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[发明专利]一种高性能硅基忆阻器PUF及其制备方法-CN202310156166.1在审
发明人：葛军;刁山青;马泽霖;林浩;潘书生;张国琴 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于基于PUF的安全技术领域，公开了一种高性能硅基忆阻器PUF，其包括重掺杂P型含硅衬底，所述重掺杂P型含硅衬底的表面具有自氧化形成的天然氧化硅层，所述天然氧化硅层的表面设置有Ag金属层。本发明还公开了该高性能硅基忆阻器的制备方法和生成方法。本发明以重掺P++‑Si衬底上经自然氧化的SiOx为阻变层，同时采用活性金属电极Ag作为器件的顶电极，本发明利用工艺简单、成本低廉的方法制备native‑SiOx忆阻器，利用超薄的native‑SiOx忆阻器RESET后忆阻器中残余Ag团簇不同导致的器件
一种性能硅基忆阻器 puf 及其制备方法

[发明专利]一种环境友好型的纤维素基自支撑忆阻器及其制备方法-CN202110871633.X有效
发明人：杨蕊;夏剑;缪向水;徐义纯 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种环境友好型的纤维素基自支撑忆阻器及其制备方法，属于半导体信息相关技术领域。该忆阻器自下而上包括柔性衬底、底电极层、功能层和顶电极；所述柔性衬底为再生纤维素膜，所述功能层为纤维素膜。本发明制备的纤维素基自支撑忆阻器解决了传统硅基忆阻器无法大面积制备、工艺繁琐且对环境有害的问题。本发明采用的材料为环境友好型天然高分子材料，来源广泛，制备工艺简单，成本低廉，对环境无毒无污染，为大面积制备柔性有机忆阻器提供了新的制备方法。
一种环境友好纤维素支撑忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于PVK/ZnO异质结构的新型光电忆阻器-CN202111501669.5有效
发明人：阴玥;齐浩博;张润寰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PVK/ZnO异质结构的新型光电忆阻器，所述新型光电忆阻器自下而上依次包括：硅衬底、钨电极层、氧化锌层、聚乙烯基咔唑层和铝电极。本发明能够在传统PVK光电忆阻器的基础上，引入具有高稳定性和高电子迁移率的氧化锌功能层，以提高PVK光电忆阻器的稳定性和可重复性。
一种基于 pvk zno 结构新型光电忆阻器

[发明专利]一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用-CN202010045509.3有效
发明人：杨玉超;段庆熙;荆兆坤;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用。所述的全忆阻器神经网络通过底电极、第一功能层和中间电极形成忆阻突触器件，之后再覆盖第二功能层，在第二功能层上覆盖顶电极形成忆阻神经元器件，从而构建成全忆阻器神经网络。通过改变突触器件的权重，全忆阻器神经网络可以实现模式识别和监督学习等功能。所发明的全忆阻器神经网络具有高的集成度和可微缩性，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，对于未来最终实现大规模类脑计算硬件具有重要的意义。
一种全忆阻器神经网络及其制备方法应用

[发明专利]一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用-CN202211345253.3在审
发明人：胡志宇;张帅;吴振华;罗思远;刘泽昆;刘妍;施慧烈;傅理夫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用，该忆阻器由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层，其中，所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。本发明将二维过渡金属硫硒化物异质结作为阻变功能层与衬底，底电极层和顶电极层组装成忆阻器，这种忆阻器具有快速开关过程、高密度集成、以及更低的能耗等优势，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，有望运用在神经突触
一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN201911054145.9有效
发明人：王军;刘贤超;崔官豪;周泓希;苟军;史佳欣;刘德幸 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，属于半导体器件微纳加工技术领域，方法包括将电阻率满足第一阈值条件、晶向为100的低阻硅片作为低阻硅衬底；在所述低阻硅衬底上制备具有孔阵列的掩膜层；刻蚀所述低阻硅衬底得到具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底，所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底作为第一电极层；去除所述掩膜层，在所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底上依次沉积介质层和金属层，所述金属层作为第二电极层。本发明在低阻硅衬底和金属层均引入三维锥形结构阵列，使忆阻器的开和关状态更明显、更容易受控，且采用低阻硅衬底直接作为下电极，减少了忆阻器膜层，降低忆阻器漏电的概率，同时可增大忆阻器阵列面积。
一种忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种单极性横向忆阻器及其制备方法-CN202310537399.6在审
发明人：柯聪明;庞义澳;刘首麟;陆静 -专利权人：华侨大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种单极性横向忆阻器及其制备方法，单极性横向忆阻器包括：基板层；阻变功能层，设置在所述基板层上；所述阻变功能层采用1T′相多晶二维二硫化铼制成；金属电极层，设置在所述阻变功能层上。本发明通过化学气相沉积工艺手段制备可控的1T′相多晶二维二硫化铼层，可实现高开关比、稳定性强的单极性横向忆阻器，丰富了二维材料忆阻器的种类，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，对高集成度、多功能化非易失存储和逻辑运算领域的发展具有很大的推动作用
一种极性横向忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用-CN201811365078.8有效
发明人：张缪城;王宇;沈心怡;何南;童祎;连晓娟;万相 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。
一种基于半导体器件均匀 mxene 薄膜制备方法及其忆阻器应用

[发明专利]一种忆阻器的制备方法、忆阻器及存储器件-CN202011188847.9在审
发明人：杨紫薇;李文杰;谢芳梅;李诚;刘奥星;童佩斐;李国啸;陈志勇;陆子恒;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供的忆阻器的制备方法及忆阻器，属于电子器件技术领域，以惰性金属金和活泼金属锂作为忆阻器件的电极层，用以锂镧锆钽氧为代表的锂基或钠基固态电解质作为阻变材料，以形成金(铂金、钨)/锂基或钠基(锂镧锆钽氧、锂钽磷氧)固态电解质/锂的三明治结构，本发明使用了锂基(锂镧锆钽氧、锂钽磷氧)或钠基固态电解质作为阻变材料，充分利用了锂基或钠基固态电解质的各种电学性能，制备的忆阻器具有不同于其他忆阻器的特性，具备较高的器件开关比本发明提供的忆阻器的制备方法，工艺简单，成本低，具有良好的应用前景，可用于芯片或者微型存储器件。
一种忆阻器制备方法存储器件

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法和应用-CN202111192931.2在审
发明人：葛军;马泽霖;曹栩诚;陈莞君;刁山青;潘书生 -专利权人：广州大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极，所述底电极为含硅衬底，所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层。本发明中的忆阻器采用天然氧化层作为阻变层，天然氧化层是由空气自然氧化形成，具有厚度薄、与含硅衬底之间几乎完美的接触界面、表面原子级别光滑、无需人工制备、成本低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优势，克服了本领域普遍认为的含硅衬底表面的天然氧化层不利于忆阻器性能的技术偏见此外，本发明中的忆阻器同时具有优异的数据保持能力、高稳定性、模拟开关特性三种性能。
一种忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种基于量子点/无铅卤化物钙钛矿的忆阻器及其制备方法和应用-CN202310786249.9在审
发明人：陈帅;孙仕磊;何南;童袆 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子点/无铅卤化物钙钛矿的忆阻器及其制备方法和应用，所述忆阻器包括由上至下依次布设的顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层包括第一阻变层和设于第一阻变层上的第二阻变层，所述第一阻变层为无铅卤化物钙钛矿Cs3Cu2Cl5，所述第二阻变层为Ag‑In‑Zn‑S量子点。所述忆阻器相较于二极管或场效应晶体管等传统硅基电子开关器件，具备102的开关比、34ns的高速响应时间、切换的高低阻值稳定可靠等优点。所述忆阻器的制备方法简单、可靠且稳定性强，且相比于铅基钙钛矿材料，本发明使用的无铅钙钛矿材料具有绿色环保等优点，为非易失性存储和无线通信等高频电子开关器件领域提供了一种技术可行性。
一种基于量子卤化物钙钛矿忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种忆阻器的制备方法-CN202210539237.1在审
发明人：郭欣;陈蔓汝;彭雪;吕燕飞;席俊华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器的制备方法，现有技术中不同结构和工艺制备的氧化锌基忆阻器性能差别较大，性能不好。本发明首先在硅基底热蒸镀金电极，然后在金电极表面制备磷化亚铜薄膜，接着在磷化亚铜表面制备氧化锌薄膜，最后在氧化锌薄膜表面蒸镀银电极。本发明随着电压升高，阻值由低阻向高阻的转变，反向施加电压后，再由高阻态恢复到低阻态，开关电压0.3‑0.4V，功耗低，开光比大，器件稳定性高。
一种忆阻器制备方法

[发明专利]一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法-CN202211489475.2在审
发明人：孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：本发明公开一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法。该异质集成的人工视网膜忆阻器件由两片包含人工视网膜忆阻器的硅片背部相互贴合，实现硅‑硅键合，互连与集成为异质集成的人工视网膜忆阻器件，上层人工视网膜忆阻器作为光电传感单元，下层人工视网膜忆阻器作为存储单元与处理单元
一种集成人工视网膜器件及其制备方法

[发明专利]阻变式存储器的制造方法和阻变式存储器-CN201880000596.1有效
发明人：姚国峰;沈健 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变式存储器的制造方法和阻变式存储器，该方法，包括：在绝缘层上硅SOI晶圆上设置填充多晶硅的深沟槽，得到带有深沟槽的SOI晶圆；其中，深沟槽贯穿SOI晶圆的硅器件层、埋氧层，并抵达支撑层；在带有深沟槽的SOI晶圆上制作互补金属氧化物半导体CMOS电路，得到包含CMOS电路的SOI晶圆；将包含CMOS电路的SOI晶圆的支撑层减薄至埋氧层的表面，并在填充多晶硅的深沟槽的顶端位置形成凹槽；在SOI晶圆的埋氧层上制作忆阻器。从而实现RRAM标准CMOS电路制作工艺与忆阻器制作工艺的分离，使得在RRAM的规模化生产过程中引入贵金属作为忆阻器的电极，从而提高RRAM中忆阻器的电学存储特性。
阻变式存储器制造方法

[发明专利]一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法-CN202210311731.2在审
发明人：单玉凤;朱家旗;殷子薇;邓惠勇;戴宁 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，包括如下步骤：步骤1，采用溅射或蒸镀工艺在衬底上沉积导电薄膜作为底电极；步骤2，制备二维层状铜基硫族化合物材料，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，采用溅射或蒸镀工艺在忆阻功能层上沉积一层Cu导电层；步骤4，在Cu导电层上蒸镀一层金属层作为顶电极，最终得到基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器。本发明制备的忆阻器利用铜基硫族化合物中本身具有的Cu空位作为Cu离子迁移通道，迁移势垒低，不需表面额外做异质层，器件即具有低的开关电压(1V)。
一种基于二维层状铜基硫族化合物忆阻器及其制备方法

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