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[发明专利]一种具有多个粉料腔室的碳化硅单晶生长石墨坩埚-CN202310308440.2在审
发明人：陈启生;许学仁;王鹏翔 -专利权人：中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多个粉料腔室的碳化硅单晶生长石墨坩埚，原料腔包括至少一个碳化硅粉腔和至少一个成分调节粉腔；所述成分调节粉腔为富硅粉腔或富碳粉腔；还包括第一盖板及其固定连接的旋转轴，还设有至少两条长度不等的气体输送通道；所述第二盖板和第三盖板构成碳硅均匀混合区。本发明利用不同原料腔对应的碳硅气相物输送通道，来实现相应组分气相物的连通或关闭，特别是在生长初期，利用更长路径气体输送通道作为硅气相物输送通道，可有效解决生长气氛中硅组分输送过快的问题，使得碳化硅单晶生长表面气相碳硅比例保持合理范围
一种具有多个粉料腔室碳化硅生长石墨坩埚

[实用新型]薄膜太阳能电池沉积生产设备-CN201120346696.5有效
发明人：胡兵 -专利权人：理想能源设备（上海）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：一种薄膜太阳能电池沉积生产设备，包含传输腔、P型第一沉积腔和第二沉积腔，传输腔设置有加热装置，用于加热基板。不同的沉积腔中沉积不同类型的硅薄膜，P型硅薄膜沉积过程中残留在沉积腔中的掺杂气体不会影响I型硅薄膜沉积，从而提高薄膜太阳能的光电转换效率，传输腔中设置加热装置，用于加热基板，可以保持完成P型硅薄膜沉积的基板处于较高的温度，促进附着在基板上的掺杂气体残留挥发，进一步降低沉积P型硅薄膜沉积过程中的掺杂气体残留对I型硅薄膜沉积的影响；腔体采用叠层设置，提高了处理效率，沉积腔共用气体源和清洁源，降低了设备的生产成本。
薄膜太阳能电池沉积生产设备

[发明专利]具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风及其制作方法-CN201810494268.3在审
发明人：吴丽翔;王俊力 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明由下向上依次包括硅衬底、SiO2刻蚀停止层、下多晶硅圆环电极、SiO2支撑层、上多晶硅振膜层。贯穿硅衬底、SiO2刻蚀停止层和下多晶硅圆环电极开设有背腔，贯穿SiO2支撑层开设有阻尼腔,连通的背腔和阻尼腔为阶梯状圆筒形。上多晶硅振膜层架设在阻尼腔上；上多晶硅振膜层靠近边沿位置设置有圆环形的弹性结构。本发明在上多晶硅振膜层与硅衬底之间设置阻尼腔，在振膜振动时，空腔会对振膜产生阻尼作用，根据对不同声音频率所产生的不同阻尼作用，实现麦克风的频率选择功能。
多晶硅振膜层阻尼腔频率选择功能电容式硅衬底刻蚀停止层圆环电极阻尼作用麦克风支撑层背腔阶梯状圆筒边沿位置弹性结构声音频率振膜振动圆环形贯穿空腔拾音振膜制作连通架设

[实用新型]一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风-CN201820763847.9有效
发明人：吴丽翔;王俊力 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本实用新型由下向上依次包括硅衬底、SiO₂刻蚀停止层、下多晶硅圆环电极、SiO₂支撑层、上多晶硅振膜层。贯穿硅衬底、SiO₂刻蚀停止层和下多晶硅圆环电极开设有背腔，贯穿SiO₂支撑层开设有阻尼腔,连通的背腔和阻尼腔为阶梯状圆筒形。上多晶硅振膜层架设在阻尼腔上；上多晶硅振膜层靠近边沿位置设置有圆环形的弹性结构。本实用新型在上多晶硅振膜层与硅衬底之间设置阻尼腔，振膜振动时，空腔会对振膜产生阻尼作用，根据对不同声音频率所产生的不同阻尼作用，实现麦克风的频率选择功能。
多晶硅振膜层阻尼腔频率选择功能本实用新型电容式硅衬底刻蚀停止层圆环电极阻尼作用麦克风支撑层背腔阶梯状圆筒边沿位置弹性结构声音频率振膜振动圆环形贯穿空腔拾音振膜连通架设

[发明专利]一种纳米氧化亚硅粉体的制备方法-CN202210042882.2有效
发明人：宋财根;高书娟;林茜;陈钢强 -专利权人：宁波广新纳米材料有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米氧化亚硅粉体的制备方法，硅粉的进料、二氧化硅粉的喷入、工质气体的进入及纳米氧化亚硅粉体的制备在封闭腔室内连续进行：从上部连通硅粉加料装置的硅粉进料管进料，圆形顶板上的多支与水电气连通的等离子枪产生的交叉的等离子弧矩将硅粉进料管出口处的硅粉在蒸发腔室内蒸发得到硅蒸气；反应腔室的多根二氧化硅粉喷入管喷入二氧化硅粉，工质气体进气管中的工质气体进入反应腔室可带动粉体旋转，并将二氧化硅粉和冷却后的硅蒸气形成的硅粉冷却、相互反应后并送至下部的冷凝腔室进一步冷凝和反应后，构成纳米氧化亚硅粉体该方法生产效率高且制备出的氧化亚硅粉体粒径分布合理、粉体球形度高、分散性好。
一种纳米氧化亚硅粉体制备方法

[发明专利]一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔-CN201310743586.6有效
发明人：崔开宇;李永卓;黄翊东;冯雪;刘仿;张巍 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
一种基于纳米结构晶体

[实用新型]一种LED封装结构-CN201320897282.0有效
发明人：沈雷 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED封装结构，包括成型有一个型腔的硅基载体，在所述硅基载体上设有玻璃基板，在所述硅基载体的型腔内设置有LED芯片，所述玻璃基板和所述硅基载体的边缘连接，在该连接位置通过粘结胶层密封连接，所述硅基载体的型腔内中空，在所述型腔的侧壁上设置有反光层，所述LED芯片粘贴在所述硅基载体的型腔的底部，所述LED芯片的第一电极和第二电极通过布线金属层从所述硅基载体的型腔的底部引出，通过该方式进行封装，由于所述型腔内不需要填充胶，只需要所述玻璃基板和所述硅基载体的边缘密封连接，不仅节约了原料，而且避免了现有技术中由于填充胶对光的吸收造成LED的发光性能下降的问题，提高了LED的发光效率，提高了能源的利用率
一种 led 封装结构

[发明专利]非晶硅薄膜退火方法和装置-CN202310283197.3在审
发明人：孟子博;李宏伟;杨广涛;张学玲;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅薄膜退火方法及装置。非晶硅薄膜退火方法包括：将完成非晶硅薄膜的制备的待处理件放置于工艺腔内；向工艺腔内通入保护气体，同时排出工艺腔内的气体，直至工艺腔内的氧气被全部排出；周期性地向非晶硅薄膜加载微波功率，以对非晶硅薄膜进行微波退火，并控制加载微波功率的总时长以及每个周期中的功率加载时段和功率停止时段，以获得具有低缺陷密度非晶硅层的非晶硅薄膜。通过控制加载微波功率的总时长以及每个周期中的功率加载时段和功率停止时段，使得非晶硅薄膜的温度升高至可以降低其非晶硅层的缺陷密度，但又不会改变其非晶硅层的晶体形态。
非晶硅薄膜退火方法装置

[发明专利]表面被覆材料层-CN202080081708.8在审
发明人： M·S·K·穆蒂亚拉;S·卡玛斯;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：示例性的沉积方法可包括：将含硅前驱物和载体前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含硅前驱物和载体前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积第一数量的含硅材料。沉积可在第一腔室压力下发生。方法可包括：将第一腔室压力调整至比第一腔室压力要小的第二腔室压力。方法可包括：在第一数量的含硅材料上沉积第二数量的含硅材料。
表面被覆材料

[实用新型]硅碎片清洗装置-CN202021728212.9有效
发明人：裴乐扬;颜云峰;张占勇 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;晶澳太阳能越南有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅碎片清洗装置，包括：主体，所述主体设有第一容腔，第一容腔中设有进液口以及出液口；硅碎片收集结构，所述硅碎片收集结构放置于第一容腔中；其中，第一容腔设有用于供硅碎片收集结构通过的第一开口；所述硅碎片收集结构的底部为网栅结构；所述主体设有框架，框架位于第一容腔中，且框架与第一容腔的底壁之间存在间隙；所述第一容腔中还设有溢流口；所述主体的内壁设有超声波振板；主体内设有一个或多个从上往下依次布置的加热器
碎片清洗装置

[发明专利]负压成型微型原子腔、微型原子钟芯片及制备方法-CN201110457855.3无效
发明人：尚金堂;王亭亭;魏文龙;蒯文林;秦顺金;于慧 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种负压成型微型原子腔、微型原子钟芯片及其制备方法，刻蚀深槽形成硅模具；将硅模具与硼硅玻璃组装圆片在真空下进行阳极键合，形成密封腔体；加热至玻璃软化温度以上，并保温，冷却，将上述圆片退火消除应力；在上述成型好的玻璃微腔内放入原子钟所必须的物质，在氮气气氛和室温下与硅衬底进行预键合使玻璃微腔密封，然后保持压力再进行阳极键合，从而得到密封玻璃原子腔；腐蚀，去除硅模具，得到带有平直垂直侧面的微型原子腔；在所述玻璃微腔周围的硼硅玻璃组装圆片上制备加热器，将各组件分别组装到硼硅玻璃组装圆片相应的位置上；制备引脚，并分别与电源及处理电路相连接。
成型微型原子原子钟芯片制备方法

[实用新型]碳化硅单晶生长控制装置-CN202120483498.7有效
发明人：林大野;王治中;蔡钦铭 -专利权人：广州爱思威科技股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碳化硅单晶生长控制装置，包括壳体、加热装置、硅源气体管道和碳源气体管道。壳体内形成有反应腔室，反应腔室内设有碳化硅籽晶置放位；加热装置设于壳体，用以控制反应腔室的内部温度；硅源气体管道用以向反应腔室内通入硅源气体，碳源气体管道用以向反应腔室内通入碳源气体；硅源气体管道设有第一质量流量控制器，用以监测和控制硅源气体的流量；碳源气体管道设有第二质量流量控制器，用以监测和控制碳源气体的流量。本实用新型能够调节和控制硅源气体流量和碳源气体流量之比，使得反应腔室内硅源气体中的Si与碳源气体中C的比例为1:1，从而能够制备出高纯度高质量的SiC单晶。
碳化硅生长控制装置

[实用新型]一种硅料的处理装置-CN202123450087.7有效
发明人：邓浩;韩伟;董升;李侨 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种硅料的处理装置，硅料的处理装置包括：用于带动硅料沿预设传送路径运动的运输机构，以及，沿预设传送路径依次设置的处理腔和清洗机构，其中，处理腔内设有加热机构，加热机构用于调节处理腔内的温度，处理腔内还设有用于输入反应气体的进气口，反应气体至少包括含卤气体；在加热机构将处理腔内的温度调节至第一预设温度的情况下，进气口可向处理腔通入反应气体，以使反应气体中的含卤气体与硅料中的金属杂质反应，清洗机构用于清洗反应后的硅料本实用新型实施例中，可以避免使用大量的化学试剂，节省硅料处理的成本，降低环保压力，且处理装置可处理尺寸不同的硅料。
一种处理装置

[发明专利]基于Helmholtz共振腔的接收超声换能器-CN201910759772.6有效
发明人：孙成亮;吴志鹏;胡博豪;王磊;朱伟;林炳辉;周禹 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：一种基于Helmholtz共振腔的接收超声换能器，包括通过键合结合的Helmholtz共振腔以及MEMS压电超声换能器；MEMS压电超声换能器由压电叠层结构以及带腔体硅衬底组成，Helmholtz共振腔由压电叠层结构上方的带有上部开口的带腔体硅结构组成，上部开口中形成Helmholtz共振腔孔，其中的空气组成Helmholtz共振腔空气柱；底部带腔体硅衬底结构中部刻蚀形成凸起的硅衬底支柱，压电叠层结构上围绕硅衬底支柱蚀刻环形沟槽，且压电叠层结构上以硅衬底支柱为中心刻蚀若干条径向沟槽，将压电叠层结构分隔成若干扇形或梯形结构；若干扇形或梯形结构形成悬臂梁，且其与硅衬底支柱接触一端形成固定端，远离硅衬底支柱的一端形成自由端。
基于 helmholtz 共振接收超声换能器

[发明专利]一种双惠斯通电桥温度补偿差压压力传感器及其制作方法-CN201810672150.5在审
发明人：王焕焕;徐金国;费跃 -专利权人：常州元晶电子科技有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：一种双惠斯通电桥温度补偿差压压力传感器及其制作方法,包括含有双惠斯通电桥的硅薄膜及硅衬底，硅衬底从上至下包括保护层、处理层、牺牲层，保护层包括压力浅腔及压力深腔，压力浅腔位于硅薄膜下方，与压力深腔连通，压力深腔另一端和牺牲层连接，处理层包括背腔，背腔一端和牺牲层连接，另一端和外界大气连通，背腔及压力深腔和牺牲层连接的部分在水平方向的投影无重叠，牺牲层包括牺牲层通道，牺牲层通道连通压力深腔和背腔。避免了用深反应离子刻蚀方法形成背腔时，由于刻蚀工艺刻蚀均匀性等问题，导致硅薄膜结构损坏等问题。
牺牲层压力深腔背腔惠斯通电桥硅薄膜差压压力传感器温度补偿压力浅腔保护层处理层硅衬底连通深反应离子刻蚀刻蚀均匀性从上至下结构损坏刻蚀工艺通道连通外界大气无重叠制作投影