“硅腔”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2316995个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]异质结电池硅片的镀膜设备及电池生产系统-CN202221930334.5有效
发明人：甘武林;请求不公布姓名;请求不公布姓名 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池生产技术领域，提供一种异质结电池硅片的镀膜设备及电池生产系统，其中，异质结电池硅片的镀膜设备包括基于等离子体增强化学的气相沉积工艺的第一镀膜腔和第二镀膜腔，配置为在晶体硅基板相对的两面镀本征硅基薄膜；基于热丝化学气相沉积工艺的第三镀膜腔和第四镀膜腔，配置为在晶体硅基板相对的两面的本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜，第一镀膜腔、第二镀膜腔、第三镀膜腔和第四镀膜腔顺序布置；输送装置，用于驱使晶体硅基板按序通过第一镀膜腔、第二镀膜腔、第三镀膜腔和第四镀膜腔。如此设置，解决了现有技术中在生产HJT电池的过程中存在的本征非晶硅和掺杂非晶硅的产能不匹配的问题。
异质结电池硅片镀膜设备生产系统

[发明专利]多晶硅层的形成方法-CN201310205826.7有效
发明人：许忠义 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶硅层的形成方法，包括提供基底；将所述基底放入反应腔内；往所述反应腔内通入含硅气体和第一掺杂气体，在所述基底上形成掺杂硅材料层；形成所述掺杂硅材料层后，往所述反应腔内通入流速为200～700sccm的第二掺杂气体，形成掺杂多晶硅层；其中反应腔内的温度大于570℃，且大于形成掺杂硅材料层时反应腔内的温度。通过本技术方案可以提高制备得到的掺杂多晶硅层的掺杂浓度，有效减小多晶硅层的电阻率。
多晶形成方法

[发明专利]一种电调控的有源耦合腔激光器-CN202010929131.3有效
发明人：秦飞飞;王鹏辉;刘沣阅;朱刚毅 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种电调控的有源耦合腔激光器，包括硅衬底；所述硅衬底上设置有第一有源耦合腔、第二有源耦合腔和硅衬底电极；所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔均通过硅柱固定在硅衬底上；所述第一有源耦合腔、第二有源耦合腔的底部与硅柱之间均设置有氮化铝层；所述第二有源耦合腔的顶部设置有第一耦合腔电极和第二耦合腔电极；所述第一耦合腔电极和第二耦合腔电极均为半圆形结构且相对设置。本发明在光激发下通过三个电极的不同组合供电方式给有源腔提供横向和纵向电场，实现对发光模式的调控。
一种调控有源耦合激光器

[发明专利]多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件-CN201910785416.1在审
发明人：宋金星;丛茂杰 -专利权人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件，多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，可以避免在从刻蚀工艺腔转移到沉积工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致沟槽中前后两次沉积的多晶硅分层的问题；多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，还可以避免在从沉积工艺腔转移至刻蚀工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致的刻蚀不良问题。且采用含氟的气体刻蚀多晶硅，能使得刻蚀多晶硅后的产物为气体，避免沟槽中积聚不必要的刻蚀副产物而影响下次多晶硅沉积等后续工艺的效果，并避免前后两次沉积的多晶硅出现分层的问题。
多晶硅多晶硅沉积刻蚀半导体器件刻蚀多晶硅自然氧化层刻蚀工艺两次沉积同一工艺自然氧化工艺腔分层沉积多晶硅填充刻蚀副产物不良问题后续工艺含氟积聚制作

[发明专利]一种整机生产用硅脂涂刷设备-CN202111619189.9在审
发明人：程杰坤 -专利权人：程杰坤
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B05C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种整机生产用硅脂涂刷设备，涉及整机生产领域，包括设备外壳，所述设备外壳顶部滑动连接有滑动板，所述设备外壳上端设置有一对弹簧液压缸，所述弹簧液压缸输出端设置有与所述设备外壳滑动连接的容纳腔。本发明通过滑动板对硅脂槽进行硅脂涂刷，并在涂刷后推动多余的硅脂接触容纳腔，硅脂随着挤压进入容纳腔，此时滑动板继续推动容纳腔移动，进而对弹簧液压缸进行挤压，其内部的压力液体通过液带推动液压刮板沿刷板下刮，从而将全部硅脂刮入容纳腔，进入容纳腔的硅脂在后续硅脂的推动下穿过波纹管，并落入搅拌桶内与新硅脂进行搅拌，由于新硅脂硅油含量较多，可以对回收硅脂进行浸润，从而避免了传统设备会浪费硅脂的弊端。
一种整机生产用硅脂涂刷设备

[实用新型]一种基于WB芯片和FC芯片堆叠的台阶腔硅基封装结构-CN202020838570.9有效
发明人：胡孝伟;代文亮;胡行勇 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本实用新型的一种基于WB芯片和FC芯片堆叠的台阶腔硅基封装结构，属于芯片封装技术领域。包括硅基板，硅基板向内凹陷形成相互贯通的外腔和内腔，外腔的面积大于内腔的面积，内腔内设有相互堆叠的WB芯片和FC芯片，FC芯片底部通过凸点与内腔焊接，WB芯片设置于FC芯片上方，WB芯片的管脚通过金线与外腔上的金手指导通通过在硅基板向内凹陷形成相互贯通的外腔和内腔，使得硅基板的空间利用率大大增加，同时在内腔内设有相互堆叠的WB芯片和FC芯片，可以使得硅基板内安装两个芯片，进一步提高了硅基板的封装平面利用率和集成度。
一种基于 wb 芯片 fc 堆叠台阶腔硅基封装结构

[发明专利]一种提高半导体器件性能的方法-CN201510608924.4在审
发明人：周海锋;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本方法包括：提供一衬底，于衬底上形成侧墙；于侧墙间隔的衬底内形成U型硅腔；处理U型硅腔，以形成Σ型硅腔。本发明通过改变硅腔基底的形貌，形成一个新的形貌的硅腔，以提高载流子的迁移率，进而提高半导体器件的性能。
一种提高半导体器件性能方法

[发明专利]硅光子芯片光学耦合结构-CN201310017480.8无效
发明人： P·S·安德里;R·A·巴德;F·R·利布士;R·L·威斯涅夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及硅光子芯片光学耦合结构。提供了一种硅光子芯片。包括光子器件的有源硅层在硅光子芯片的前侧上。包括蚀刻的背侧腔的硅衬底在硅光子芯片的背侧上。微透镜集成到蚀刻的背侧腔中。掩埋氧化物层位于有源硅层和硅衬底之间。掩埋氧化物层是用于蚀刻的背侧腔的蚀刻停止层。
光子芯片光学耦合结构

[发明专利]基于硅基环形谐振腔的光子可调宽带射频移相器-CN200810040447.6无效
发明人：昌庆江;李强;苏翼凯;仇旻 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：一种基于硅基环形谐振腔的光子可调宽带射频移相器，属于光通信技术领域。本发明包括：泵浦信号光发生系统、载波抑制光双边带产生系统，硅基环形谐振腔系统，以及测量系统。所述硅基环形谐振腔系统包括一个光耦合器和一个硅基环形谐振腔，光耦合器的输出连接到硅基环形谐振腔的输入端口，其中：硅基环形谐振腔由一个硅基微环和一根直波导构成，硅基微环和一根直波导之间的空气隙间隔为几十至几百纳米，硅基环形谐振腔频谱特征是周期性的带阻滤波特性，在谐振波长处的透射率等于0或非常接近0。本发明利用硅基环形谐振腔的非线性热效应，这种非线性热效应会使得谐振峰发生红移，导致探测信号的相位发生改变。
基于环形谐振腔光子可调宽带射频移相器

[发明专利]一种芯片散热硅脂涂抹刮薄装置-CN202110172686.2在审
发明人：梁宋祥 -专利权人：昊昌（广州）计算机科技有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明涉及芯片散热相关领域，公开了一种芯片散热硅脂涂抹刮薄装置，包括主体箱，主体箱内设有线轮腔，主体箱内设有硅脂存储腔，硅脂存储腔下侧连通设有梯形槽，梯形槽下侧连通设有连接腔，连接腔下侧连通设有开口向下的涂抹块腔，主体箱内设有位于涂抹块腔上方且与连接腔连通的抵接腔，该装置能够在对于芯片散热硅脂均匀涂抹后进行刮薄处理，使得涂抹的硅脂更加均匀以及厚度更薄以实现更好的散热效果，在硅脂涂抹过程中，只有装置与芯片上端面抵接时才会使得硅脂能够离开装置进行涂抹，避免硅脂过多的涂抹，同时该装置在硅脂刮薄的过程中能够实现对于堆积在装置上的硅脂进行连续收集，实现对于多余硅脂的收集再利用。
一种芯片散热涂抹装置

[实用新型]一种碳化硅陶瓷散热片-CN202223495322.7有效
发明人：任意 -专利权人：山东晶盾新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅陶瓷散热片，包括散热板，所述散热板两侧设有固定装置，所述散热板上设有若干散热片，所述散热片贯穿散热板设有散热底板，所述散热底板下设有导热硅脂腔，所述导热硅脂腔下设有挡板，所述挡板和导热硅脂腔底部契合，所述挡板和导热硅脂腔滑动连接，所述散热片和导热硅脂腔均和散热板滑动连接，所述导热硅脂腔两侧设有弹簧，所述弹簧另一端设有卡块，所述散热板底端设有卡槽，所述卡块和卡槽契合，所述卡块和散热板滑动连接。该实用新型的优点在于：注射散热硅脂的时候避免散热硅脂过热造成电子元件损坏。
一种碳化硅陶瓷散热片

[发明专利]一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺-CN202011062480.6在审
发明人：刘文柱;张丽平;刘正新;黄圣磊;李晓东 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺，该硅异质结太阳电池包括本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，该单腔PECVD沉积工艺包括在同一PECVD沉积腔室中沉积本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，其中，在沉积掺杂硅薄膜之后通过氧化性等离子体对PECVD沉积腔室进行后处理，以利用氧化性等离子体产生的氧化性粒子钝化附着在PECVD沉积腔室上的掺杂原子使其失去活性以避免交叉污染。根据本发明的用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺，引入氧化性等离子体，实现了对PECVD沉积腔室的沉积腔壁上残余掺杂原子的钝化作用，有效避免了不同硅薄膜沉积之间的交叉污染，而且能够获得很高的光电转换效率
一种用于硅异质结太阳电池生产 pecvd 沉积工艺

[实用新型]一种硅粉输送密封阀-CN202221748158.3有效
发明人：黄勤;周超宇;杨林;张良;周叶辉;龙泉;彭勇;李文强;陈俊宇 -专利权人：四川永祥新能源有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： F16K3/314 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅粉输送密封阀，包括设有插板的阀体，插板上连接阀杆，阀体上设有密封阀杆和阀体上盖的填料层，于填料层下方的填料腔内设硅粉收集腔，阀杆穿过填料层、硅粉收集腔后插入阀体，阀体内设硅粉沉积腔和密封插板的阀座，插板于阀座内竖向移动，插板一端穿过阀体流道连接阀杆，插板另一端延伸至硅粉沉积腔内。本实用新型通过在现有阀体结构内设计硅粉收集腔和硅粉沉积腔，用于对插板移动过程中泄漏的硅粉进行缓冲和沉积，避免硅粉进入填料层而导致阀门填料密封失效、阀杆卡涩问题，可延长现有插板阀的使用寿命，并提高多晶硅硅粉输送的安全性
一种输送密封

[发明专利]同心环芯纳米硅微盘微腔器件及其制备方法-CN201210217253.5无效
发明人：钱波;李永垒;蒋春萍 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种同心环芯纳米硅微盘微腔器件及其制备方法，属于半导体光电子器件技术领域。该同心环芯纳米硅微盘微腔器件包括硅衬底和微盘，所述微盘包括同轴设置的外围微盘和内围微盘，内围微盘直接形成于外围微盘上，外围微盘与内围微盘的边缘部熔合形成环状盘腔结构，其中，内围微盘为含有硅纳米量子点结构的薄膜层本发明将纳米硅量子点结构和微盘微腔结构有机结合，同时又把纳米硅发光区域与微盘环芯结构相分离，既利用了纳米硅良好的光增益特性，又减少了谐振过程中的非辐射自由载流子吸收，实现纳米硅同心环芯微腔的高效率的光发射，同时，该同心环芯纳米硅微盘微腔器件制备工艺简单，参数精确可调，与现行成熟的硅工艺相兼容。
同心纳米硅微盘微腔器件及其制备方法

[发明专利]非晶硅薄膜成膜方法-CN201711163435.8在审
发明人：刘善善;朱黎敏;朱兴旺 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法，包含非晶硅薄膜成膜方法，包含的工艺步骤第一步，将覆盖有二氧化硅层的硅基板进行预热处理；第二步，采用等离子体处理硅基板表面；第三步，对成膜腔室内进行通气预热；第四步，在成膜腔室内对硅基板进行第一次非晶硅成膜；第五步，腔室内通入氩气；第六步，在成膜腔室内进行第二次非晶硅成膜；第七步，腔室内通入氩气；第八步，进行第三次非晶硅成膜；第九步，腔室内通入氩气；第十步，将硅基板移出腔室外冷却。本发明所述的非晶硅薄膜成膜方法，能够有效的防止成膜时鼓包的存在，同时，该方法的可操作性较强，可以获得平坦化度较高的非晶硅。
非晶硅薄膜方法