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[发明专利]一种基于氧化铌的莫特忆阻器阵列及其制备方法、莫特忆阻器和应用-CN202310785834.7在审
发明人：张彦忠;王宇;王沿霁;安欣悦;童袆 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化铌的莫特忆阻器阵列及其制备方法、莫特忆阻器和应用，所述莫特忆阻器由下至上分为底电极层、阻变层和顶电极层，所述阻变层为氧化铌，所述莫特忆阻器的顶电极层的电极和底电极的电极由多个相互平行且设有间隙的电极组成，所述顶电极层与底电极层呈交叉状布设，以提高莫特忆阻器的集成度。本发明通过将氧化铌作为阻变层材料，使莫特忆阻器阵列、莫特忆阻器表现出良好的阈值切换特性以及良好的器件稳定性和循环稳定性，能够更好地应用于神经元电路的搭建，且制备莫特忆阻器阵列的方法较为简单、高效，适合在产业上推广使用。
一种基于氧化莫特忆阻器阵列及其制备方法应用

[发明专利]一种低功耗忆阻器及其制备方法-CN202310786477.6在审
发明人：孙仕磊;陈帅;何南;童袆 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗忆阻器及其制备方法，所述低功耗忆阻器包括由下至上依次布设的黏附层、底电极层、阻变层和顶电极层，所述阻变层为SiC，所述低功耗忆阻器具有操作电压和电流小的特点，能够使器件在更小的功耗下运行，所述低功耗忆阻器还能够在不同限流下表现出易失和非易失共存特性，且能够在上百次循环后，依然保持开关特性，具有良好的稳定性和高重复性，能够更好的满足器件应用于电路时对其性能的要求。所述低功耗忆阻器制备方法，操作简单且成本低廉，具有广阔的市场价值。
一种功耗忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于量子点/无铅卤化物钙钛矿的忆阻器及其制备方法和应用-CN202310786249.9在审
发明人：陈帅;孙仕磊;何南;童袆 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子点/无铅卤化物钙钛矿的忆阻器及其制备方法和应用，所述忆阻器包括由上至下依次布设的顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层包括第一阻变层和设于第一阻变层上的第二阻变层，所述第一阻变层为无铅卤化物钙钛矿Cs3Cu2Cl5，所述第二阻变层为Ag‑In‑Zn‑S量子点。所述忆阻器相较于二极管或场效应晶体管等传统硅基电子开关器件，具备102的开关比、34ns的高速响应时间、切换的高低阻值稳定可靠等优点。所述忆阻器的制备方法简单、可靠且稳定性强，且相比于铅基钙钛矿材料，本发明使用的无铅钙钛矿材料具有绿色环保等优点，为非易失性存储和无线通信等高频电子开关器件领域提供了一种技术可行性。
一种基于量子卤化物钙钛矿忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种基于忆阻器运算的数字型神经形态电路-CN202211722776.5在审
发明人：刘毅;王宇;闫宇;王沿霁;张彦忠;安欣悦;童袆 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器运算的数字型神经形态电路，包括，移位模块，所述移位模块包括四个D触发器组成的4bit移位寄存器；与门模块，所述与门模块包括四个忆阻器逻辑与门；或门模块，所述或门模块包括四个忆阻器逻辑或门；所述移位模块的输出和铃声信号连接所述与门模块的输入；所述与门模块的输出和食物信号连接所述或门模块的输入；基于忆阻器设计的数字型神经形态电路可以很好的将忆阻器与MOS管体系的芯片NPU集成起来，并且因忆阻器极低的电压和功耗，在进行多次学习过程中，并不会产生什么热量。
一种基于忆阻器运算数字型神经形态电路