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[发明专利]业务处理、风险识别业务处理方法、装置及电子设备-CN202010839808.4在审
发明人：黄泽昱 -专利权人：支付宝（杭州）信息技术有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G06F9/48 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了一种业务处理、风险识别业务处理方法、装置及电子设备，其具体方案包括：在确定基于调度优先级配置不同任务的目标业务时，针对相邻地位于不同任务中的相邻原子节点，判断该相邻原子节点中的至少一个原子节点是否为第一类原子节点，该第一类原子节点的执行时效为实时执行且执行逻辑无依赖资源。如果是，则将该相邻原子节点配置到同一任务中。这样，通过基于所述调度优先级调度所配置的任务来执行所述目标业务，其中在调度包含该相邻原子节点的任务时，对该相邻原子节点并行调度。
业务处理风险识别方法装置电子设备

[发明专利]生产酯或内酯的方法-CN00800280.0无效
发明人：石井康敬;中野达也 -专利权人：大赛璐化学工业株式会社
申请日： 2000-02-22 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： C07D307/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产酯或内酯的方法,其包括在含有选自元素周期表第3、13、14和15组的金属元素的化合物存在下使如下式(1)表示的酮与过氧化氢反应的步骤,在式(1)中每个Ra和Rb是彼此相同或不同的,是具有在与相邻羰基碳原子的连接位置上的碳原子的有机基团,其中Ra和Rb可以结合与相邻羰基碳原子形成环,从而得到如下式(2)表示的化合物,在式(2)中每个Ra和Rb是彼此相同或不同的,是具有在与相邻羰基碳原子和氧原子的连接位置上的碳原子的有机基团,其中Ra和Rb可以结合与相邻羰基碳原子形成环。
生产内酯方法

[发明专利]晶体材料分析装置和方法及计算机可读记录介质-CN202110136866.5在审
发明人：栗田知周;大渊真理 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G16C20/40 文献下载
摘要：晶体材料分析装置包括：图创建单元，用于创建环路图，该环路图具有：晶胞内节点，其指示晶体材料的一个晶胞中的原子；晶胞内边，其指示晶胞中的原子之间的化学键；以及环路边，指示晶胞中的原子X与晶胞中的下述原子Y之间的虚拟的化学键：该晶胞中的原子Y对应于与该晶胞相邻的相邻晶胞中的原子Y'，其中，原子Y'与原子X具有化学键；以及分析单元，通过使用图来分析晶体材料。
晶体材料分析装置方法计算机可读记录介质

[发明专利]内酯或羧酸或具有γ－羰基的酯的加氢方法-CN200580044364.9有效
发明人： P·J·范登布林克;K·L·冯黑贝尔;J－P·朗格;L·彼得鲁斯 -专利权人：国际壳牌研究有限公司
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： C07C51/377 文献下载
摘要：本发明提供选自如下的反应物的加氢方法：(a)在环封闭碳原子处被取代和在与环封闭碳原子相邻的碳原子处有质子的5－或6－元内酯；(b)具有γ－羰基和在与该羰基碳原子相邻的碳原子处有质子的羧酸的酯；和(c)具有γ－羰基和在与该羰基碳原子相邻的碳原子处有质子的羧酸，其中在氢气存在下，在温度范围为100－350℃和压力范围为1－150bar(绝压)下，使所述反应物与包含加氢金属的强酸性非均相催化剂接触。
内酯羧酸具有羰基加氢方法

[发明专利]无损测量纳米颗粒热膨胀系数的方法-CN200710036649.9无效
发明人：杨修春;李志会;刘维学;郭栋梁;黄文旵 -专利权人：同济大学
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G01N25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种无损测量纳米颗粒热膨胀系数的方法，其特征在于，将纳米颗粒材料分散在基质材料中，然后用X射线吸收精细结构谱测量分散在基质材料中的最邻近的纳米颗粒原子间的距离为r，相邻原子间距离的平方相对位移σ²，相邻原子间距离的立方相对位移C₃，根据公式(见图)计算得纳米颗粒的热膨胀系数，公式中，r为最邻近的原子间距离，R为同一配位层中的所有原子到中心原子之间的平均距离，T为测量温度，σ²＝C₂＝<(r－R)²>为相邻原子间距离的平方相对位移，C₃＝<(r－R)³>为相邻原子间距离的立方相对位移，，θ_E为纳米颗粒爱因斯坦温度
无损测量纳米颗粒热膨胀系数方法

[发明专利]制备氨烷基烷氧基硅烷的方法-CN201380015213.5无效
发明人： E·弗里茨-朗哈尔斯;S·克奈索尔;J·施托雷尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：的氨或有机胺和通式IV的醇反应来合成的：RR’N-X-Si(R1)n(OR2)3-n I、Y-X-Si(R1)nZ3-n II、R-NH-R’IIIR2-OH IV，其中，R和R’为氢或具有1-12个碳原子的烃基，其中不相邻的碳原子可被氮原子或氧原子代替，R1为具有1-8个碳原子的烃基，其中不相邻的碳原子可被氧代替，R2为具有1-8个碳原子的烷基，其中不相邻的碳原子可被氧代替，X为具有1-12个碳原子的二价烷基
制备烷基烷氧基硅烷方法

[发明专利]半导体衬底的原子台阶宽度计算装置、方法、设备及介质-CN202110896169.X在审
发明人：张九阳;舒天宇;卢仁贵;王永方;李霞;张红岩;高超;梁云硕;张禹亮 -专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了半导体衬底的原子台阶宽度计算装置、方法、设备及介质，半导体衬底存在一个或多个原子台阶均匀平行分布的区域，并且每个原子台阶处于倾斜状态，原子台阶的宽度为相邻两个原子台阶之间的距离，包括：图像获取单元，用于确定半导体衬底的测试范围，获取测试范围内的半导体衬底对应的原子台阶原始图像；图像处理单元，用于对原子台阶原始图像进行灰度处理，确定原子台阶灰度图像；计算单元，用于根据原子台阶灰度图像中相邻两个原子台阶之间的距离与原子台阶灰度图像的尺寸，计算原子台阶的宽度，节省了人工测算的人力、物力，避免了人工计算宽度产生的测量误差，可以通过程序实现，不会引入人工测算主观误差。
半导体衬底原子台阶宽度计算装置方法设备介质

[发明专利]稀土类磁体及采用该磁体的马达-CN201010178662.X无效
发明人：小室又洋;佐通祐一;铃木启幸 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01F1/053 文献下载
摘要：在固定磁粉所形成的磁体中，该磁粉的表面用金属氟化物被膜包覆，上述磁粉具有包含相邻铁原子结合的同质部以及2个铁原子通过铁以外的原子结合的异质部的晶体结构，上述2个铁原子的距离与上述相邻的铁原子的距离不同。
稀土磁体采用马达

[发明专利]制备茜素衍生物化合物的方法、新型茜素衍生物化合物、表面修饰方法、光电转换膜、光电转换元件和电子照相感光体-CN201080055288.2有效
发明人：高桥庆太;新居一巳;八木一成 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C07C50/34 文献下载
摘要：本发明提供一种新型茜素衍生物化合物以及制备茜素衍生物化合物的简单且低成本方法，所述方法包括：使用下式(3)代表的化合物获得下式(2)代表的化合物；和使用下式(2)代表的化合物获得下式(1)代表的茜素衍生物化合物；在式(1)~(3)中，R¹代表氢原子或取代基；n代表1~3的整数，L代表特定烷基；Q代表与相邻碳原子形成芳香环或杂芳环所需的原子团；和P代表包含选自氢原子、碳原子、氧原子、硫原子、硅原子和硼原子的原子并且与相邻两个氧原子和两个碳原子形成环结构所需的原子团
制备茜素衍生物化合物方法新型表面修饰光电转换元件电子照相感光

[发明专利]催化剂组合体及其制造方法-CN201110328493.8有效
发明人： J·杨;平野伸一;R·E·索尔蒂斯;A·R·德鲁斯;A·帕尔斯卡普;J·万德克 -专利权人：福特环球技术公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： B01J23/652 文献下载
摘要：在某些情况下，所述催化剂晶面包括限定催化剂原子间距的第一和第二相邻催化剂原子，所述基底晶面包括限定基底原子间距的第一和第二相邻基底原子，所述催化剂原子间距和所述基底原子间距之间的百分比差小于10％。
催化剂组合及其制造方法

[发明专利]耐水性偏振薄膜、耐水性偏振薄膜的制造方法和图像显示装置-CN201080001878.7有效
发明人：梅本彻;西森才将;龟山忠幸 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明的耐水性偏振薄膜包含具有阴离子性基团的有机色素和有机氮化合物，所述有机氮化合物包括分子中具有2个以上氮原子的第一有机氮化合物和分子中具有2个以上氮原子的第二有机氮化合物，所述第一有机氮化合物中相邻的氮原子间的距离(A)比所述第二有机氮化合物中相邻的氮原子间的距离(B)短。
耐水性偏振薄膜制造方法图像显示装置

[发明专利]能够对目标进行消旋和接管的化学分子卫星和控制方法-CN202210415268.6在审
发明人：梁昊鹏;陈致钧;王璟贤;曹译;陈荣;白玉铸;赵勇 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B64G1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够对目标进行消旋和接管的化学分子卫星和控制方法，化学分子卫星构造为大致正二十面体，化学分子卫星包括原子卫星和机械臂，原子卫星至少部分地设置在正二十面体的顶角处，机械臂用于连接相邻的原子卫星，原子卫星包括一级卫星、二级卫星、三级卫星和接管‑推进组合原子卫星，一级卫星和三级卫星均至少部分地构造为消旋功能原子卫星；接管‑推进组合原子卫星包括相互连接的接管功能原子卫星和推进功能原子卫星，并连接至二级卫星相邻的原子卫星能够借助机械臂相互组合或者分离，以使得化学分子卫星能够捕获和释放目标卫星。由此，可以捕获失效自旋的目标卫星，并能够释放接管‑推进组合原子卫星接管该目标卫星的姿轨系统。
能够目标进行接管化学分子卫星控制方法

[发明专利]四唑衍生物-CN94192626.5无效
发明人：林雅俊;加藤正也;境祜辅;三井和彦 -专利权人：住友金属工业株式会社
申请日： 1994-06-23 - 公布日： 1996-07-10 - 主分类号： C07D401/06 文献下载
摘要：通式(I)的四唑衍生物(其中A代表-CH＝CH-，-CH2-CH2-，-CH2O，以及氧原子或硫原子，或者当A不互连相邻的芳香环的情况下，它代表分别与相邻的芳香环键合的两个氢原子；V代表-CH＝CH-或硫原子；X和Y分别独立地代表烷氧基，卤原子或氢原子；(a)W代表化学键，Z代表碳原子或次甲基，以及B或者与Z一起成键或者代表羟基，或者(b)W、Z和B分别代表化学键、氮原子和氢原子，或者(C)W、Z和B分别代表氧原子、次甲基和氢原子；P代表整数2或3；以及n代表1-6中的一个整数)或者其药理上可接受的盐，以及含有该四唑衍生物或其药理上可接受的盐的抗组胺剂、抗过敏剂或哮喘治疗剂。
衍生物

[发明专利]使用InALAs或InGaAlAs实现的光电子器件的掺杂剂扩散阻挡-CN01117803.5无效
发明人： Y·A·阿库洛瓦;S·G·丘;M·盖瓦;M·S·海伯特森;C·W·伦茨;A·乌加萨登 -专利权人：阿吉尔系统光电子学监护股份有限公司
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明公开了一种方法,用于减少光电子器件的有源区中的掺杂剂原子的扩散以及相邻掺杂区之间的不同类型掺杂剂原子的相互扩散。本发明的方法使用多个InAlAs或InGaAlAs层来避免掺杂剂原子和有源区之间的直接接触以及光电子器件的相邻阻挡结构中掺杂剂原子之间的直接接触。本发明还公开了一种半绝缘隐埋脊结构以及一种脊结构,其中不同类型掺杂剂原子的相互扩散被抑制。
使用 inalas ingaalas 实现光电子器件掺杂扩散阻挡

[发明专利]固体电解质材料和电池-CN201880070646.3有效
发明人：浅野哲也;酒井章裕;境田真志;西尾勇祐 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01B1/06 文献下载
摘要：多个上述X的原子的亚晶格具有最密堆积结构。上述多个上述X的原子之中相互相邻的2个上述X的原子间的距离的平均值与只含有Li和上述X的岩盐结构中的相互相邻的2个上述X的原子间的距离相比，长1.8％以上。
固体电解质材料电池

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