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[发明专利]一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法-CN202210703687.X在审
发明人：沙彦文;董长海;郝燕玲;麦长彪;温洋;周小渊;苏波;王思远 -专利权人：宁夏中晶半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法包括以下步骤：当P型轻掺(掺硼)单晶硅晶体高温退火急速冷却后，单晶硅片的表面会形成铁硼金属复合层，对单晶硅片表面的铁硼金属复合层进行打磨，来去除单晶硅片表面的铁硼金属复合层；将单晶硅片表面的铁硼金属复合层磨掉后，将单晶硅片放置在恒温箱内，并对单晶硅片恒温4‑8h进行恒温处理。本发明具备检测稳定的优点，解决了目前电阻率测试前预处理工艺，在对P型轻掺(掺硼)单晶硅测试时波动大且测试不稳定，测试波动大于5％，无法测试出准确电阻率的问题。
一种用于型轻掺掺硼单晶硅电阻率测试预处理方法

[发明专利]一种制备氮化硼单晶的装置及方法-CN201310543084.9有效
发明人：黄俊;徐科;王建峰;任国强 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供一种制备氮化硼单晶的设备及方法，所述方法包括如下步骤（1）提供一衬底，所述衬底放置在反应部内部的支撑部上；（2）启动加热部，将衬底加热至一第二温度；（3）将反应气体及载气通入所述反应部中，以在衬底上生长氮化硼单晶；其中，所述反应气体为三氯化硼和氨气。本发明的优点在于：1、三氯化硼和氨气作为反应气体以制备氮化硼单晶，以氮化硼多晶或刚玉作为反应部的材料，避免三氯化硼对反应部的腐蚀。2、采用感应加热，可得到晶格质量高的氮化硼单晶。3、使用气相外延技术，可以在较大衬底生长氮化硼单晶，能够制备大尺寸的氮化硼单晶且生长速度快。4、生长设备简单，用材料易得，成本较低，可用于大规模生产。
一种制备氮化硼单晶装置方法

[发明专利]光纤微机电系统压力传感器及其制作方法-CN200410064904.7无效
发明人：王鸣;李明;戎华;王婷婷 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2004-10-11 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：光纤微机电系统传感器及其制作方法涉及运用单晶硅膜作为压力敏感膜的压力传感器及其制作方法，该传感器以硼硅玻璃衬底为基底，在硼硅玻璃衬底上设有一个单晶硅片；该单晶硅片的下表面中央与硼硅玻璃衬底之间设有法布里—珀罗腔；单晶硅片上表面中央设有一个凹槽，单晶硅片的中央为单晶硅横隔膜；在硼硅玻璃衬底的下面设有光纤。其制作方法是该传感器以硼硅玻璃作为衬底，由一个下表面被蚀刻了浅薄圆柱形槽体的单晶硅片与硼硅玻璃阳极键合形成法布里—珀罗腔，再从单晶硅片的上表面进行深腐蚀形成凹槽，最后形成单晶硅横隔膜，光纤的端部接在硼硅玻璃衬底的下部，由光固化环氧树脂将光纤与硼硅玻璃衬底连接。
纤微机电系统压力传感器及其制作方法

[发明专利]一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法-CN201410246280.4在审
发明人：郭万林;殷俊;李雪梅 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法，选用单晶Ge或单晶Si为基底，将基底清洗后升温，单晶Ge升温至800～930℃，单晶Si升温至1000～1400℃，使用化学气相沉积法在基底表面生长大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶本发明利用Ge、Si等单晶表面生长的六方氮化硼的晶粒取向对基底晶向的依赖关系，使得不同晶粒长大后边界拼接相匹配，形成大面积高质量六方氮化硼单晶。
一种尺寸原子层厚六方氮化硼单晶制备方法

[发明专利]一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法-CN201811514047.4有效
发明人：刘开辉;王理;俞大鹏;王恩哥 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法。所述方法利用六方氮化硼和单晶铜箔衬底之间耦合作用，与六方氮化硼晶畴边缘和单晶铜箔上台阶边缘耦合作用的协同效应，来实现六方氮化硼单晶的化学气相沉积生长。所述方法解决了化学气相沉积法制备六方氮化硼单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶六方氮化硼的制备。
一种利用耦合台阶协同效应制备单晶六方氮化方法

[发明专利]硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池-CN201310140670.9有效
发明人：杨伟强;魏红军;冯立军;曹建民 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;河北宁晋松宫半导体有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼镓共掺单晶硅片，在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为10^14~16原子数/立方厘米，镓元素的浓度为10¹³~6×10¹⁶原子数/立方厘米，其降低了单独硼掺杂引起的硼氧复合体浓度，还公开了由上述硼镓共掺单晶硅片制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池，该电池具有与常规掺硼持平的转换效率，并且具有较低的LID水平，并进一步公开了上述硼镓共掺单晶硅片及电池的制备方法，该方法工艺简单，易操作，可规模化生产，不存在成本升高的问题。
硼镓共掺单晶硅及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种GaN功率电子器件用单晶金刚石AlN模板及其制备方法-CN202310293175.5在审
发明人：白鎔旼;张坤锋;陈琪;王青山;祖红亮 -专利权人：化合积电（厦门）半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN功率电子器件用单晶金刚石AlN模板及其制备方法，包括以下步骤：S1，在A平面蓝宝石上生长铱的单晶外延；S2，在铱的单晶外延上生长第一立方晶状氮化硼的单晶外延；S3，在立方晶状氮化硼的单晶外延上生长金刚石膜；S4，在金刚石膜上生长第二立方晶状氮化硼的单晶外延；S5，在第二立方晶状氮化硼的单晶外延上生长六方氮化硼单晶外延；S6，在六方氮化硼单晶外延上生长六方晶状氮化铝层。该单晶金刚石AlN模板允许在金刚石AlN模板的顶部直接生长高质量的GaN外延层，而不需要任何额外的键合或转移步骤，降低了成本。
一种 gan 功率电子器件用单晶金刚石 aln 模板及其制备方法

[实用新型]测定多晶硅中磷、硼的含量的系统-CN200920156146.X有效
发明人：张瑞云;迈克·杰尼根 -专利权人：重庆大全新能源有限公司
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种测定多晶硅硼和磷含量的系统，包括：用于制造样品单晶硅的样品单晶硅棒制成装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的导电类型的导电类型测定装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的电阻率的电阻率测定装置；与所述导电类型测定装置和电阻率测定装置相连的硼磷含量计算器，用于根据测定的导电类型和电阻率计算所述多晶硅中硼和磷的含量。本实用新型通过测得样品单晶硅棒的头部和样品单晶硅棒中设定位置的导电类型和电阻率，利用硼磷的分凝系数与硼磷含量差量计算关系式，使得通过硼磷含量计算器即可得出单晶硅中硼和磷的含量。从而节约了多晶硅中的硼磷含量的测定设备和时间。
测定多晶硅中磷含量系统

[发明专利]基于掺硼过渡层的CVD同质外延金刚石大单晶的分离方法-CN202010427973.9有效
发明人：王兵;熊鹰 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺硼过渡层的CVD同质外延金刚石大单晶的分离方法，属于大尺寸单晶金刚石制备技术领域。包括含掺硼过渡层的CVD同质外延金刚石大单晶的制备及线切割分离：在金刚石单晶衬底表面先通过化学气相沉积外延生长一层掺硼金刚石单晶膜作为中间过渡层，再在其上外延生长大尺寸金刚石单晶，然后通过电火花线切割除去含掺硼过渡层，实现CVD同质外延金刚石大单晶与衬底的分离。本发明在金刚石单晶衬底表面先沉积一层掺硼金刚石膜，再在其上外延生长大尺寸金刚石单晶，使产品局部具有导电性，在外延大尺寸金刚石单晶与衬底的电火花线切割加工中，掺硼过渡层既是放电区，也是分离消耗区，实现线切割技术对CVD同质外延金刚石大单晶的加工分离。
基于过渡 cvd 同质外延金刚石大单晶分离方法

[发明专利]自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法-CN202310185380.X在审
发明人：高伟;邰家劲;殷红 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法，属于单晶材料制备和半导体探测器领域。所述制备方法具体步骤包括：机械合金化制备硼源；高温熔融；偏析合成六方氮化硼；化学腐蚀剥离得到自支撑大面积六方氮化硼单晶。该方法通过预制硼源，以及在高温实验过程中将保护气体和反应气体分段通入，实现大面积六方氮化硼单晶的制备。目前对于六方氮化硼研究以及应用的过程中最主要的问题就是单晶尺寸不够大，质量不够高，无法实现商用，而该方法可以获得横向尺寸高达几厘米的六方氮化硼单晶，对于将来在六方氮化硼上进行商业应用具有重大意义，同时也对其他半导体材料或二维材料的合成
支撑大面积氮化硼单晶及其制备方法

[发明专利]一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法-CN201810836388.7有效
发明人：袁雪婷;金井升;张昕宇;金浩;张艳鹤 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，包括将光衰后的掺硼单晶电池预热至180℃至250℃，将其中更多的缺陷从退火态激活为衰减态；利用红外激光照射所述掺硼单晶电池以注入载流子，使处于衰减态的缺陷钝化为再生态；迅速降低所述掺硼单晶电池的温度，抑制处于再生态的缺陷的失稳过程。上述掺硼单晶电池光衰后恢复效率的方法，能够使光衰后的单晶电池的光电转换效率基本恢复到光衰之前的水平，减少资源浪费，降低生产成本和人工成本。
一种掺硼单晶电池光衰后恢复效率方法

[发明专利]n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法-CN201910382491.3有效
发明人：殷红;刘彩云;李宇婧;高伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅衬底上制备n型硼碳氮薄膜；然后在n型硼碳氮薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过控制磁控溅射的生长参数，得到包含柱状氮化硼纳米晶的n型硼碳氮导电层，其纳米晶取向可控；获得了整流特性良好的n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。
型硼碳氮薄膜单晶硅 pn 原型器件制备方法

[发明专利]含立方晶氮化硼颗粒的单晶态金刚石颗粒、及其制造方法-CN201780001990.2有效
发明人：大岛龙司;崔祥仁 -专利权人：大岛龙司;崔祥仁
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：提供热稳定性优异的单晶态金刚石颗粒。单晶态金刚石颗粒含有立方晶氮化硼颗粒。优选的是，立方晶氮化硼颗粒存在于含立方晶氮化硼颗粒的单晶态金刚石颗粒的内部和/或表面，单晶态金刚石颗粒的平均粒径为500μm以下，立方晶氮化硼颗粒的平均粒径为0.05～100μm。
立方氮化颗粒晶态金刚石及其制造方法

[发明专利]人造金刚石、氮化硼单晶无硝酸提取方法-CN200310110448.0无效
发明人：欧阳昌伦;谢兰香 -专利权人：欧阳昌伦
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：人造金刚石、氮化硼单晶无硝酸提取方法，它是一种提取人造金刚石、氮化硼单晶的化学酸洗法，它是用含人造金刚石或氮化硼单晶的合成块，在常温下经含硝酸盐的浓硫酸溶液浸泡4－6小时，化成糊状后，再用含“点水剂”的水溶液稀释，经淘洗即可分离出人造金刚石或氮化硼单晶；其优点是采用本发明提供的酸洗法提取人造金刚石或氮化硼单晶的加工过程中，避免产生大量有害气体污染环境。
人造金刚石氮化硼单晶无硝酸提取方法

[发明专利]一种大尺寸稀土硼化物SmB₆单晶体的制备方法-CN201310095466.X有效
发明人：张忻;张繁星;李晓娜;张久兴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-03-23 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：一种大尺寸稀土硼化物SmB6单晶体的制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，SmB6稀土硼化物单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，尺寸小，很难实现实际应用。本发明采用放电等离子烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法，在高真空环境下制备高质量、大尺寸的稀土硼化物SmB6单晶体。以Sm粉末和B粉末为初始原料制备出的SmB6单晶为的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象。
一种尺寸稀土硼化物 smb sub 单晶体制备方法

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