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[发明专利]一种可重生锂靶的靶体容器-CN202210161435.9在审
发明人：童剑飞;梁天骄;朱凌波;张锐强;傅世年 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明涉及硼中子俘获治疗技术中的靶体容器技术领域，尤指一种可重生锂靶的靶体容器；包括容器壳体、靶体基板、集液槽、蒸镀坩埚、清洗组件、密封门和膜厚计；所述容器壳体、靶体基板、集液槽和密封门构成容器腔体；所述容器腔体的上端安装有呈倾斜设置的靶体基板，下端连接有集液槽；所述密封门安装于容器腔体开口处；所述容器腔体的上端安装有倾斜布置的靶体基板，下端连接有集液槽；所述密封门安装于容器腔体开口处；所述蒸镀坩埚、清洗组件和膜厚计分别安装于容器腔体内部；使用这种靶体容器可实现功能一体化
一种重生容器

[发明专利]一种厚膜力敏浆料及其制备方法-CN200510122889.1无效
发明人：马以武;常慧敏;李民强;陈建群 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2005-12-03 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：一种厚膜力敏浆料由60～80％钌酸铋和20～40％硼硅酸铅混合料中加入有机溶剂调制得到的浆料。钌酸铋由氧化钌纳米粉体与氧化铋于650～800℃固相反应生成。本浆料可印刷在陶瓷基片上，通过高温烧结后得到高应变系数的厚膜力敏传感器。应变系数GF为13～17、温度系数TCR≤±100ppm/℃。耐腐蚀、耐高温，工作温度范围宽、蠕变小，长期工作无塑性变形。
一种厚膜力敏浆料及其制备方法

[实用新型]氢硼膜-CN202120775125.7有效
发明人：赵冠超;魏彦存;耿金峰;孟垂舟;陈培培 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氢硼膜，该氢硼膜包括：至少三层膜体和至少两个结合结构；其中，每层膜体均具有预设厚度，各层膜体依次层叠设置，任意相邻两层膜体之间均通过一个结合结构相连接。本实用新型中，氢硼膜通过至少三层膜体依次层叠设置，任意相邻两侧膜体之间均通过一个结合结构相连接，使得各层膜体连接在一起而形成氢硼膜，并且，每层膜体均具有一定的厚度，有效地缓解了膜层内部和膜层之间的应力，增强了各膜层之间的结合，有效地降低了膜层应力，提高了氢硼膜的自支撑能力和强度，防止氢硼膜出现裂纹和爆膜。
氢硼膜

[发明专利]感光绝缘膏和厚膜多层电路基片-CN00101903.1有效
发明人：户濑诚人;川上弘伦;渡边静晴;伊波道明 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-01-27 - 公布日： 2000-08-23 - 主分类号： H01B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种感光绝缘膏,它包含含有硼硅玻璃粉末的绝缘材料。绝缘材料设置在感光有机载体中,并且硼硅玻璃粉末含有SiO2,B2O3和K2O,从而由(SiO2,B2O3,K2O)表示的三种成分的重量成分比落入通过连接三元图中的点A(65,35,0),B(j65,25,10本发明还揭示了含有粘膏的厚膜多层电路基片基片。
感光绝缘多层路基

[实用新型]一种放射性废液除硼的装置-CN201820686478.8有效
发明人：何艳红;王鑫;陈斌;王琳;翁明辉;伊成龙 -专利权人：上海核工程研究设计院有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G21F9/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种放射性废液除硼的装置，其特征在于，包括:原水罐、膜元件进水泵、浓缩单元膜组件、产水罐、树脂床进水泵和除硼树脂床；所述原水罐、膜元件进水泵、浓缩单元膜组件、产水罐依次相连；所述原水罐、树脂床进水泵、除硼树脂床和产水罐依次相连；所述浓缩单元膜组件与所述原水罐相连,其中：所述浓缩单元膜组件对硼的截留率大于95％；所述除硼树脂床对硼的截留率大于99％。本实用新型提供的放射性废液除硼的装置，高效、节能、处理效果好、工艺简单可靠，节省投资成本和运行成本。
除硼树脂床单元膜组件进水泵原水罐放射性废液产水罐浓缩本实用新型依次相连截留率膜元件运行成本节能投资

[发明专利]一种改性氮化硼纳米管复合质子交换膜及其制备方法-CN202310873010.5在审
发明人：王振卫;温宇龙 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01M8/1004 文献下载
摘要：本发明涉及一种改性氮化硼纳米管复合质子交换膜及其制备方法，该复合质子交换膜为含有负载杂多酸的改性氮化硼纳米管复合质子交换膜，所述改性氮化硼纳米管为羟基、氨基双改性的氮化硼纳米管；该方法包括：将氮化硼纳米管与水混合，然后向水混合物加入溴水，得到羟基、氨基双改性的氮化硼纳米管；将杂多酸溶于水中，然后向杂多酸水溶液加入改性的氮化硼纳米管，将混合液进行水热处理，得到负载杂多酸的改性氮化硼纳米管；将负载杂多酸的改性氮化硼纳米管与质子交换膜离聚物溶液混合，得到复合膜。与现有技术相比，本发明制备的负载杂多酸的改性氮化硼纳米管改性氮化硼纳米管复合质子交换膜具有良好的质子电导率，掺杂不会造成质子交换膜短路。
一种改性氮化纳米复合质子交换及其制备方法

[发明专利]氮化硼膜的成膜方法和成膜装置-CN202210083799.X在审
发明人：千田翔太;渡边要介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：提供：即使基底不同也能孵育时间一致地沉积均匀的氮化硼膜的氮化硼膜的成膜方法和成膜装置。具备如下工序：向设有成膜为氮化硼膜时的孵育时间不同的基底的基板的表面供给氨基硅烷气体以形成晶种层的工序；和，使氮化硼膜在前述晶种层上沉积的工序。
氮化方法装置

[发明专利]硼膜的沉积-CN202180075006.3在审
发明人：林永振;郎纪一;黃和湧 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：描述了在基板上沉积含硼膜的方法。将基板暴露于硼前驱物和等离子体，以形成含硼膜(如，元素硼、氧化硼、碳化硼、硅化硼、氮化硼)。暴露可为顺序的或同时的。含硼膜选择性地沉积在一种材料(如，SiN或Si)上，而不是另一种材料(如，氧化硅)上。
沉积

[发明专利]一种羟基化氮化硼复合膜及其制备方法和应用-CN202010926016.0有效
发明人：胡念武;刘雄斌;高颂;晏群山;舒灏;倪家志;田陈磊;汪丹 -专利权人：湖北中烟工业有限责任公司;湖北新业烟草薄片开发有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B01D61/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种羟基化氮化硼复合膜。将羟基化氮化硼、MXene和金属氢氧化铁纳米胶体在液相中混合均匀后，均匀分散在支撑基底上，水分抽干后成膜，用稀酸去除金属氢氧化铁纳米胶体，真空干燥后制得具有微孔结构的羟基化氮化硼复合膜。羟基化氮化硼的引入增强了复合膜的亲水性，通过氢氧化铁纳米颗粒的造孔，在复合膜内部形成微孔结构，使复合膜渗水性好。羟基化氮化硼与MXene之间存在氢键相互作用，使得复合膜层不易脱落，增加了羟基化氮化硼复合膜的机械性能。羟基化氮化硼复合膜中丰富的羟基增强了复合膜对亚甲基蓝的吸附作用。
一种羟基氮化复合及其制备方法应用

[发明专利]一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用-CN202211471139.5在审
发明人：朱京涛;周健荣;孙志嘉;刘扬;周晓娟;朱林;陈元柏 -专利权人：同济大学;散裂中子源科学中心
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用，该涂硼陶瓷GEM膜包括陶瓷GEM膜基底下层、Ti打底中间层以及10B4硼陶瓷GEM膜采用以下方法制备得到：(1)通过磁控溅射将靶材Ti溅射至陶瓷GEM膜表面，得到镀有Ti打底中间层的陶瓷GEM膜；(2)通过磁控溅射将靶材碳化硼溅射至所得Ti打底中间层表面，然后经机械打孔本发明涂硼陶瓷GEM膜可应用于涂硼GEM中子探测器。与现有技术相比，本发明采用“先镀膜、后打孔”的方法，所制备的涂硼陶瓷GEM膜的孔洞中不会沉积有碳化硼。本发明通过使用纳米级厚度的Ti层打底，增加碳化硼薄膜与陶瓷GEM膜表面的粘附性，使得后续加工过程中薄膜不会脱落。
一种陶瓷 gem 及其制备方法应用

[发明专利]一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法、制得的二维氮化镓膜-CN202110822741.8有效
发明人：于欣欣;张起瑞;吴长征;周扬;王大军;杨广 -专利权人：安徽泽众安全科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：将液态金属镓转移至衬底表面后形成金属镓膜；金属镓经过膜氧化即在衬底表面得到氧化镓膜；采用化学气相沉积法制备二维氮化硼膜；将二维氮化硼膜转移至氧化镓膜顶面，使氧化镓膜被二维氮化硼膜包覆得到硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物；将硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物放入含有氮源的环境中进行氮化处理，冷却后得到氮化镓膜。本发明的有益效果在于：本发明基于氮化硼的稳定性、绝缘性和对激子发光性能的促进作用，以二维氮化硼与衬底为模板，在二维氮化硼与衬底间限域性生长氮化镓，钝化氮化镓的高能面，形成稳定二维氮化镓结构。
一种二维氮化模板制备方法

[发明专利]一种负载硼烯的耐高温纳米纤维膜的制备方法-CN201810250644.4在审
发明人：徐亚维 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： D06M11/81 文献下载
摘要：本发明提供一种负载硼烯的耐高温纳米纤维膜的制备方法，包括以下步骤：将聚苯并咪唑加入到N,N‑二甲基乙酰胺中混合均匀，滴加氯化铝溶液，混合均匀，形成纺丝液，经静电纺丝制备得到聚苯并咪唑耐高温纳米纤维膜，将聚苯并咪唑耐高温纳米纤维膜压制，得到预处理的耐高温纳米纤维膜；将预处理的耐高温纳米纤维膜表面溅射一层铝层，得到含铝涂层的耐高温纳米纤维膜；将铝涂层的纳米纤维膜的表面清洗，氮气吹干后，置于真空环境中，以硼粉末为硼源，沉积硼烯，硼源的束流在0.03‑0.05mL/min，再进行热处理，得到负载硼烯的耐高温纳米纤维膜。本发明制备方法在纳米纤维膜的表面附着硼烯，制备得到兼具柔性、电学性能和力学性能的硼烯复合材料。
纳米纤维膜耐高温制备聚苯并咪唑预处理铝涂层硼源纳米纤维膜表面二甲基乙酰胺氯化铝溶液热处理表面附着表面清洗氮气吹干电学性能复合材料静电纺丝力学性能真空环境纺丝液硼粉末沉积滴加溅射铝层束流压制

[发明专利]一种硼硅厚玻璃的开料方法-CN202310363285.4在审
发明人：温天雨;龚兵;黄建军 -专利权人：深圳市信濠光电科技股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C03B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼硅厚玻璃的开料方法，涉及硼硅玻璃切割技术领域；包括以下步骤：S10.采用激光对硼硅玻璃进行切割。S20.将切割后的硼硅玻璃放进浓度为1.5％的HF酸液中浸泡，温度为常温。S30.将浸泡后的硼硅玻璃取出并清洗。S40.硼硅玻璃清洗完后，沿硼硅玻璃上的激光切割路径将硼硅玻璃分开。本发明的有益效果在于：可在硼硅玻璃切割后轻松掰开且不会造成玻璃损坏。
一种硼硅厚玻璃方法

[发明专利]一种钢锌3.5氮化硼固液相复合板的均匀后处理方法-CN201010614944.X无效
发明人：杜云慧;张鹏;刘汉武 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C21D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钢锌3.5氮化硼固液相复合板的均匀后处理方法，属于钢锌3.5氮化硼固液相复合板界面剪切强度室温轧制后处理研究领域，本发明对由1.2mm厚的08Al钢板和3.0mm厚的锌3.5氮化硼覆层构成的钢锌3.5氮化硼固液相复合板，在室温下，在精密轧机上，进行总压下率为2.2％的、第一道次与第二道次的道次压下率比例为1∶2.5～3∶2的二道次轧制处理，可将复合板横向界面剪切强度差值降低到1.8MPa以内。
一种 3.5 氮化硼固液相复合板均匀处理方法

[发明专利]一种钢铝9氮化硼固液相复合板的均匀后处理方法-CN201010613699.0无效
发明人：张鹏;杜云慧;刘汉武 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C21D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钢铝9氮化硼固液相复合板的均匀后处理方法，属于钢铝9氮化硼固液相复合板界面剪切强度室温轧制后处理研究领域，本发明对由1.2mm厚的08Al钢板和2.5mm厚的铝9氮化硼覆层构成的钢铝9氮化硼固液相复合板
一种氮化硼固液相复合板均匀处理方法