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[发明专利]使用快速热加工形成异质外延层以除去晶格位错-CN201480038172.6有效
发明人： A·M·霍雷卢克;G·森达拉姆;R·巴蒂亚 -专利权人：雅达公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了用于通过使用原子层沉积(ALD)然后快速热退火来在硅基底上生长氮化镓层的氮化镓装置的装置生产的方法和装置。氮化镓直接在硅上生长或在生长在硅基底上的氮化铝阻挡层上生长。一个层或者两个层都通过快速热退火进行热加工。优选地，ALD法使用低于550℃且优选低于350℃的反应温度。该快速热退火步骤使涂布表面的温度在少于12msec内提高到550至1500℃的温度。
使用快速热加工形成外延除去晶格

[发明专利]一步法生产中、低碳铬铁的工艺方法-CN95109463.7无效
发明人：王文华;何良俊 -专利权人：甘肃华藏冶炼厂
申请日： 1995-08-23 - 公布日： 1999-07-28 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一步法生产中、低碳铬铁的工艺方法。本发明采用铬矿石、硅铁、石灰等原材料一次混合加料，电硅热法冶炼，生产出中、低碳铬铁，其工艺步骤为原料破碎、筛分、加料、熔炼、加温、二次精炼、精整、出成品等，通过以上方法降低了原铺材料的损耗，节约了电耗，
一步法生产低碳铬铁工艺方法

[发明专利]一种以硅热法炼镁废渣为原料生产的建筑成型材料及其方法-CN201811627508.9有效
发明人：徐欣;马建勋;李宗文;马鸿敏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C04B28/10 文献下载
摘要：本发明一种以硅热法炼镁废渣为原料生产的建筑成型材料及其方法，方法包括步骤1，将硅热法炼镁工艺还原工序排出的还原渣粉化后得到镁渣原料，在吸潮前边搅拌边加水，直至原料全部均匀吸水且无水渗出并能够团捏成块得到搅拌水化后的镁渣原料；步骤2，将搅拌水化后的镁渣原料用1～10MPa的压力压制成所需形状的建筑成型材料预制件；步骤3，将预制件在潮湿状态下，置入硅热法炼镁工艺煅烧工序白云石煅烧窑排出的烟气气氛中，用烟气气氛中CO
一种硅热法炼镁废渣原料生产建筑成型材料及其方法

[发明专利]一种对多晶硅CVD反应器辐射热损失的预估方法-CN201110308457.5有效
发明人：刘迎文;何雅玲;胡露露;徐升华;刘冈云 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：一种对多晶硅CVD反应器辐射热损失的预估方法，基于蒙特卡洛法来准确获得辐射换热的关键技术参数——角系数，进而准确地求得CVD反应炉内的辐射热损失。本发明可以快速、准确地预估多晶硅CVD反应器的辐射热损失，其适用范围很广，尤其适用于任意硅芯对数和复杂结构的反应器。采用本发明提出的辐射热损失预估方法，可以为多晶硅CVD反应器的操作人员提供更加准确的辐射漏热数据，从而实现对工作电流的准确调控甚至为自动化控制提供必要的反馈信息，确保还原炉内硅芯的温度控制在更加准确有效的范围内，大大节约了反应耗能，并提高多晶硅产品的质量和生产的成品率，为企业带来极大的经济效益和社会价值。该方法同样适用于其它复杂结构的反应器的辐射漏热预估。
一种多晶 cvd 反应器辐射热损失预估方法

[发明专利]一种硅钨酸纳米棒的制备方法-CN201811526340.2有效
发明人：文韬;郑昭;袁俊;殷盼超 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C01B33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅钨酸纳米棒的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用简单的热处理方法，利用嵌段共聚物诱导硅钨酸形成纳米棒。本发明所提出的方法显著有别于传统溶液法或水热法，其特色在于可以从高分子本体中制备硅钨酸纳米棒。通过本方法得到的多酸纳米棒直径均一、长径比高（80:1）、尺寸可控。
一种硅钨酸纳米制备方法

[发明专利]一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法-CN201310121151.8在审
发明人：李灿;秦炜;刘生忠;王书博 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法，属于硅薄膜的制备技术领域。该方法通过在化学气相沉积过程中使用热丝(HWCVD)等离子体(PECVD)，和偏压结合分解反应气体沉积硅薄膜（简称结合方法(P-HWCVD)），通过对极板间距，射频功率，偏压，硅烷和氢气浓度等参数的调节实现对硅薄膜微结构、硅薄膜制备过程以及沉积速率的调控。同时，使用结合方法可以实现比单独使用上述单一一种气体分解方式有更高的气体利用率，比单一使用热丝法在超高速率制备的材料具有更好的质量。在结合方法中制备出的硅薄膜材料与单一使用热丝法制备的材料相比更适合用于太阳电池。
一种等离子体偏压结合制备薄膜装置方法

[发明专利]用低贫锰高铁高磷难选矿生产电硅热法金属锰的方法-CN201310107100.X无效
发明人：李明刚 -专利权人：李明刚
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C22B47/00 文献下载
摘要：用低贫锰高铁高磷难选矿生产电硅热法金属锰的方法，是用等粒子解粒，重选脱泥，使SiO2、AiO3、CaO、MgO减少，利用Fe与CO反应和P与CO的作用进入附产铁。再用中频炉熔化与液体富锰渣热兑热装入电弧精炼炉，以CaO作熔剂，造渣脱Si精炼。实现了用低贫锰高铁高磷难选矿作原料，采矿成本低，有利于环保，节约投资，质量达到国际电硅热法金属锰指标。
用低贫锰高铁高磷难选矿生产电硅热法金属锰方法

[发明专利]一种具有拉晶状态监测装置的拉晶设备-CN202210798117.3在审
发明人：陈立民;郭旭东;刘威;陈磊;唐柏祥;王岩 -专利权人：曲靖阳光新能源股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有拉晶状态监测装置的拉晶设备，包括设备外壳，设备外壳的上侧周向均布设有若干观察窗，若干观察窗与若干监测设备一一对应设置，设备外壳的内部工作腔中设有热场一和热场二，热场一包括保温层一，保温层一中设有坩埚一，热场二包括保温层二，保温层二设置在坩埚二的侧壁，将硅料送入热场二的坩埚二中，对坩埚二中的硅料进行加热熔化，形成硅液，然后进入热场一的坩埚一中，硅液相较于硅料在进入坩埚一的过程中冲击较小，避免了坩埚一直接添加固体硅料导致的溅液问题，解决了在连续直拉法生产工艺中，在添加新的硅料时，不可避免的会出现溅料，导致晶棒生长界面的温度波动较大，从而会影响单晶硅的品质的技术问题。
一种具有状态监测装置设备

[发明专利]硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法-CN201210337342.3有效
发明人：奚嘉;杨军;肖斐 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造和封装技术领域，公开了一种硅通孔壁上制作苯并环丁烯BCB树脂电介质层的方法。本发明中，使用BCB树脂作为硅通孔电介质层，利用了BCB树脂良好的加工性能，采用溶液浸渍法、减压旋涂法进行通孔的填充，设备、工艺简便，与前后道工艺兼容，降低了制造成本。此外，BCB树脂具有优良的热、机械和介电性能，BCB树脂作为硅通孔内的电介质层，可以减小漏电流以及硅通孔结构中的应力，提高器件的可靠性。
硅通孔壁上制作丁烯树脂电介质方法

[发明专利]一种联合法混合脱硅工艺-CN200710012144.9无效
发明人：李志国;金亚利;周凤禄;王剑 -专利权人：沈阳铝镁设计研究院
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种脱硅工艺，特别是一种联合法混合脱硅工艺。它包括下述步骤：将全部或部分烧结法粗液加入到拜耳法系统中，利用拜耳法溶出后浆液中大量新鲜的赤泥作为脱硅种子，浆液中蕴含的大量的热量作为热源，混合完成脱硅反应。本发明方法与原有生产流程相比，简化了生产流程，提高了拜耳法溶出系统的热利用效率，简化了工艺流程，节能降耗，降低了种分精液α_K，提高了种分分解率。
一种联合混合工艺

[发明专利]一种高铝粉煤灰提取氧化铝的方法-CN201810537691.7在审
发明人：公彦兵;孙俊民;高志军;洪景南;王娜;张文诚;许学斌;胡剑;李运改 -专利权人：大唐国际发电股份有限公司高铝煤炭资源开发利用研发中心
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C01F7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种高铝粉煤灰提取氧化铝的方法，包括：对高铝粉煤灰实施活化处理，固液分离后得到预处理粉煤灰和活化母液；对预处理粉煤灰实施预脱硅处理，经固液分离，得到脱硅粉煤灰和脱硅液；对脱硅粉煤灰进行拜尔法溶出，并对溶出料浆进行固液分离，得到铝酸钠溶液和拜尔法溶出渣；将拜尔法溶出渣与石灰乳进行水热反应，经固液分离，得到硅钙渣和回收碱液；对铝酸钠溶液进行种分分解，得到氢氧化铝和种分分解母液；对氢氧化铝进行煅烧，本方法在对高铝粉煤灰活化脱硅后采用拜耳法工艺提取氧化铝，不仅能够得到高品质的冶金级氧化铝产品，而且能够回收拜耳法溶出渣中的碱，具有成本低、能耗低等工艺特点，并具有操作简单的优点。
高铝粉煤灰固液分离氧化铝溶出拜尔法预处理粉煤灰铝酸钠溶液脱硅粉煤灰氢氧化铝种分分解活化母液冶金级氧化铝拜耳法工艺工艺特点回收碱液活化处理溶出料浆水热反应拜耳法高品质硅钙渣石灰乳脱硅液预脱硅脱硅煅烧能耗回收

[发明专利]一种高硅铝比八面沸石的合成方法-CN200510047510.5有效
发明人：陈松;张晓萍;刘利军;谷明镝 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： C01B39/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硅铝比八面沸石的合成方法，特别是采用模板法合成的具有八面沸石特征沸石的方法。本发明方法采用适宜的模板剂，在钠用量较少的条件下，采用水热晶化法直接合成出高硅铝比的八面沸石。
一种高硅铝八面沸石合成方法

[发明专利]微机械热电堆红外探测器-CN200910074776.7有效
发明人：薛晨阳;梁庭;张文栋;刘俊;熊继军;石云波;王楷群 -专利权人：中北大学
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：简化了制作工艺，提高了性能、成品率，制作步骤：①用LPCVD法在硅衬底双面淀积氮化硅薄膜；②光刻、刻蚀掉硅衬底正面的外围氮化硅薄膜；③用LPCVD法、光刻工艺制作若干两端分别位于氮化硅薄膜和硅衬底上的多晶硅条；④用溅射、光刻工艺制作若干同多晶硅条构成热电偶的铝条；⑤用PECVD法在硅衬底正面上淀积氧化硅薄膜；⑥用光刻工艺制作覆盖热电堆热结区的红外吸收层-碳化的光刻胶层；⑦用剥离工艺制作覆盖热电堆冷结区的金属反射层-金层；⑧将硅衬底背面腐蚀形成正四棱台状凹槽。
微机热电红外探测器

[发明专利]一种新型硅纳米晶的制备方法-CN200610118916.2无效
发明人：张荣君;陈良尧;郑玉祥;李晶;王松有;陆明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明属于纳米光电材料技术领域，具体为一种电子束蒸发制备硅纳米晶的方法。传统的硅纳米晶的制备方法包括电化学腐蚀法、离子注入法、溅射法、化学气相沉积法，以及热蒸发法等。SiO₂层将分别蒸发SiO粉末源材料和SiO₂源材料而得到，然后在高温氮气环境中退火，从而获得SiO₂基体中尺寸大小可控、且均匀分布的硅纳米晶薄膜中硅纳米晶的尺寸大小、尺寸分布和硅纳米晶的密度可以独立控制，而且硅纳米晶在薄膜样品中的位置以及样品的超晶格周期也可以任意设计。
一种新型纳米制备方法

[发明专利]一种锂离子电池负极材料碳包覆中空纳米硅管的制备方法-CN201810597921.9在审
发明人：赵云;朱丽丽;张成龙;王辉 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种锂离子电池负极材料碳包覆中空硅管的制备方法，其制备工艺如下：制备氧化锌纳米棒，将海藻酸钠加入到醋酸锌溶液中，加入氨水调节pH，经过水热反应后制得纳米棒状的氧化锌；利用正硅酸乙酯的水解作用在氧化锌表面包覆一层二氧化硅层，并用酸将氧化锌溶解；以乙炔为碳源利用化学气相沉积法在二氧化硅表面包覆一层碳层，再通过镁热还原法将二氧化硅还原为单晶硅，得到碳包覆中空硅管。本发明提出的方法所制得的碳包覆中空纳米硅管在用作锂离子电池负极材料时，体积膨胀小，容量高，循环寿命长。
碳包覆锂离子电池负极材料硅管中空纳米氧化锌中空包覆制备制备氧化锌纳米乙炔二氧化硅表面化学气相沉积单晶硅醋酸锌溶液二氧化硅层镁热还原法氧化锌表面正硅酸乙酯氨水调节二氧化硅海藻酸钠纳米棒状水解作用水热反应碳源利用体积膨胀循环寿命制备工艺碳层还原溶解并用