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- [发明专利]硅与硅真空键合装置及键合方法-CN03104016.0无效
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冯勇建;吴青海
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厦门大学
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2003-02-11
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2004-08-18
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H01L21/02
- 涉及一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置及键合方法。设有上盖、底座和密封圈，密封圈设于上盖与底座之间，在上盖和底座中设管道，在上盖或底座中由真空腔内至外部设真空腔管道。键合方法为在键合装置的密封真空键合腔体中灌入氧气或氮气，在腔体内形成正压，将硅片清洗，甩干后放入键合装置的上盖的下方和底座的上方，打开阀门，抽真空。可实用于硅与硅、硅与玻璃、硅与硅重掺杂P+面、硅与碳化硅、硅与砷化镓材料的预键合。预键合强度极强，广泛应用在SOI硅片的生产，微机电器件中硅面与硅面、硅面与氧化层面、硅面与P+掺杂面、硅面与碳化硅面、硅与玻璃材料键合的工艺。制作成本低，键合成功率高，容易成批量生产。
- 真空装置方法
- [发明专利]硅金键合方法-CN200610135263.9无效
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孙道恒;吕文龙;王凌云;刘益芳;吴德志
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厦门大学
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2006-11-28
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2007-05-09
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B81C3/00
- 硅金键合方法，涉及一种硅金键合方法。提供一种可提高硅金键合晶片的键合品质，基于硅基多孔氧化铝的新型MEMS器件硅金键合方法。步骤为采用两步恒压阳极氧化法制备硅基多孔氧化铝薄膜：用电子束蒸发方法在硅片上制备一层厚度1.0～1.5μm的铝膜，一次氧化后用6wt％的磷酸和1.8wt％的铬酸混合液去除一次氧化膜，再二次氧化后用5wt％的磷酸进行扩孔处理；制备键合晶片：将2片硅片放入键合器，烘干后在N2保护下退火得键合晶片。硅金键合晶片的键合强度由1.78MPa提高到3.03MPa，晶片的键合品质得到显著提高；而晶片的断裂界面没有发生什么变化，说明基于AAO的硅金键合晶片依然遵循硅金键合晶片的断裂特性。
- 硅金键合方法
- [发明专利]硅基共晶键合结构、微机械器件、封装结构及制备方法-CN202110469693.9有效
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梁亨茂
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华南农业大学
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2021-04-28
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2023-07-14
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B81C3/00
- 本发明公开一种硅基共晶键合结构、微机械器件、封装结构及制备方法，该硅基共晶键合结构包括被包裹在绝缘层中的硅凸台，所述硅凸台的表面高度高于或等于位于硅凸台底部的绝缘层的表面高度；该微机械器件中的器件单元通过硅基共晶键合结构与衬底单元键合连接，衬底硅片的电极由硅基共晶键合结构引出至器件硅片上；利用硅局部氧化方法形成硅凸台结构，暴露器件硅区域，保证器件可动结构的刻蚀穿透；该微机械封装结构中的盖板封装互连结构单元由硅基共晶键合结构与微机械器件键合以机械与电气连接本发明通过两次硅局部氧化层的厚度调控实现硅凸台的表面高度高于或等于绝缘层的表面高度，提升硅基共晶键合结构的机械连接可靠性和电学接触可靠性。
- 硅基共晶键合结构微机器件封装制备方法
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