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[发明专利]HBC光伏电池及其制作方法-CN202211576806.6在审
发明人：钱锋;姚飞;廖运华;宋银海;贾银海;王小东 -专利权人：东莞帕萨电子装备有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种HBC光伏电池及其制作方法，包括玻璃基板，所述玻璃基板的表面设有N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层，所述N+型非晶硅层与所述P+型非晶硅层呈间隔交替地布置；所述N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层内分别设有金属电极；所述玻璃基板的表面设有非晶硅本征层，且所述非晶硅本征层覆盖于所述N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层上；所述非晶硅本征层的表面设有掺杂型晶体硅层以及与所述掺杂型晶体硅层的掺杂类型相同的高浓度掺杂型晶体硅层；所述掺杂型晶体硅层为N型晶体硅层或P型晶体硅层；所述高浓度掺杂型晶体硅层为N+型晶体硅层或P+型晶体硅层。
hbc 电池及其制作方法

[实用新型]一种晶体硅太阳电池-CN201520240093.5有效
发明人：高云峰;刘成法;刘超;张松;徐大超;王鹏磊;季海晨 -专利权人：上海大族新能源科技有限公司;大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本实用新型一种晶体硅太阳电池，包含：第一导电类型的晶体硅层；覆盖第一导电类型的晶体硅层正面及侧壁的第二导电类型的晶体硅层；减反射膜层，覆盖位于第一导电类型的晶体硅层正面的第二导电类型的晶体硅层；金属电极，位于减反射膜层，与第二导电类型的晶体硅层电连接；金属背电极，覆盖第一导电类型的晶体硅层的背面，并与第一导电类型的晶体硅层电连接；隔离槽，环绕设置在位于第一导电类型的晶体硅层侧壁的第二导电类型的晶体硅层
一种晶体太阳电池

[发明专利]叠层光伏器件及生产方法-CN202010231541.0在审
发明人：吴兆;徐琛;李子峰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供叠层光伏器件及生产方法，涉及光伏技术领域。叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于上层电池单元和下层电池单元之间的隧道结；下层电池单元为晶体硅电池；隧道结包括：上晶体硅层、下晶体硅层以及位于上晶体硅层和下晶体硅层之间的中间层；所述上晶体硅层、所述下晶体硅层、所述中间层直接接触，所述上晶体硅层和所述下晶体硅层的掺杂类型相反；所述上晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度、所述下晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度均大于或等于1018cm‑3；所述中间层包括：至少一层介电层；所述介电层的带隙宽度大于或等于3eV。本申请提高了叠层光伏器件效率，降低了串联电阻，提升了峰值隧道电流。
叠层光伏器件生产方法

[发明专利]晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN201980078416.6有效
发明人：尹海鹏;单伟;汤坤 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件，属于太阳能电池技术领域。其中，晶体硅太阳能电池包括晶体硅基体、设置在所述晶体硅基体上的具有通孔的钝化层、设置在所述钝化层上的载流子收集层、以及与所述载流子收集层接触的电极；所述载流子收集层通过所述钝化层上的通孔与所述晶体硅基体接触该晶体硅太阳能电池中，在钝化层上开设通孔，并且载流子收集层通过钝化层上的通孔与晶体硅基体接触，在保证良好表面钝化效果的基础上，载流子可穿过晶体硅基体与载流子收集层接触的界面被电极收集，实现更加有效的载流子传输，降低晶体硅太阳能电池的串联电阻，提高晶体硅太阳能电池的填充因子，提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
晶体太阳能电池及其制备方法组件

[实用新型]晶体硅太阳能电池及光伏组件-CN201821965911.8有效
发明人：尹海鹏;单伟;汤坤 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;上海晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池及光伏组件，属于太阳能电池技术领域。其中，晶体硅太阳能电池包括晶体硅基体、设置在所述晶体硅基体上的具有通孔的钝化层、设置在所述钝化层上的载流子收集层、以及与所述载流子收集层接触的电极；所述载流子收集层通过所述钝化层上的通孔与所述晶体硅基体接触该晶体硅太阳能电池中，在钝化层上开设通孔，并且载流子收集层通过钝化层上的通孔与晶体硅基体接触，在保证良好表面钝化效果的基础上，载流子可穿过晶体硅基体与载流子收集层接触的界面被电极收集，实现更加有效的载流子传输，降低晶体硅太阳能电池的串联电阻，提高晶体硅太阳能电池的填充因子，提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
晶体硅太阳能电池晶体硅基体载流子收集钝化层通孔光伏组件电极载流子太阳能电池技术表面钝化效果光电转换效率本实用新型载流子传输串联电阻填充因子穿过保证

[发明专利]一种异质结电池及其制备方法-CN202210550502.6在审
发明人：毛卫平;陈宇;王进;任明冲;张杜超;蔡涔;杨伯川 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池及其制备方法，属于异质结电池领域，包括晶体硅层，所述晶体硅层正面从内向外依次设置本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层、第一金属电极；所述晶体硅层背面从内向外依次设置第二掺杂非晶硅层、第二透明导电层、第二金属电极，所述晶体硅层背面与所述第二掺杂非晶硅层之间设置有超薄介质膜层和掺杂多晶硅层。本发明在晶体硅层背面设置超薄介质膜层与掺杂多晶硅层，非晶硅层沉积过程中，能避免翻片导致晶体硅层未镀膜面暴露于大气中或接触自动化传送部件，降低表面氧化或污染的影响。
一种异质结电池及其制备方法

[实用新型]一种异质结电池-CN202221215212.8有效
发明人：毛卫平;陈宇;王进;任明冲;张杜超;蔡涔;杨伯川 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结电池，属于异质结电池领域，包括晶体硅层，所述晶体硅层正面从内向外依次设置本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层、第一金属电极；所述晶体硅层背面从内向外依次设置第二掺杂非晶硅层、第二透明导电层、第二金属电极，所述晶体硅层背面与所述第二掺杂非晶硅层之间设置有超薄介质膜层和掺杂多晶硅层。本实用新型在晶体硅层背面设置超薄介质膜层与掺杂多晶硅层，非晶硅层沉积过程中，能避免翻片导致晶体硅层未镀膜面暴露于大气中或接触自动化传送部件，降低表面氧化或污染的影响。
一种异质结电池

[发明专利]一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池-CN201610822290.7有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池。包括前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用基于扩散的传统晶体硅制备工艺。TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压和转换效率。背面传统的晶体硅制备工艺可充分利用现有晶体硅太阳电池生产设备。
一种基于 si tiox 异质结双面晶体太阳电池

[实用新型]一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池-CN201621054523.5有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池。包括前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用基于扩散的传统晶体硅制备工艺。TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压和转换效率。背面传统的晶体硅制备工艺可充分利用现有晶体硅太阳电池生产设备。
一种基于 si tiox 异质结双面晶体太阳电池

[发明专利]一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法-CN201610136770.8有效
发明人：钟德京;邱家梁;张涛;黄伟冬;邹军 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，包括以下步骤在晶体硅生长过程中，向铸锭炉中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体随着晶体硅的生长在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，得到富含氧元素的富氧层，长晶完成后得到晶体硅，根据富氧层的生长界面获得晶体硅的生长界面，根据富氧层在晶体硅中的高度或富氧层的厚度计算得到晶体硅的生长速度。本发明在晶体硅生长过程中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，氧元素在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，从而在晶体中形成富氧层，根据富氧层可以表征晶体硅生长界面和生长速度，表征精确度较高。
一种表征晶体生长界面速度方法

[发明专利]一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构-CN201010200422.5无效
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构，其特征在于，在由掺杂类型相反的薄膜硅层和晶体硅层构成的异质pn结的薄膜硅层和晶体硅层之间插入一层本征非晶硅锗层做异质结界面的钝化层。所述的本征非晶硅锗层是单一组分的或组分渐变的。与现有的薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池采用的含有本征非晶硅层做异质结界面钝化层的薄膜硅/晶体硅异质pn结相比，本发明可以减小薄膜硅/晶体硅异质pn结界面处的能带失配，改善载流子输运特性，从而改善太阳电池性能
一种用于太阳电池薄膜晶体硅异质 pn 结构

[发明专利]一种钝化接触太阳能电池的制备方法-CN202010554934.5有效
发明人：陈嘉;马丽敏;吴伟梁;陈程;刘志锋;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：该制备方法包括：对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层；对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描，使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层；其中，激光器的功率为20～38W；清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层；在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层，并对背面非晶硅层进行掺杂，使背面非晶硅层完成晶化，形成背面掺杂多晶硅层；对晶体硅基体的双面进行钝化处理；对晶体硅基体的双面进行金属化处理。
一种钝化接触太阳能电池制备方法

[实用新型]n型晶体硅双面电池-CN201720599465.2有效
发明人：毛卫平;蔡永梅;鲁伟明;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型提供一种n型晶体硅双面电池，包括衬底、p+型晶体硅层、p++型硅膜层、正面钝化减反射层、正面金属电极层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层和背面金属栅线电极，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面设有掺杂形成的p+型晶体硅层，p+型晶体硅层上局部设置p++型硅膜层，p+型晶体硅层与p++型硅膜层的共同正表面沉积正面钝化减反射层，正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与p++型硅膜层接触，n型晶体硅片的背面设置n++型硅膜层，n++型硅膜层表面沉积背面钝化减反射层；本实用新型避免了金属电极直接接触p+型掺杂层造成的接触区复合；并降低了金属栅线电极与p+型掺杂层之间的接触电阻。
硅膜层减反射层晶体硅层钝化正面金属电极层金属栅线电极本实用新型背面钝化双面电池掺杂层衬底背面设置表面沉积接触电阻金属电极局部设置接触区正表面沉积背面穿透掺杂复合

[发明专利]设置晶体半导体材料薄层的方法以及有关的结构和器件-CN201380009416.3有效
发明人：玛丽亚姆·萨达卡;I·拉杜 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括以下步骤在晶体硅层的一部分中形成金属硅化物；以及使用相对于所述晶体硅对所述金属硅化物有选择性的蚀刻剂来蚀刻所述金属硅化物，以设置薄晶体硅层。可以通过以下步骤形成绝缘体上硅(SOI)基板在晶体硅层与基底基板之间具有介电材料的情况下在基底基板上设置晶体硅层；以及通过在所述晶体硅的一部分中形成金属硅化物层并且然后使用相对于所述晶体硅对所述金属硅化物层有选择性的蚀刻剂蚀刻所述金属硅化物层来使所述晶体硅层变薄
设置晶体半导体材料薄层方法以及有关结构器件

[发明专利]一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池-CN201110020790.6无效
发明人：杨宏;帅争峰;王鹤 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池。该电池依次由正面银电极，正面TCO导电薄膜，p型重掺杂纳米硅层，p型轻掺杂纳米硅层，p型轻扩散晶体硅层，n型晶体硅层，本征纳米硅层，n型纳米硅层，背面TCO导电薄膜，背面银电极构成。通过在电池正面的p型重掺杂纳米硅层与n型晶体硅衬底间制备出p型轻掺杂纳米硅层和p型轻扩散晶体硅层，在p型重掺杂纳米硅层和n型晶体硅衬底间形成了薄的缓冲层和浓度梯度结。利用本结构，能够克服常规异质结光伏电池p型层与i型层之间晶格失配的问题，增强了界面电场，减少了界面复合，提高了光伏电池的开路电压和填充因子，提高了光电转换效率。
一种纳米晶体硅异质结光伏电池

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