞尔·克伦津;延斯·默克 -专利权人：楷能洁有限公司
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：在硅晶锭或柱体的周边表面上制造位置线(21a、21b、21c)，该晶锭或柱体沿轴向延伸且具有沿该轴向的纵轴，其中位置线沿几乎整个晶锭或柱体以轴向延伸且相对于纵轴倾斜。通过此位置线，可以分别确定从晶锭或柱体切下的晶片在该晶锭或柱体中的位置。另外，在晶锭或柱体的周边表面上制造线的独特识别图案(20a、20b、20c)，线的独特识别图案在几乎整个晶锭或柱体上沿轴向延伸且提供允许识别硅晶锭或柱体的独特编码。
标记晶片方法

[发明专利]多晶铸锭晶体冷却工艺-CN201410175059.4无效
发明人：周基江 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶铸锭晶体冷却工艺，晶锭出炉体后的炉体外冷却中，采用保温笼罩罩住晶锭，从而降低晶锭在炉体外的冷却速度。本发明能够降低晶锭在炉体外的冷却速度，随之降低出现晶锭内部的热应力与隐裂缺陷现象的几率，最终降低切片环节中隐裂片的比例。
多晶铸锭晶体冷却工艺