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[发明专利]一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法-CN202010705386.1在审
发明人：方青;胡鹤鸣;邵瑶;张馨丹;顾苗苗;陈华;陈晓峰 -专利权人：昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法，属于半导体制备技术领域。本发明所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本发明所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
一种基于绝缘体应力硅基厚膜及其制备方法

[实用新型]一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜-CN202021442683.3有效
发明人：方青;胡鹤鸣;邵瑶;张馨丹;顾苗苗;陈华;陈晓峰 -专利权人：昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜，属于半导体制备技术领域。本实用新型所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本实用新型所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
一种基于绝缘体应力硅基厚膜

[发明专利]一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法-CN200710042360.8有效
发明人：王根水;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C04B41/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜材料的制备方法，属于信息功能材料与器件领域。然后在硅基衬底上通过甩胶、干燥、退火等过程制备所需厚度的铁电厚膜材料。本发明通过引入缓冲层减缓了由于铁电厚膜材料和硅基衬底的热膨胀系数差异引起的热应力，实现了硅基衬底上铁电厚膜材料的制备。本发明的硅基铁电厚膜材料可以用于硅基的铁电、压电、热释电等微型集成器件的研制。
一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜制备方法

[发明专利]一种高精度硅基压阻式压力传感器-CN202110217698.2在审
发明人：杨浩;徐鑫;郑东飞;袁海 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G01L9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度硅基压阻式压力传感器，属于硅基集成压力传感器设计技术领域。包括厚膜陶瓷基板，厚膜陶瓷基板的正面设有气压检测口，厚膜陶瓷基板的背面设有陶瓷封装体，陶瓷封装体内部的厚膜陶瓷基板区域上设有硅基压力传感器芯片和伺服电路；其中，硅基压力传感器芯片通过键合方式实现电气连接本发明所述高精度硅基压阻式压力传感器，具有温度补偿功能，减小补偿误差，能够满足高精度应用场合的技术需求。
一种高精度硅基压阻式压力传感器

[发明专利]硅基厚GaN外延膜层及其制备方法-CN202211308053.0在审
发明人：张涛;周名兵;涂逵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基厚GaN外延膜层及其制备方法，其中，硅基厚GaN外延膜层包括：硅衬底及依次在硅衬底表面生长的AlN缓冲层、3～20层的AlGaN缓冲层、uGaN层及厚n型GaN层，其中，多个AlGaN有效解决现有技术中生长厚GaN出现边缘崩裂及翘曲不可控制的问题。
硅基厚 gan 外延及其制备方法

[发明专利]压电-摩擦电复合式MEMS宽频能量采集器及其制备方法-CN201510704059.3有效
发明人：唐刚;邬文静;胡敏;李志彪;徐斌;闫肖肖;邓小珍;徐兵;侯诚 -专利权人：南昌工程学院
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：一种压电-摩擦电复合式MEMS宽频能量采集器及其制备方法，该采集器包括压电能量采集器主结构、阻挡块及垫片；压电能量采集器主结构包括硅固定基座、硅基压电悬臂梁及质量块；硅固定基座包括硅层及其两侧的二氧化硅层；硅基压电悬臂梁包括硅悬臂梁支撑层及其上的压电厚膜层；硅悬臂梁支撑层包括硅层、二氧化硅层及支撑层电极层；压电厚膜层包括压电厚膜及其表面的压电厚膜电极层；质量块包括集成硅质量块及其表面的摩擦层；阻挡块包括摩擦层基座、电极层及摩擦层；垫片位于硅固定基座和阻挡块之间。
压电摩擦电复合式 mems 宽频能量采集及其制备方法

[实用新型]压电-摩擦电复合式MEMS宽频能量采集器-CN201520836341.2有效
发明人：唐刚;邬文静;胡敏;李志彪;徐斌;闫肖肖;邓小珍;徐兵;侯诚 -专利权人：南昌工程学院
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：一种压电-摩擦电复合式MEMS宽频能量采集器，该采集器包括压电能量采集器主结构、阻挡块及垫片；压电能量采集器主结构包括硅固定基座、硅基压电悬臂梁及质量块；硅固定基座包括硅层及其两侧的二氧化硅层；硅基压电悬臂梁包括硅悬臂梁支撑层及其上的压电厚膜层；硅悬臂梁支撑层包括硅层、二氧化硅层及支撑层电极层；压电厚膜层包括压电厚膜及其表面的压电厚膜电极层；质量块包括集成硅质量块及其表面的摩擦层；阻挡块包括摩擦层基座、电极层及摩擦层；垫片位于硅固定基座和阻挡块之间
压电摩擦电复合式 mems 宽频能量采集

[发明专利]ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法-CN200910082803.5无效
发明人：曹茂盛;段中夏;赵全亮;袁杰;路冉 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法，属于电子材料领域。本发明的方法是将ZnO纳米晶须加入酒精中配置成一定浓度的ZnO悬浮溶液，然后采用旋涂法将澄清的PZT溶胶和ZnO悬浮溶液交替涂覆在Pt/Cr/SiO₂/Si基片上进行成膜。经过多次交替重复，直到所需厚度，最后将所得到的厚膜在高温管式炉中热处理，获得硅基PZT压电复合厚膜。该方法制备的PZT压电复合厚膜表面平整无裂纹，组分均匀，膜厚可超过1μm以上；该发明制备的PZT压电复合厚膜满足MEMS铁电、压电器件对厚膜的实际要求，广泛用于航空、航天、兵器、舰船、信息、通讯等高技术领域
zno 纳米增强硅基锆钛酸铅压电复合制备方法

[发明专利]硅基复合衬底的加工方法-CN201910980302.2在审
发明人：王丛;高达;王经纬;刘铭;刘兴新;于小兵;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种硅基复合衬底的加工方法，包括：获取硅片；在所述硅片上外延生长预设膜厚的第一缓冲层；其中，在所述第一缓冲层外延生长过程中，控制生长环境的温度变化速率小于等于10℃/min。根据本发明的硅基复合衬底的加工方法，通过控制第一缓冲层的预设膜厚，有利于降低硅基复合衬底的平整度。而且，在硅基外延生长第一缓冲层时，通过控制温度变化速率小于等于10℃/min，进一步降低了硅基复合衬底的平整度，从而提高了硅基复合衬底的加工质量。
硅基衬底缓冲层复合器件工艺外延生长平整度硅片膜厚预设加工外延生长过程生长环境大面阵

[发明专利]一种厚膜电阻浆料、氧化铝陶瓷基发热片及制备方法-CN202011252255.9在审
发明人：白书明;梅晓雪;高华;刘阳洋 -专利权人：德阳烯碳科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜电阻浆料、氧化铝陶瓷基发热片及制备方法，涉及厚膜电阻浆料技术领域。厚膜电阻浆料包括如下质量百分比的组份：玻璃粉20‑50%，水性丙烯酸树脂20‑30%，二硅化钼20‑50%，石墨烯0.1‑1%。其制备方法为：先加入水性丙烯酸树脂，再加入石墨烯、玻璃粉和二硅化钼，1200转/分钟搅拌30分钟,待物料成呈膏状后，在陶瓷三辊机上研磨至细度5μm以下，得到厚膜电阻浆料。还公开了使用厚膜电阻浆料制备氧化铝陶瓷基发热片的方法。本发明解决了现有技术存在的环保性差、成本高、工艺较为复杂的技术问题，同时提高了产品质量。
一种电阻浆料氧化铝陶瓷发热制备方法

[发明专利]氮化硅膜层剥离过程中调控多晶硅膜层之膜厚的方法-CN201811216532.3有效
发明人：徐兴国;姜波;张凌越 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅膜层剥离过程中调控多晶硅膜层之膜厚的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并沉积底层耦合氧化物膜层、多晶硅膜层、氮化硅膜层；步骤S2：配制含有HNO3溶液的H3PO4溶液；步骤S3：将其浸入溶液；步骤S4：根据多晶硅膜层的蚀刻量，调控多晶硅膜层之膜厚和均匀度。本发明根据多晶硅膜层的刻蚀率要求进行溶液之质量配合比设置，依据多晶硅膜层之膜厚及刻蚀后目标厚度值进行浸入高度设置，以及根据多晶硅膜层的刻蚀量及前馈量测的多晶硅膜层之厚度设置工艺制程时间，以实现氮化硅膜层的剥离和准确的控制多晶硅膜层的膜厚及均匀度，不仅操作简单、实施方便，而且可以通过多晶硅膜层的厚度和均匀度控制极大的提升产品良率，值得业界推广应用。
氮化硅膜层剥离过程调控多晶方法

[发明专利]形成硅氧化膜的方法及装置-CN201811286392.7有效
发明人：高京硕;岛裕巳;木镰英司;铃木启介;菱屋晋吾 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：[课题]本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。[解决方案]在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。
形成氧化方法装置

[发明专利]一种低损硅基滤波器及其制作方法-CN202111454087.6有效
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人：昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损硅基滤波器及其制作方法，包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元分别包括第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层，所述第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层上下依次层叠，所述高阻硅介质层上设置有硅坑，所述硅坑位于对应第一金属层的正下方，所述硅坑的底部呈锯齿状或者连续的波浪状。通过上述方式，本发明所述的低损硅基滤波器及其制作方法，通过在高阻硅介质层上刻蚀硅坑并在硅坑的底部形成锯齿状或者连续的波浪状结构，实现了提高硅基滤波器Q值、减小损耗以及小型化的目的。
一种低损硅基滤波器及其制作方法

[发明专利]一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法-CN200810047179.0无效
发明人：姜胜林;张海波;钟南海;曾亦可;张光祖 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法，材料为聚偏二氟乙烯与Pb_1+x(Sc_0.5Ta_0.5)O_{3硅基厚膜的方法包括：①配制钪钽酸铅先驱体溶胶，并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉；②体制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料；③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极；④旋涂沉积复合热释电厚膜本发明材料兼有有机和无机热释电材料的优点，介电常数小，热导率低，电压响应优值很高；成膜温度极低，适合于半导体集成工艺；复合热释电厚膜厚度在5～20μm可以控制，成膜效率较高。}
一种复合热释电材料及其制备方法硅基厚膜

[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池组件及其制备方法-CN201310303301.7有效
发明人：邸云萍;郭铁;李立伟;杨荣;赵冠超;张勇 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种硅基薄膜太阳能电池组件及其制备方法。该制备方法通过在层压后的半成品组件上直接涂覆减反射膜、预固化和高压釜中热固化成功地将减反射膜应用到硅基薄膜太阳能电池组件上，镀膜工艺简单、容易实施且成本低，可实现大量生产。制备的具有减反射膜的硅基薄膜太阳能电池组件包括依次排列的减反射膜、前板玻璃、透明导电膜、硅基薄膜吸收层、背电极、封装胶片和背板玻璃，所述减反射膜可低温固化成膜，其膜厚为90-110nm，折射率为1.35通过减反射膜的作用明显提高了硅基薄膜太阳能组件的透光率，进而提高了硅基薄膜太阳能组件的光电转换效率。
一种薄膜太阳能电池组件及其制备方法

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