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[发明专利]一种具有蓄冷特性的石墨烯纳米复合相变材料的制备方法-CN202010859446.5在审
发明人：苗卿华;徐莹;李晓燕;李立 -专利权人：哈尔滨商业大学
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：一种具有蓄冷特性的石墨烯纳米复合相变材料的制备方法，涉及一种具有蓄冷特性的相变材料的制备方法。本发明是要解决现有的有机相变材料存在过冷度小，且不存在相分离等现象，同时具有相变潜热值较低和导热系数较低的技术问题。本发明将石墨烯均匀分散在相变材料中，得到石墨烯纳米复合相变材料。该制备方法简单，低能耗，易于实现工业化，改善了石墨烯纳米复合相变材料的蓄冷特性的调控方法，降低了相关成本，且可以快速得到不同蓄冷特性的石墨烯纳米复合相变材料，该材料的相变温度可以为6.6℃，相变潜热值可以为
一种具有特性石墨纳米复合相变材料制备方法

[发明专利]相变存储器元件的修复方法及其应用-CN201510187413.X有效
发明人：吴昭谊;柯文昇;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器元件的修复方法，此修复方法包括下述步骤：首先，提供至少一个存储单元，使此存储单元包含具有偏移(shift)电流‑电阻特性函数的相变存储材料。接着，对相变存储材料施加一回复应力(healing stress)，使相变存储材料的偏移电流‑电阻特性函数转换为初始(initial)电流‑电阻特性函数。其中，偏移电流‑电阻特性函数为电流‑电阻特性函数的平移函数(translation of function)。
相变存储器元件修复方法及其应用

[发明专利]一种具有相变特性的绝缘导热薄片的制备方法-CN201910292798.4在审
发明人：李丽波;李星海;阎思奇;蒋奇宇;杜立涛;翟墨;杜金田 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开一种具有相变特性的绝缘导热薄片的制备方法。本产品由液态基体、导热填料、偶联剂和相变材料组成。其制作过程如下描述：将导热填料通过偶联剂水解液进行处理，待干燥后连同相变材料加入到液态基体中，加热共混制备出可相变的非绝缘相变导热材料；最后，将制得的相变材料冷却，使用特定的热收缩膜薄膜进行塑封成型，制得一种具有相变特性的绝缘导热薄片本发明的导热薄片不但具有相变特性，而且具备导热性能良好、使用寿命长、易于加工成型、相变前后均不会漏液的优点。同时，本发明制备工艺简单，实用价值高。
相变特性绝缘导热相变材料制备导热填料液态基体偶联剂发明制备工艺相变导热材料导热薄片导热性能加工成型热收缩膜使用寿命制作过程待干燥水解液共混漏液塑封绝缘薄膜加热成型冷却

[发明专利]一种调控材料中空位缺陷的方法-CN201910095442.1有效
发明人：程晓敏;冯金龙;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控材料中空位缺陷的方法，该方法是通过向相变功能材料中插入应力施加材料，从而调控所述相变功能材料中的空位缺陷浓度，并由此得到相变功能材料与应力施加材料嵌合生长生成的复合结构；该复合结构其相变特性主要由其中的所述相变功能材料决定，通过所述应力施加材料的调控使该复合结构其相变特性以由纯的所述相变功能材料得到的相变功能材料晶体其相变特性为基础产生变化，并且该应力施加材料具体为能够形成晶态的材料。本发明尤其通过向晶格常数略小的相变功能材料中插入常数稍大的应力施加材料，能有效降低相变存储材料中空位缺陷的浓度，从而降低其晶化过程的阈值，有效提升其晶化速度。
一种调控材料空位缺陷方法

[发明专利]一种基于相变材料的建筑围护结构系统-CN202010294602.8有效
发明人：孙川;冯学思;余翼 -专利权人：电子科技大学中山学院
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开一种基于相变材料的建筑围护结构系统，包括有固液相变材料储槽、气液相变材料储槽和相变换热工作部件，固液相变材料储槽位于整个组件上部，其中储存有固液相变材料，气液相变材料储槽位于整个组件下部，其中储存有气液相变材料，固液相变材料比气液相变材料具有更低的相变温度，相变换热工作部件位于所述固液相变材料储槽和气液相变材料储槽之间，分别与固液相变材料储槽和气液相变材料储槽连通，利用了固液相变材料液体状态的流动性，及气液相变材料气化后体积膨胀的特性，以及相变材料的潜热特性达到节能降耗效果。
一种基于相变材料建筑围护结构系统

[发明专利]一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法-CN201010101396.0有效
发明人：蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。
一种获得相变存储器单元半径系统方法

[发明专利]一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法-CN202210551303.7在审
发明人：周夕淋;朱栩旭;宋志棠;宋三年 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料中嵌入原子级厚度的过渡金属界面材料的方式改善材料的存储性能。该相变存储器具有快速、低功耗的擦写特性，稳定的多级电阻态以及较好的疲劳特性，有望应用于神经形态器件及高密度存储领域。
一种界面相变存储材料存储器及其制备方法

[实用新型]基于偏磁电流对变压器电磁特性影响的测量与仿真系统-CN201620999191.1有效
发明人：张勃;邓万婷;汪涛;全江涛 -专利权人：国家电网公司;国网湖北省电力公司电力科学研究院
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：一种基于偏磁电流对变压器电磁特性影响的测量与仿真系统，a相变压器的原边连接a相RL串联电路，a相RL串联电路连接a相RL并联电路以模拟a相变压器的励磁特性，b相变压器的原边连接b相RL串联电路，b相RL串联电路连接b相RL并联电路以模拟b相变压器的励磁特性，c相变压器的原边连接c相RL串联电路，c相RL串联电路连接c相RL并联电路以模拟c相变压器的励磁特性，直流偏磁电流测量系统连接等效电流源，等效电流源模拟运行变压器中性点流入或流出的直流偏磁电流通过现场测量与仿真计算结合的方式，以实时反映直流偏磁对变压器特性的影响。该系统为电力设备的检修提供方便，保证电力设备安全、稳定、健康运行。
基于磁电变压器电磁特性影响测量仿真系统

[发明专利]一种相变存储器-CN201210193028.2有效
发明人：任堃;饶峰;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器，特别指利用具有阈值电压开关特性（OTS）的薄膜作为选通开关的相变存储器件，该具有OTS特性的薄膜作为相变存储器中的选通开关能阻挡对未选中相变存储单元无意操作，起到与其他选通开关相同的作用利用OTS特性的薄膜作为存储器中的选通开关能有效减少选通开关的制备的工艺步骤，减小选通开关的尺寸。所以利用具有OTS特性的薄膜作为选通开关的相变存储器件在降低成本和提高存储密度方面具有更大的优势。
一种相变存储器

[发明专利]相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法-CN200610024614.9无效
发明人：张挺;宋志棠;冯高明;刘波;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是一种相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法。其特征在于用相变材料替代场效应晶体管中的半导体材料硅，利用相变材料的电致相变特性和半导体特性，同时在一个器件中实现场效应晶体管特性和存储功能。同时，本发明还包括该种新型器件的制作方法：直接利用氧化硅片作为衬底(栅极)/绝缘层的结构，再在该衬底上方制备源、漏电极，通过剥离沉积的相变材料薄膜形成简单的相变薄膜场效应晶体管单元器件。该方法制备工艺极其简单，成本低廉，有利于提高生产效率，降低成本，从而推动相变薄膜场效应晶体管的实际应用。
相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法

[发明专利]球形压头测量形状记忆合金相变特性的方法-CN200710050040.7无效
发明人：钱林茂;周仲荣;张爽;石心余;张静宜 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2007-09-18 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： G01N3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种球形压头测量形状记忆合金(SMAs)相变特性的方法。它是利用球形压头压入形状记忆合金材料表面，使其发生应力诱发的相变，并通过传感器同时检测加卸载过程中的载荷和位移信号，得到载荷F-位移h_t曲线，然后根据分析将试验获取的载荷-位移曲线转化为对应的名义应力σ_m-名义应变ε_m曲线，进而得到SMAs的相变应力和弹性模量等性能。该测试方法简单易行，可基本实现对材料的无损测量，不仅广泛适用于各种超弹和形状记忆SMAs相变特性的测量，而且特别适用于厚度低至数微米的SMAs薄膜或典型结构尺寸在微米量级的SMAs微器件相变特性的测试，测量值准确，精度高，能为SMAs在微机电系统的应用提供可靠的相变特性测试依据。
球形压头测量形状记忆合金相变特性方法

[发明专利]具有温度跟随特性的相变存储器读电路-CN201610935023.0有效
发明人：张琪;陈后鹏;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有温度跟随特性的相变存储器读电路，包括：参考相变存储阵列、相变存储阵列、参考相变存储单元地址寄存模块、参考电流产生模块、钳位电压产生模块及电流比较模块。本发明的相变存储器读电路通过对大规模相变存储阵列的不同位置的环境温度采样，利用高低阻态下相变单元的温度漂移系数，使所述参考电流随环境温度变化具有恰当的自调性，此种特性兼顾了相变存储阵列不同物理位置的温度差异，避免了所述参考电流值与相变单元位线电流值的混叠，提高了所述读出电路在外界环境温度改变时的正确读取。
具有温度跟随特性相变存储器电路

[发明专利]高效大容量相变阻温复合保温构造-CN200810187809.4无效
发明人：康健 -专利权人：康健
申请日： 2008-12-23 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： F28D20/02 文献下载
摘要：高效大容量相变阻温复合保温构造是利用相变材料的相变储能和相变阻温特性，模仿动物脂肪层的仿生保温构造，可有效提高保温性能和蓄热效率。
高效容量相变复合保温构造

[发明专利]一种电学加速度传感器-CN202210222872.7在审
发明人：张中侠 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明涉及加速度应用领域，具体提供了一种电学加速度传感器，底电极固定在底座上，复合相变材料部为柱形，复合相变材料部的一端固定在底电极上，顶电极固定在复合相变材料部的另一端，质量块固定在顶电极上。工作时，在加速度的作用下，质量块压缩复合相变材料部，改变了复合相变材料部的导电特性，通过测量复合相变材料部导电特性的变化实现加速度探测。因为复合相变材料部的导电特性严重地依赖于其内部结构，所以本发明能够实现高灵敏度的加速度检测。另外，本发明是基于传统电学的，设备简单、体积小，使用方便，在加速度检测领域具有良好的应用前景。
一种电学加速度传感器

[发明专利]一种便于拆装的相变材料灌注保温密封管道接头及其方法-CN202011614329.9有效
发明人：范利武;罗佳豪;杨生;石洪旖;李梓瑞;傅国涛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： F16L15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种便于拆装的相变材料灌注保温密封管道接头及其方法，其包括内部中空的管体，管体相对的输入端和输出端内壁均焊接有螺旋状记忆合金作为内螺纹，且管壁上设有灌注孔，灌注孔用于在接头接入待连接管子后灌注相变材料，并使相变材料填充管体内壁面与待连接管子壁面之间的缝隙；所述灌注孔朝向管壁外侧的一端设有可拆卸的密封螺栓。本发明可利用相变材料的固‑液相变特性，使其渗入管件缝隙处强化密封性；可利用记忆合金的低温相、高温相形变特性，紧固管子，拆装方便，并使得相变材料充分填充管体内部间隙，增强密封性；可利用相变材料释放热特性，
一种便于拆装相变材料灌注保温密封管道接头及其方法

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