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[发明专利]硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构-CN200910002977.6无效
发明人：王庆钧;吴岱原;陈佑升;林哲歆 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构，其中硅导通孔结构包括硅衬底、环状电容、导电通孔、低介电常数材料层以及凸块。上述环状电容位于硅衬底内，且环状电容从内到外是由第一导电层、电容介电层与第二导电层所构成。导电通孔是位于环状电容所围绕的硅衬底中，而低介电常数材料层则位于环状电容与导电通孔之间。至于凸块是与导电通孔相接触，以利于与其他芯片做接合。
硅导通孔制造方法结构

[发明专利]晶圆堆叠结构及其制作方法与晶圆的制作方法-CN201310625068.4无效
发明人：王宠智;林哲歆;顾子琨 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：晶圆堆叠结构的制作方法包括：于一第一晶圆中形成一第一穿硅导孔开口；于第一穿硅导孔开口中填入一第一导电材料以形成一第一穿硅导孔填充部，其中第一穿硅导孔填充部具有一凹槽；于一第二晶圆中形成一第二穿硅导孔开口；于第二穿硅导孔开口中填入一第二导电材料，以形成一第二穿硅导孔填充部，其中第二穿硅导孔填充部具有一凸起结构；以及堆叠第一晶圆与第二晶圆，其中凸起结构插入凹槽中，且第一穿硅导孔填充部电性连接第二穿硅导孔填充部
堆叠结构及其制作方法

[发明专利]硅穿导孔的制作方法-CN201210152624.6无效
发明人：吴崇熙 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种硅穿导孔的制作方法，其包含：以一次干式蚀刻在硅基板而形成环形硅深孔，并填入绝缘材料形成绝缘壁部；以及以一次湿式蚀刻在绝缘壁部内的硅基板而形成柱状硅深孔，并填入导电金属，以便由绝缘壁部与金属柱或金属层构成一硅穿导孔本发明以湿式蚀刻取代了现有硅穿导孔作法中的第二次硅深孔的工艺，可使得硅穿导孔的制作较为省时，以及整个硅穿导孔的制作成本得以降低，同时在湿式蚀刻期间也可针对多片硅基板进行批次作业。
硅穿导孔制作方法

[发明专利]具有硅穿导孔的半导体组件及其制作方法-CN201210161084.8无效
发明人：洪常瀛;洪志斌 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种具有硅穿导孔的半导体组件及其制作方法，所述半导体组件包含一硅基板、一硅穿导孔、一上重布线层、一下重布线层及至少一切割槽。所述硅穿导孔形成在所述硅基板内，及所述上下重布线层分别设于所述硅基板的第一表面及第二表面的硅穿导孔表面及绝缘层上；所述至少一切割槽分割所述硅穿导孔及所述上下重布线层成为独立的至少二硅穿导孔部及其对应的线路部本发明的半导体组件通过将一个硅穿导孔加以分割并对应多个线路部，使得所述上下重布线层可以设计得更为密集，以满足堆栈式封装技术小型化的趋势。
具有硅穿导孔半导体组件及其制作方法

[发明专利]硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路-CN201811326941.9在审
发明人：杨正杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明提供一种硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路，包括两个信号导通控制电路。第一信号导通控制电路，连接硅通孔的第一端，用于控制信号通过第一端输入至硅通孔内部，或由硅通孔内部通过第一端输出。第二信号导通控制电路，连接硅通孔的第二端，用于控制信号通过第二端输入至硅通孔内部，或由硅通孔内部通过第二端输出。本发明硅通孔的任一端都可以作为信号输入端，也可以作为信号输出端。两个端口配合，可以实现信号沿不同的方向传入或传出硅通孔，信号传输方式增多，提高了硅通孔信号传输能力。
硅通孔信号控制电路三维集成电路

[实用新型]硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路-CN201821837173.9有效
发明人：杨正杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路，包括两个信号导通控制电路。第一信号导通控制电路，连接硅通孔的第一端，用于控制信号通过第一端输入至硅通孔内部，或由硅通孔内部通过第一端输出。第二信号导通控制电路，连接硅通孔的第二端，用于控制信号通过第二端输入至硅通孔内部，或由硅通孔内部通过第二端输出。本实用新型硅通孔的任一端都可以作为信号输入端，也可以作为信号输出端。两个端口配合，可以实现信号沿不同的方向传入或传出硅通孔，信号传输方式增多，提高了硅通孔信号传输能力。
硅通孔控制电路信号导通第一端导通控制电路三维集成电路本实用新型控制信号信号传输方式信号传输能力信号输出端信号输入端输出第二信号信号沿配合

[发明专利]一种拼接式喷射管及其导气孔和本体的制作方法-CN202211132888.5在审
发明人：范荣;李士昌 -专利权人：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司;盛吉盛精密技术（宁波）有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： F27D7/02 文献下载
摘要：一种拼接式喷射管，包括L型硅管、转接硅管和尾硅管，L型硅管的一端部设有沿轴向凸起的圆环形的螺接头，转接硅管的一端设有沿轴向开设的螺接孔且另一端设有沿轴向凸起的圆环形的螺接头；尾硅管的一端部设有沿轴向开设的螺接孔，转接硅管的螺接孔连接至L型硅管的螺接头，转接硅管的螺接头连接至尾硅管螺接孔，L型硅管、转接硅管和尾硅管均设有沿轴向设置的导气孔，L型硅管、转接硅管和尾硅管的导气孔依次导通。上述方案使得L型硅管、转接硅管和尾硅管能够各自独立加工导气孔，缩短了所需的钻孔深度，有效提升了导气孔的加工精度。本公开还提到了一种拼接式喷射管的导气孔制作方法和一种拼接式喷射管的本体制作方法。
一种拼接喷射及其气孔本体制作方法

[发明专利]硅通孔背面导通的制造工艺方法-CN201210109678.4无效
发明人：许升高;肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔背面导通的制造工艺方法，其是在硅片正面刻蚀出深沟槽并淀积金属阻挡层及无缝填充金属，然后对硅背面采用背面减薄工艺，实施湿法刻蚀去除硅损伤层后再用光刻胶定义出硅通孔干法刻蚀区域，以化学干法刻蚀掉硅通孔区域的硅直至硅正面的深沟槽底部完全露出，然后淀积背面金属层使硅通孔与背面导通。本发明消除了硅通孔不能全部导通和背面金属层容易脱落的风险，提高了工艺可控性及可靠性。
硅通孔背面制造工艺方法

[发明专利]具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构-CN200910208066.9有效
发明人：邱基综;欧英德;王盟仁 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明关于一种具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构。该具有穿导孔的半导体组件包括一硅芯片及至少一穿导孔。该硅芯片包括一硅基材及一主动线路层。该主动线路层位于该硅基材的一第二表面，且具有至少一金属层。该穿导孔贯穿该硅基材，且包括一导电金属。该导电金属电性连接至该主动线路层的金属层，该导电金属的一表面显露于该硅基材的一第一表面之外。藉此，该半导体组件得以直接堆栈一芯片于其上，且不需要形成一保护层及一重布层于该硅基材的第一表面，进而简化工艺并降低成本。
具有穿导孔半导体组件及其制造方法封装结构

[发明专利]薄化晶片的方法-CN201010239947.X有效
发明人：杨固峰;吴文进;吕新贤;余佳霖;史祝嵩;许富崎;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：此晶片具有第一面和第二面，其中各个芯片包括一组穿硅导孔。各穿硅导孔实质上被衬垫层和阻障层封住。提供晶片承载体贴附于所述晶片的第二面。将晶片的第一面薄化至预定的厚度，接着形成凹入以部分地显露出衬垫层、阻障层和自晶片凸出的部分穿硅导孔。将隔离层沉积于晶片的第一面和衬垫层、阻障层、和穿硅导孔的顶部上。接着，沉积绝缘层于隔离层上。接着将绝缘层平坦化，露出穿硅导孔的顶部。将介电层沉积于晶片的第一面上。形成一或多个电性接触件于介电层中，供电性连接至一或多个穿硅导孔。本发明可避免铜或其他金属污染物从穿硅导孔暴露而扩散至基板。
晶片方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010130215.7有效
发明人：罗明健;吴国雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法，用以制造具有穿硅导孔(TSV)的半导体芯片连接。该半导体装置包括：一第一基板；一第一多层介电层；一第一导孔延伸穿越该第一基板及一层或多层该第一多层介电层；以及一第二导孔延伸穿越该第一基板及一层或多层该第一多层介电层，该第二导孔所穿越该第一多层介电层的层数多于该第一导孔所穿越该第一多层介电层的层数本发明的半导体芯片制作有先导孔工艺的穿硅导孔及后导孔工艺的穿硅导孔，为了建立一低电阻的路径，供相邻芯片之间的芯片连接，以及提供一低电阻的路径供多重芯片之间的馈孔(feedthrough)通道。通过精确地视实际TSV的使用而提供不同的穿硅导孔(TSV)，能降低整体的连线电阻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有穿导孔的硅晶片及其制造方法-CN200910131141.6有效
发明人：杨学安;陈佩君;陈建桦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有穿导孔的硅晶片及其制造方法。该硅晶片包括硅基材、绝缘层、至少一电性元件及至少一穿导孔。该绝缘层位于该硅基材的第一表面。该电性元件位于该硅基材内，且显露于该硅基材的第二表面。该穿导孔包括阻绝层及导电体，且贯穿该硅基材及该绝缘层，该穿导孔的第一端显露于该绝缘层的表面，且其第二端连接该电性元件。由此，当形成重布层于该绝缘层的表面时，该重布层不会接触该硅基材，因而可以避免电性短路的问题，故可使用较低解析度的工艺，同时降低制造成本并简化工艺步骤。
具有穿导孔晶片及其制造方法

[发明专利]一种硅砂生产用搅碎筛选一体机-CN201710574834.7在审
发明人：徐国友 -专利权人：望江县金峰矿产品科技有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： B02C23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅砂生产用搅碎筛选一体机，包括粉碎箱、破碎机构和离心分选机；破碎机构设置在粉碎箱内部，粉碎箱的顶部设置有进料口，其底部设置有滤孔，离心分选机安装在粉碎箱下方，离心分选机上对应硅砂抛出位置设有抛出孔，离心分选机下方设有聚料斗，抛出孔在水平面上的投影均位于聚料斗内，聚料斗底部设有导料口；导料口下方设有导料轨道，导料轨道远离导料口的一端向下倾斜，导料轨道上设有至少一根凸杠，凸杠采用永磁材料制成。本发明提供的硅砂生产用搅碎筛选一体机，首先通过滤孔挑选直径符合的硅砂，然后通过离心分选机以离心的方式对硅砂进行初步提纯，再通过凸杠以磁吸的方式对硅砂进行二次提纯以除去硅砂中的金属杂质。
一种生产用搅碎筛选一体机

[实用新型]晶圆级半导体封装构造-CN201120538782.6有效
发明人：黄东鸿;李淑华 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶圆级半导体封装构造，其包含：一重布线层，具有数个重分布焊垫，以结合数个外部凸块；一第一芯片，位于所述重布线层上，并具有数个第一穿硅导通孔及数个转接凸块，所述第一穿硅导通孔贯穿第一芯片，并电性连接在所述重布线层与所述转接凸块之间；一第二芯片，位于所述第一芯片上，并具有数个第二穿硅导通孔，所述第二穿硅导通孔贯穿第二芯片，并结合所述转接凸块；及一堆叠用重布线层，位于所述第二芯片上，并具有数个堆叠用重分布焊垫，所述堆叠用重分布焊垫通过所述堆叠用重布线层向下电性连接所述第二穿硅导通孔。
晶圆级半导体封装构造

[发明专利]具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法-CN201010528033.5无效
发明人：王盟仁 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明关于一种具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法。该具有穿导孔的半导体装置包括一硅基材及至少一穿导孔。该硅基材的厚度为75至150微米(μm)。该穿导孔包括：一第一阻绝层及一导电金属，该第一阻绝层的厚度为5至12微米(μm)。本发明的半导体装置及封装结构可确保该穿导孔与其它组件的电性连接，且可确保该硅基材与其它半导体装置的电性连接，以提高产品的良率。再者，利用本发明的制造方法，在进行回焊工艺时，不会造成该硅基材的翘曲、位置偏移等现象，故可仅进行一次回焊工艺，可简化后续的工艺，并降低制造成本。
具有穿导孔半导体装置封装结构及其制造方法

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