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[发明专利]多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块-CN201910783400.7在审
发明人：宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： B65B5/04 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。
多晶棒多晶硅棒塑料制袋反应器清洗保管蚀刻亚硝酸根离子硝酸根离子表面污染多晶硅块金属污染西门子法氟离子合成硅内表面密闭覆盖热封收容取出残留制造

[发明专利]多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块-CN201910783086.2在审
发明人：宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。
多晶棒多晶硅棒塑料制袋反应器清洗保管蚀刻亚硝酸根离子硝酸根离子表面污染多晶硅块金属污染西门子法氟离子合成硅内表面密闭覆盖热封收容取出残留制造

[发明专利]一种高性能钛硅分子筛催化剂的制备方法-CN201310146822.6有效
发明人：夏建超;夏娟;李慧民;文怀有;谈赟 -专利权人：上海卓悦化工科技有限公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能钛硅分子筛催化剂的制备方法。该方法包括以下步骤：1）以硅源、钛源、有机模板剂和碱源为原料，采用水热晶化法合成微米级钛硅分子筛A；2）用碱性溶液改性处理上述钛硅分子筛A得到改性分子筛B；3）配制含钛源、有机模板剂以及碱源的含钛改性液对改性分子筛B进行改性处理而得到高性能钛硅分子筛催化剂C。本发明主要解决现有技术制备的钛硅分子筛催化剂成本高、催化活性低和稳定性差的问题；显著地改善了钛硅分子筛催化剂在环己酮肟化反应中的性能。
一种性能分子筛催化剂制备方法

[发明专利]一种黑硅材料及其制备方法-CN201910312443.7有效
发明人：吕坚;祝威;李小飞;杨凯;阙隆成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅材料及其制备方法，解决了现有的硒元素掺杂黑硅材料制备方法的不足，制备方法包括：获取清洁衬底；采用热蒸发法在衬底表面沉淀一层硒膜；在氟化氢气体氛围下，利用飞秒激光扫描烧蚀；除去材料表面氧化硅，得到黑硅材料。本发明在飞秒激光烧蚀衬底材料的过程中，引入了氟元素，借助氟元素与衬底硅材料产生的化学反应，制备得到的黑硅材料，表面具有微结构尖锥阵列，即“黑森林”结构，这种黑硅材料具有很强的陷光性，因此这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展
一种材料及其制备方法

[发明专利]化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法-CN201410005272.0无效
发明人：王新昶;孙方宏;沈彬;张志明;郭松寿;张文骅 -专利权人：上海交通大学;上海交友钻石涂层有限公司;苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司
申请日： 2014-01-06 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积制备硅掺杂微纳复合金刚石薄膜的方法；首先采用含硅有机化合物作为硅掺杂源，采用热丝化学气相沉积法在衬底表面制备硅掺杂金刚石薄膜，然后原位沉积不掺杂微米金刚石薄膜，以制备硅掺杂复合金刚石薄膜与现有技术相比，本发明可以更加精确地控制碳源或硅掺杂源和碳源混合溶液的流量并实现定量掺杂，硅掺杂复合金刚石薄膜既具有优异的附着性能，又具有极高的表面硬度和耐磨损性能，适用于对金刚石薄膜的附着性能和耐磨损性能综合要求很高的各类应用场合
化学沉积制备掺杂复合金刚石薄膜方法

[发明专利]锂离子电池用含硅复合负极材料、制备方法及包含其的电池-CN201610966494.8有效
发明人：徐保民;吴金波;石润;程春 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池用含硅复合负极材料，包括由氧化钒纳米线交织而成的三维网状结构，以及均匀分散于所述三维网状结构中的纳米硅颗粒。本发明提供的锂离子电池用含硅复合材料能有效缓冲体积效应，初始比容量在1800mAh/g以上，循环200次后比容量仍然在800mAh/g以上，且倍率性能佳。本发明涉及的制备方法包括水热法、超声分散和高速离心，简单易操作，产业化较为容易。
锂离子电池用含硅复合负极材料制备方法包含电池

[发明专利]低紫外吸收多孔和无孔高硅氧玻璃的制备方法-CN200410067899.5无效
发明人：陈丹平 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： C03C4/08 文献下载
摘要：一种低紫外吸收多孔和无孔高硅氧玻璃的制备方法，该方法的要点是添加氧化剂、两次熔融法、重复酸处理以制备出低过渡金属离子含量的多孔高硅氧玻璃，再、还原烧结，制备出低紫外吸收的无孔高硅氧玻璃。本发明方法制备的玻璃熔融温度不高，生产成本低，可以制备成块状、管状、棒状和纤维等多种形状，以适应各种应用的需要，并具有高光学质量、热光稳定性和物理化学特性好，紫外吸收低等特点。
紫外吸收多孔无孔高硅氧玻璃制备方法

[发明专利]钛硅分子筛负载氧化铁复合燃烧催化剂、制备方法及应用-CN202011474710.X有效
发明人：李丹;冯昊;秦利军;李建国;龚婷;张王乐;惠龙飞;胡逸云 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C06B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛硅分子筛负载氧化铁复合燃烧催化剂、制备方法及应用，该方法采用原子层沉积法将Fe2O3沉积在钛硅分子筛基底表面形成铁钛硅复合催化剂钛硅分子筛负载氧化铁复合燃烧催化剂用于推进剂中作为高氯酸铵热分解反应的催化剂的应用。本发明的制备方法采用原子层沉积技术在钛硅分子筛上沉积氧化铁，氧化铁纳米颗粒高度分散，铁‑钛‑硅界面结构精确可控，环境绿色友好。本发明的燃烧催化剂，即钛硅分子筛沉积氧化铁催化剂相比于传统燃烧催化剂具有较高的催化活性。将不同氧化铁沉积圈数的钛硅分子筛负载氧化铁催化剂应用于固体推进剂中主要功能材料高氯酸铵热分解的催化反应中，得到了非常好的催化结果。
分子筛负载氧化铁复合燃烧催化剂制备方法应用

[发明专利]“二步法”炉外精炼生产低碳锰硅合金的方法-CN201710593574.8有效
发明人：黄茂;秦化学;冯道静 -专利权人：国家电投集团贵州金元绥阳产业有限公司;秦领
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22C33/06 文献下载
摘要：“二步法”炉外精炼生产低碳锰硅合金的方法，步骤如下：采用25500KVA及以上的矿热炉生产岀含硅22～24%的硅锰合金产品；将含硅22～24%的硅锰合金产品热装入20吨中频炉中，加入该炉硅锰合金产品重量的5～15%的硅铁后送电熔炼5～15分钟，温度达到1400℃以上后，加入该炉硅锰合金产品重量的2.4%的造渣剂和该炉硅锰合金产品重量的0.8%的覆盖剂，精炼15～25分钟，精炼结束，停电，镇静5分钟后；扒渣、岀炉浇注，最终得到含Si≥27%、C≤0.2%的低碳锰硅合金。
硅锰合金低碳锰硅合金炉外精炼二步法精炼生产成本低产量规模运行稳定质量稳定覆盖剂矿热炉品级率造渣剂中频炉熔炼浇注扒渣硅铁生产镇静装入送电停电

[发明专利]串联法生产氧化铝中拜耳法赤泥与烧结法硅渣的简易处理方法-CN201410063851.0有效
发明人：李明;张伦和 -专利权人：湖南中大冶金设计有限公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明属于氧化铝冶炼技术领域，具体涉及一种串联法生产氧化铝中拜耳法赤泥和烧结法硅渣的简易处理新方法。本发明将拜耳法溶出浆液稀释后进行固液分离得到浆状拜耳法赤泥；再将部分拜耳法赤泥与烧结法粗液混合后送入中压脱硅工序，脱硅后所得脱硅浆液经固液分离得固体硅渣；再将硅渣与余量拜耳法赤泥同步送入一次洗涤工序，然后进行过滤，并将滤饼送至烧结法系统制备生料浆，进而通过常规串联法后续工序完成氧化铝的生产。本发明生产方法既克服了简易串联法产品质量低的弊端，又避免了采用传统复杂工艺来得到高品质氧化铝的问题，工艺简单，流程合理，可使串联法工艺高效、稳定地得到高品质冶金级氧化铝产品。
串联生产氧化铝中拜耳法赤泥烧结法硅渣简易处理方法

[发明专利]半导体器件与硅衬底的剥离方法-CN200610028797.1无效
发明人：周家华 -专利权人：上海宇体光电有限公司
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种将生长在硅衬底上的半导体器件结构层从硅衬底上分离的方法。通过在具有腐蚀阻挡层的硅衬底上生长AlN中间层，并通过AlN中间层生长半导体结构层。硅衬底分层多次减薄初期，采用物理研磨法或者化学物理研磨法将硅衬底减薄到一定的厚度后，再用化学腐蚀法腐蚀硅衬底。可以利用化学腐蚀法均匀地腐蚀剩余的硅衬底以及中间层。或者，用光刻腐蚀法在腐蚀阻挡层的表面上腐蚀深度达中间层的多个微孔，然后采用对中间层有选择腐蚀性的化学剂来腐蚀中间层，从而将半导体器件结构层从硅衬底上分离。
半导体器件衬底剥离方法

[发明专利]一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法-CN201210232540.3有效
发明人：潘永娥;高贻刚;张国霞 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，具体步骤包括：将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；抽真空，将石墨件逐步加热到1650℃-1700℃，缓慢降温，待热场温度≤100℃以下时拆炉；打开单晶炉炉体，待热场冷却后，取出各个石墨件；去除每个石墨件表面上的残余石英粉，并将每个石墨件表面清理干净即成。本发明的方法，通过SiC与石英粉在高温下的反应，能够延长石墨件的使用寿命15-30炉；适用于直拉单晶硅中使用的各个石墨件。
一种直拉法生长单晶硅石墨清洗方法

[发明专利]用碳热还原法制备钛硅铝合金的方法-CN200810011862.9有效
发明人：邢鹏飞;涂赣峰;庄艳歆;吴文远;孙树臣;高波;边雪 -专利权人：东北大学
申请日： 2008-06-16 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： C22B21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用碳热还原法制备钛硅铝合金的方法，其特征在于：以含钛渣、含钛矿或含钛渣和含钛矿的混合物为含钛原料，加入碳质还原剂混合磨细；再加入粘结剂混合、制备成含钛球团并烘干；将含钛球团、硅石和碳质还原剂按成品所需比例混合配制批料；将配制的批料置于矿热电弧炉内进行冶炼，得到钛硅铝合金成品。本发明用含钛废渣或者尾矿，采用碳热还原法在矿热电弧炉内直接制取钛硅铝合金，降低了生产成本和能源消耗，对综合利用含钛渣和含钛矿具有重要的意义。
用碳热还原法制备铝合金方法

[发明专利]一种RCZ直拉法大热场的闷炉工艺-CN202111593708.9在审
发明人：马新星;王军磊;王艺澄 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种RCZ直拉法大热场的闷炉工艺，具体：（1）当单晶炉运行时间超过460h，拉多晶时间不足或炉台有其它异常，无法继续运行且主加热器可正常运行时开启闷炉工艺；（2）将埚位放置到正常引放埚位，设置主加热器功率，确保硅液上液面30分钟内液面结晶块大小不超过导流筒下沿大小，并水冷屏升到上限位；（3）在硅液上液面30分钟内液面结晶块大小不超过导流筒下沿大小的条件下，开始降坩埚位置，直至降到坩埚下限停止；（4）当硅液上液面完全结晶后主加热器在1小时内缓慢降到0kw；（5）主加热器功率降到0kw后，按正常停炉工序冷却停炉即可；该工艺简单易行，有效降低了热场件的损耗，消除了大热场闷炉时漏硅的现象。
一种 rcz 直拉法大热场工艺

[发明专利]一种两亲Janus片状材料及其制备方法和应用-CN202210978264.9在审
发明人：黄志学;杨欢;于小荣;苏高申;刘冲;胡安邦 -专利权人：长江大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C09K23/00 文献下载
摘要：本发明采用热可膨胀微球作为内核，将含亲水基团的硅烷偶联剂吸附在热可膨胀微球上，利用亲水硅烷偶联剂的硅烷氧基水解成硅醇，通过溶胶‑凝胶法使得硅醇在热可膨胀微球外缩聚成二氧化硅壳，然后利用含亲油基团的硅烷偶联剂的硅烷氧基水解的硅醇与二氧化硅壳的硅羟基缩合
一种 janus 片状材料及其制备方法应用