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[发明专利]一种高容量硅基锂离子电池负极复合膜及其制备方法-CN201410787431.7在审
发明人：占静玲 -专利权人：南京九致信息科技有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高容量硅基锂离子电池负极复合膜及其制备方法，包括沉积于基片上的镍钛层和沉积于镍钛层之上的硅层，所述镍钛层与硅层的厚度之比为0.8～5∶1，镍钛层中镍的原子数百分比为49.5～51.5％，本发明的复合膜能够完全发挥硅电极材料的电性能，防止硅电极材料在充放电过程中发生破坏脱落，极大的提高了此类高能量密度锂离子电池的寿命。将本发明的复合膜与纯锂组装成双电极硬币型电池并测试了电容量，在100次循环之后，其电容量仍然保持在至少1100mHA/g，显示了超弹镍钛与硅叠层复合膜电极优异的电容量和良好的循环性能。
一种容量锂离子电池负极复合及其制备方法

[发明专利]半导体结构-CN201210389956.6无效
发明人：邱祥清;吴声明;杨光浩;林恭安;王晨聿 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体结构，其包含硅基板、钛层、镍层、银层以及金属材质黏着层，该硅基板是具有背面，该钛层是形成于该背面，该钛层是具有上表面，该镍层是形成于该上表面，该银层是形成于该镍层上，该金属材质黏着层是形成于该镍层及该银层之间
半导体结构

[发明专利]一种镍钼铝-二硅化钼复合镀层的制备方法-CN201510643414.0在审
发明人：刘小珍;冯军亮;陈捷 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明一种镍钼铝-二硅化钼复合镀层的制备方法，一个将二硅化钼微粒进行酸洗、水洗、干燥；称取镍盐、钼化合物、铝盐、络合剂、氯化物，混合后用水溶解，调节溶液pH值为7.3～9.7，制成镍盐-钼化合物-铝盐-络合剂-氯化物混合液；将二硅化钼微粒、第一批镍盐-钼化合物-铝盐-络合剂-氯化物混合液与表面活性剂混合，研磨后添加第二批镍盐-钼化合物-铝盐-络合剂-氯化物混合液，搅拌制得电镀液，将待镀的镀件放入电镀液中电镀，阳极为镍，阴极为待电镀镍合金，电镀完毕后，镀件用水冲洗，风干得到镍钼铝-二硅化钼复合镀层。采用能谱仪测定镍钼铝-二硅化钼复合中铝和硅含量分别为2.5～9.2%和1.2～6.5%。
一种镍钼铝二硅化钼复合镀层制备方法

[发明专利]一种镍钼铝稀土-二硅化钼复合镀层的制备方法-CN201510643322.2在审
发明人：刘小珍;陈捷 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C25D15/00 文献下载
摘要：本发明一种镍钼铝稀土-二硅化钼复合镀层的制备方法，将二硅化钼微粒进行酸洗、水洗、干燥；将稀土氧化物溶于酸中，配制成稀土盐溶液；取镍盐、钼化合物、铝盐、稀土盐、络合剂、氯化物，用水溶解，用碱溶液调节溶液pH值制成镍盐-钼化合物-铝盐-稀土盐-络合剂-氯化物混合液；将二硅化钼微粒、第一批镍盐-钼化合物-铝盐-稀土盐-络合剂-氯化物混合液与表面活性剂混合，研磨后添加第二批镍盐-钼化合物-铝盐-稀土盐-络合剂-氯化物混合液，搅拌得电镀液；将待镀的镀件放入电镀液中电镀，阳极为镍，电镀完毕后得到镍钼铝稀土-二硅化钼复合镀层。采用能谱仪测定镍钼铝稀土-二硅化钼复合中铝和硅含量分别为1.8～18.3%和1.6～7.6%。

一种镍钼铝稀土二硅化钼复合镀层制备方法

[发明专利]一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构-CN201010175524.6无效

发明人：赵淑云 -专利权人：广东中显科技有限公司

申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载

摘要：本发明提供一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：衬底；位于该衬底上的非晶硅薄膜；位于该非晶硅薄膜上的低温氧化物层；穿透所述低温氧化物层且暴露出所述非晶硅薄膜的凹槽；位于所述暴露的非晶硅表面上的薄膜；其中，所述薄膜由镍硅氧化物制成。采用SR-Ni/Si氧化物作为薄膜材料，可有效地减少多晶硅膜中的镍残留，非常适合于MILC制作多晶硅。同时，在制作多晶硅物质时所允许的工艺误差也相对大，不仅提供了更宽的工艺窗口，还防止了不同的工艺参数对多晶硅TFT的影响。

一种用于横向诱导低温多晶薄膜多层膜结构

[发明专利]一种含硅氢氧化镍钴的盐酸浸出方法-CN201910214867.X有效

发明人：王瑞林;丁才生;王得祥;张军;魏秀兰;郭照临;卢金林;吕海波 -专利权人：金川集团股份有限公司

申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C22B3/12 文献下载

摘要：本发明公开了一种含硅氢氧化镍钴的盐酸浸出方法，该方法包括如下步骤：（1）碱液预浸：将含硅氢氧化镍钴采用氢氧化钠溶液浆化、预浸、压滤，得到预浸滤液和脱硅后氢氧化镍钴；（2）工业水洗涤：将脱硅后氢氧化镍钴采用工业水洗、压滤，得到洗涤后氢氧化镍钴和洗涤滤液；（3）盐酸浸出：将洗涤后氢氧化镍钴采用盐酸溶液浆化、浸出、压滤，得到氯化镍溶液和氯浸渣，氯化镍溶液送电解镍生产系统，氯浸渣返火法处理。通过本发明浸出方法，含硅氢氧化镍钴中硅的脱除率可达到80%以上，镍的浸出率≥99.5%，氯化镍溶液中Ni≥80g/L，氯浸渣渣率≤0.5wt%，渣含镍≤8wt%；且除硅后保证了氯化镍溶液进入电解镍生产系统产出的电解镍产品的外观质量

一种氢氧化盐酸浸出方法

[发明专利]金属铜与镍硅化合物的的叠层接触结构及其制备方法-CN201110096681.2无效

发明人：蒋玉龙;于浩;谢琦;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学

申请日： 2011-04-18 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L23/532 文献下载

摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采用铜/钽/氮化钽/钽/镍硅化合物，或者铜/氮化钽/钽/镍硅化合物的接触结构。实验证实，钽与镍硅化合物的直接接触可以很好地提升镍硅化合物的热稳定性，而氮化钽可以有效地阻止铜的扩散，故而该叠层结构可以很好地提高铜与镍硅化合物接触的热稳定性，进而提高器件可靠性，具有良好的应用前景。

金属化合物接触结构及其制备方法

[发明专利]处理腐殖土型红土镍矿的系统和方法-CN201711457363.8在审

发明人：宋文臣;王静静;李红科;曹志成;汪勤亚;吴道洪 -专利权人：江苏省冶金设计院有限公司

申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C22B3/12 文献下载

摘要：本发明公开了一种处理腐殖土型红土镍矿的系统和方法，该系统包括：碱浸装置，所述碱浸装置具有腐殖土型红土镍矿入口、碱液入口、含硅浸出液出口和除硅富镍矿出口；混合成型单元，所述混合成型单元具有除硅富镍矿入口、还原煤入口和混合球团出口，所述除硅富镍矿入口与所述除硅富镍矿出口相连；直接还原装置，所述直接还原装置具有混合球团入口和金属化球团出口，所述混合球团入口与所述混合球团出口相连；分离装置，所述分离装置具有金属化球团入口、镍铁产品出口和尾渣出口，所述金属化球团入口与所述金属化球团出口相连。采用本系统可实现腐殖土型红土镍矿中镍、铁和硅的综合回收利用，与传统直接还原处理工艺相比，本系统可降低20％以上的能耗。

处理腐殖红土系统方法

[实用新型]一种石墨化炉温度测量装置-CN201520176216.3有效

发明人：吴沙;谢晓泓;龙伟;王艳;宋春雄 -专利权人：长沙格翎电池材料有限公司

申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： C01B31/04 文献下载

摘要：本实用新型公开了一种石墨化炉温度测量装置，包括石墨化炉、电阻料、石墨坩埚、通风窗口和测温系统；其中，石墨坩埚置于石墨化炉内，石墨坩埚内部经电阻料填埋；所述石墨化炉的炉底为空层结构，其炉底与炉壁、电极构成石墨化炉炉体，且炉底自上而下包括保温料层、石英砂层和耐火砖层；在所述耐火砖层下方设有承重柱，承重柱之间构成空腔，空腔的侧面设有通风窗口，且通风窗口经空腔相互贯通；所述石墨化炉内均布设有至少十个镍铬镍硅热电偶；所述镍铬镍硅热电偶电连接模拟开关，模拟开关与A/D转换器连接；本实用新型提高石墨烧结的质量，实时对石墨化炉内的温度进行监测和观察，减小温差低至50℃。

一种石墨炉温测量装置

[实用新型]锗硅肖特基二极管-CN200520013605.0无效

发明人：叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军 -专利权人：浙江大学

申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载

摘要：本实用新型涉及锗硅肖特基二极管，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的二氧化硅层，在二氧化硅层窗口内有锗硅外延层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅外延层的上面，在二氧化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的铝电极这种结构的锗硅肖特基二极管由于其锗硅外延层只在二氧化硅光刻窗口处生长，因此能有效地降低器件的反向漏电流，且器件制造无须任何隔离，简化了工艺，提高了集成度。

锗硅肖特基二极管

[发明专利]一种改善NAND flash空气间隙中介质材料残留的方法-CN202210702808.9在审

发明人：陈彩云;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/764 文献下载

摘要：本发明提供一种改善NAND flash空气间隙中介质材料残留的方法，单元区设有间隔排布的多个字线结构；在字线结构之间填充介质层；在填充满的介质层上及字线结构顶部覆盖一层氧化层；旋涂光刻胶，经曝光、显影将单元区暴露，周围器件区仍被光刻胶覆盖，将周围器件区上的光刻胶作为阻挡层，刻蚀单元区以去除字线结构上半部分的介质层以及氧化层，将字线结构上半部分暴露出；在暴露出的字线结构上覆盖一层镍，之后进行退火处理，使得被暴露出的字线结构形成为硅化镍；将字线结构之间剩余的介质层去除。本发明的改善NANDflash空气间隙中介质材料残留的方法，通过将SiN去除工艺移到硅化镍之后，可以去除高深宽比带来的影响，避免最终形成残留物。

一种改善 nand flash 空气间隙介质材料残留方法

[发明专利]半导体晶片表面金属化的方法-CN202010050882.8在审

发明人：邓国安 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司

申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C23C14/02 文献下载

摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体晶片表面金属化的方法，先在半导体晶片的表面溅射铝，再将半导体晶片的表面的铝与半导体晶片进行合金，以形成铝硅合金层，然后在形成铝硅合金层后的半导体晶片上溅射镍层和锡层，最后在锡层上溅射导电层，从而实现半导体晶片表面金属化，避免了现有技术通过喷涂电镀工序实现半导体晶片表面金属化导致半导体晶片易碎裂的问题。

半导体晶片表面金属化方法

[发明专利]用于晶硅太阳电池正面阻扩散层电极的镍浆及其制备方法-CN201610649494.5在审

发明人：李涛;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所

申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01B1/16 文献下载

摘要：一种用于晶硅太阳电池正面阻扩散层电极的镍浆，由85～95wt％的纳米镍粉、1～5wt％的玻璃粉和4～14wt％的有机载体组成。将有机载体置于恒温容器中加热搅拌，依次向容器中加入纳米镍粉和玻璃粉，然后将制得的混合物置于三辊研磨机中研磨，之后用丝网过滤，得到所述的镍浆。镍浆预置在晶硅太阳电池正面后烘干制得阻扩散层镍电极，作为晶硅太阳电池正面镍/铜/铝锡贱金属复合电极的阻扩散层电极，阻止铜原子向硅中扩散。

用于太阳电池正面扩散电极及其制备方法

[发明专利]一种铜-镍-硅合金及其制备方法-CN201310716693.X无效

发明人：周舟;赵景山;孙成国;王小民;李玮;王肇飞;牟建鹏;雷延存 -专利权人：烟台万隆真空冶金股份有限公司

申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C22C9/06 文献下载

摘要：本发明涉及一种铜-镍-硅合金及其制备方法，以合金总重量的百分含量计：镍占5～7%，硅占1～2.5%，铬占0.5～2%，锰占0.1～0.4%,银占0.05～0.2%，锂占0.03～0.1%，铜占87.80本发明的铜-镍-硅合金具有两相微观结构，包括富铜区域的晶粒和不连续分布在晶界的硅化镍和硅化铬相。本发明提供的铜-镍-硅合金具有高抗拉强度和屈服强度，高硬度和电导率，可取代某些工具钢应用于注塑模具行业。

一种合金及其制备方法

[发明专利]基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法-CN201510015397.6有效

发明人：郭哲;刘祝凯;宋娇阳;许斌 -专利权人：北京同方生物芯片技术有限公司

申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载

摘要：本发明实施例涉及一种基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法，方法包括：在衬底的正面均匀旋涂正性光刻胶；利用目标图案的负性掩膜板对衬底的正性光刻胶进行曝光，显影后，得到图形化的光刻胶；在具有图形化的光刻胶的衬底上溅镀铬，形成均匀铬层图案；对铬层图案进行增粘剂六甲基二硅胺蒸镀，用以增强铬层图案与光刻胶的粘附性，并在铬层图案上均匀旋涂正性光刻胶；利用铬层图案对衬底上的铬层图案上的光刻胶进行曝光，显影后，得到铬层图案的光刻胶；对铬层图案的光刻胶进行表面金属化；通过微电铸对金属化后的铬层图案的光刻胶进行金属镍阳模电铸，得到镍阳模具。本申请镍阳模具的制作工艺简便，去胶方便，同时避免了镍阳模具边缘翘起。

基于光刻模具制作方法

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